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上海新欣晶圆半导体科技有限公司

作品数：10 被引量：0H指数：0
相关机构：杭州中芯晶圆半导体股份有限公司更多>>
相关领域：自动化与计算机技术金属学及工艺文化科学建筑科学更多>>

合作机构

文献类型

  • 10篇中文专利

领域

  • 3篇金属学及工艺
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇电子电信
  • 1篇建筑科学
  • 1篇文化科学

主题

  • 4篇倒角
  • 4篇硅片
  • 2篇砂浆
  • 2篇砂轮
  • 2篇翘曲
  • 2篇精研
  • 2篇宽幅
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇研磨
  • 1篇研磨工艺
  • 1篇叶片
  • 1篇致密
  • 1篇致密性
  • 1篇双面研磨
  • 1篇损伤层
  • 1篇探头
  • 1篇气相沉积

机构

  • 10篇上海新欣晶圆...
  • 1篇杭州中芯晶圆...

年份

  • 10篇2020
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种改善硅片边缘翘曲的方法
本发明涉及半导体领域。一种改善硅片边缘翘曲的方法，其特征在于，对切片后的硅片依次进行如下研磨步骤：步骤一，通过倒角砂轮磨削硅片边缘，进行一次倒角直径研削，一次倒角直径研削量为A,A为230μm‑270μm；步骤二，通过宽...
卢运增贺贤汉洪漪丁晓建
一种带有一粗四精沟槽的砂轮及其应用
本发明公开了一种带有一粗四精沟槽的砂轮，包括砂轮本体，所述砂轮本体的外直径为200‑210mm，砂轮本体的厚度为18‑25mm；所述砂轮本体上按顺序开设有1个粗研沟槽和4个精研沟槽；所述粗研沟槽与相邻精研沟槽之间的距离为...
卢运增贺贤汉洪漪王庆荣
文献传递
一种改善SiO<Sub>2</Sub>薄膜致密性的化学气相沉积方法
本发明涉及半导体加工技术领域。一种改善SiO<Sub>2</Sub>薄膜致密性的化学气相沉积方法，其特征在于，通过履带式常压化学气相沉积装置在硅片的表面覆盖SiO<Sub>2</Sub>薄膜；控制履带式常压化学气相沉积装...
马爱贺贤汉李传玉
文献传递
一种改善硅片倒角面粗糙度的方法
本发明公开了一种改善硅片倒角面粗糙度的方法，对于硅片倒角为R型倒角，且要求研削后R型倒角的沟槽角度为A±0.5°的硅片；采用砂轮研削时，设定粗研沟槽的角度为A+0.5°～A+2°，精研沟槽的角度为A‑0.5°～A；研削后...
卢运增贺贤汉洪漪丁晓建
一种提高平边产品晶棒线切割入刀稳定性的方法
本发明的公开了一种提高平边产品晶棒线切割入刀稳定性的方法，将两根待切割的平边产品晶棒根据面方位要求旋转，待旋转至达到面方位要求的角度后，将待切割的平边产品晶棒固定在工件板上；测定两根平边产品晶棒的旋转角度；当旋转角度大于...
陈奎贺贤汉吉远军
用于修复晶圆边缘损伤的胶带研磨工艺
本发明涉及晶圆加工技术领域。用于修复晶圆边缘损伤的胶带研磨工艺，其特征在于，包括如下步骤，步骤一，采用端面腐蚀法对晶圆浸泡腐蚀；步骤二，通过第一机械手将需修复的晶圆放置在研磨旋转载台上，研磨旋转载台移动至研磨头位置，晶圆...
庄云娟贺贤汉洪漪
一种提高硅片倒角宽幅精度的方法
本发明公开了一种提高硅片倒角宽幅精度的方法，在进行研削台更换或者重新安装时，对研削台精度进行达标确认；所述研削台在硅片倒角加工时用于吸着硅片；所述研削台精度确认方法，具体步骤如下：步骤一、将MINNCOM的探头固定在研削...
卢运增贺贤汉洪漪王庆荣
文献传递
用于硅片的有去边超级背封层结构及其制造方法
本发明用于硅片的有去边超级背封层结构，包括：二氧化硅背封层，所述二氧化硅背封层覆盖在硅片的背面；多晶硅背封层，所述多晶硅背封层覆盖在所述二氧化硅背封层的外侧，覆盖了硅片的背面、背面斜边区及边缘区。本发明用于硅片的有去边超...
千津井勝己贺贤汉洪漪
文献传递
一种改善硅片边缘翘曲的切割方法
本发明涉及半导体加工技术领域。一种改善硅片边缘翘曲的切割方法，在切割深度为0mm‑8mm位置处，且砂浆的流量为70L/min；在切割深度为8mm‑18mm位置处时，砂浆的流量呈线性递增，且砂浆的流量为(切割深度值+62)...
卢运增贺贤汉丁晓健
文献传递
一种提高砂浆回收系统离心机离心能力的方法
本发明是提供一种提高砂浆回收系统离心机离心能力的方法，考虑转鼓壁上沉积的固体越来越厚，有效的离心半径变化对离心力的影响；通过定期的测量离心后液体密度，液体密度超过某一数据如1.164g/cm<Sup>3</Sup>，小幅...
张松江贺贤汉卢运增吉远君
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