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山东大学控制科学与工程学院电子束研究所
山东大学控制科学与工程学院电子束研究所
- 作品数：29 被引量：87H指数：7
- 相关作者：姚作宾郝惠娟更多>>
- 相关机构：泰山学院物理与电子工程学院北京信息科技大学理学院中国石油大学（华东）计算机与通信工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金山东省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程更多>>
- 电子束三维光刻技术的研究被引量：14
- 2003年
- 在IH(IntegratedHardenPolymerStereoLithography)技术和电子束光刻技术的基础上提出了电子束微三维光刻技术新概念。对其实现方法的可行性进行了简要的理论分析,并使用SDV-II型真空腔在约1.33Pa的真空下对环氧618、WSJ 202和苏州2号抗蚀剂进行了气化试验,得出了它们在真空中的气化实验结果,证明了电子束液态光刻的可行性。
- 孔祥东张玉林尹明
- 关键词：IH抗蚀剂
- 三维结构的邻近效应校正被引量：1
- 2006年
- 针对三维曝光图形的结构特点,结合重复增量扫描方式,分别从水平和深度两个方向进行邻近效应校正。水平方向通过预先建立校正过程中需要的各种规则表,使所需参数可以通过查表获得,快速、准确地实现了邻近效应校正,深度方向的校正则是从吸收能量密度与曝光剂量的关系上考虑。利用SDS-3电子束曝光机完成了校正实验。AFM图显示,邻近效应已大大降低,可满足三维加工精度的要求。所提出的扫描方式和校正方法为电子束曝光的三维加工和邻近效应校正提供了一种新方法。
- 郝慧娟张玉林卢文娟宋会英
- 关键词：图形发生器电子束光刻邻近效应校正
- 电子束曝光中电子散射模型的优化被引量：8
- 2005年
- 提出了在0.1 keV^30 keV能量范围内进行电子束曝光Monte Carlo模拟的分段散射模型优化方案。在该方案中,对所有的弹性散射均采用精确的Mott弹性散射截面。而对非弹性散射,当能量处于E0≤10 keV,10 keV20 keV时,分别采用了Joy修正的Bethe公式、通常的Bethe公式和相对论效应修正的Bethe公式来计算总能量损失率;当E0≤20 keV和E0>20 keV时,分别采用了Gryzinsky截面和Moller截面计算离散的能量损失率。发现模拟结果与实验结果很好地吻合,这比采用单一的散射模型和不考虑二次电子的Bethe公式得到的模拟结果更加符合实际的电子散射过程,其精度更高。
- 宋会英张玉林魏强孔祥东
- 关键词：电子束曝光散射模型MONTECARLO方法二次电子
- STM微位移工作台的遗传神经网络控制技术被引量：2
- 2006年
- 为了提高扫描隧道显微镜微位移工作台的定位精度,提出了一种基于遗传算法的神经网络PID控制方案。微位移工作台以压电陶瓷为驱动器、柔性铰链为导向机构,在分析工作原理的基础上,建立了工作台的数学模型。神经网络PID控制器对工作台进行闭环控制,能够在线调整网络加权值,实时改变PID控制器的系数,减小工作台的位移误差。利用遗传算法的全局搜索能力对BP网络的初始权值进行学习优化,有效消除了神经网络对初始权值敏感和容易局部收敛的缺陷,改善了控制器的控制效果。性能测试表明,12μm阶跃参考输入下的稳态误差从3.24%减小到2.55%,稳态时间从1.7 s缩短到1.1 s。
- 魏强张玉林郝慧娟卢文娟宋会英于欣蕾
- 关键词：电子束扫描隧道显微镜神经网络PID
- IH工艺的发展及应用被引量：6
- 2003年
- 介绍了IH系列立体光刻技术。使用该系列技术可以加工出具有高深宽比和复杂曲面的各种微结构,可以容易地加工出微可动部件、电子聚合物组合结构和不同聚合物的全聚合物结构,能较好地满足MEMS发展的需要。最后指出这种方法目前存在的缺陷。
- 孔祥东张玉林尹明
- 关键词：立体光刻抗蚀剂微机电系统
- 低能电子束对抗蚀剂曝光的Monte Carlo模拟被引量：7
- 2004年
- 考虑二次电子的产生和散射,利用MonteCarlo方法模拟了具有高斯分布特征的低能入射电子束斑在抗蚀剂中的散射过程,分别得到了电子束在抗蚀剂中的穿透深度和能量沉积的分布图。发现在能量小于2 5keV范围内的模拟结果与实验结果相吻合,这比用传统的不考虑二次电子的Bethe公式得到的模拟结果更加符合实际的电子散射过程,精度更高。另外还发现电子束能量越低,曝光的分辨率和效率越高,这一结果也与实验相吻合。结果表明,二次电子的产生和散射对电子束曝光起了重要的作用,需考虑它们的影响。
- 宋会英张玉林孔祥东
- 关键词：电子束MONTECARLO模拟散射二次电子
- 基于软刻蚀技术的微三维结构加工方法研究被引量：1
- 2007年
- 软刻蚀是通过表面带有图案的弹性模板来实现图案转移的图形复制技术,弹性印章是软刻蚀技术的核心。简单介绍了软刻蚀技术,使用SDS-3型电子束曝光机,采用重复增量扫描方式进行曝光,生成弹性印章的母版,将其硅烷化后用以制作弹性印章,再利用软刻蚀技术可进行微图形的复制,得到微三维结构。显影后得到轮廓清晰的三维结构,证明将电子束重复增量扫描曝光方式与软刻蚀技术相结合可为制作微三维结构提供一种简单、有效的低成本途径。
- 卢文娟张玉林孔祥东郝惠娟
- 关键词：电子束光刻
- 电子束光刻的快速邻近效应校正被引量：3
- 2007年
- 提出了实现电子束光刻的快速邻近效应校正的分级模型。首先利用矩阵实现内部最大矩形和顶点矩形的快速替换,然后对内部最大矩形和顶点矩形进行校正迭代。在校正迭代的过程中,用局部曝光窗口与曝光强度分布函数直接卷积计算邻近图形对关键点产生的有效曝光剂量,将整个曝光块近似为一个大像点,以计算全局曝光窗口中的曝光图形对关键点产生的有效曝光剂量,实现了快速图形尺寸校正。在与同类软件精度相同的情况下,提高了运算速度。
- 宋会英张玉林于肇贤郝慧娟
- 关键词：邻近效应校正
- 电子束液态曝光技术中的穿透深度预测研究
- 2006年
- 穿透深度预测是电子束液态曝光技术中的一个重要课题。采用对比分析的方法对MonteCarlo模拟和Grun公式在预测液体抗蚀剂穿透深度中的适用性进行了研究,得出了可以使用这两种方法对高能电子在液体抗蚀剂中的穿透深度进行预测的结论,并以环氧618为液体抗蚀剂进行实验验证,证明了结论的正确性,拓宽了两种方法的适用范围,为不同厚度液体抗蚀剂涂层穿透所需加速电压的快速、准确选定提供了参考依据。
- 孔祥东冯圣玉卢文娟张玉林
- 关键词：电子束MONTE
- 电子束重复增量扫描生成三维结构的研究被引量：2
- 2006年
- 针对三维曝光图形的结构特点,结合自行设计的图形发生器,提出了电子束重复增量扫描方式及曝光剂量与刻蚀深度关系和灵敏度的计算方法.根据计算得到的剂量关系,按照重复增量扫描方式,在SDS-3电子束曝光机上进行了曝光实验,显影后得到了轮廓清晰的梯锥和圆锥的三维结构.因此,重复增量扫描方式可以用于三维结构的加工,并且关于曝光剂量与刻蚀深度关系和灵敏度的计算可以为其提供符合实际曝光的参数.
- 郝慧娟张玉林卢文娟魏强
- 关键词：DSP图形发生器电子束光刻灵敏度
