苏州大学物理科学与技术学院(能源学院)物理学系
- 作品数:675 被引量:1,621H指数:18
- 相关作者:朱士群姚伟国周咏东蔡振岩范叔平更多>>
- 相关机构:中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所中国科学院固体物理研究所中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金江苏省自然科学基金江苏省教委自然科学基金更多>>
- 相关领域:理学电子电信文化科学一般工业技术更多>>
- LiTa_xNb_(l-x)O_3晶体的低温介电性和热释电性被引量:1
- 1989年
- 研究了LiTa_xNb_(1-x)O_3单晶在300K至40K温度范围內的介电和热释电性质。介电常数和热释电系数两者都随温度降低而下降,无反常变化。在300K至200K范围内热释电伏值保持相当高的数值,这具有实用价值。
- 李承森张沛霖钟维烈孟宪林
- 关键词:介电性质
- 高k材料Ta2O5结构与电学性质的研究被引量:1
- 2011年
- 利用双离子束沉积设备在p-Si(100)衬底上制备了Ta2O5基MOS电容,研究了不同辅源能量0、100、200、300eV下薄膜生长机制、内部结构以及电学性质的差异。实验结果显示,在辅源能量200eV下制备的Ta2O5薄膜具有最小的表面粗糙度和优异的界面特性。由C-V/I-V特征曲线表明,辅源能量200eV下制备的Ta2O5基MOS电容具有最小的平带电压偏移量、氧化层电荷密度以及漏电流。研究表明合适的辅源能量可有效改善薄膜生长机制,使薄膜由类岛状沉积转化为层状生长,从而提高晶粒均匀性、薄膜平整度以及致密性,使薄膜具有较好的电学性质。
- 陈息林余涛吴雪梅董尧君诸葛兰剑
- 关键词:高K栅介质TA2O5MOSFET器件微结构电学性质
- 中性原子在单束局域空心光束中的Sisyphus冷却被引量:4
- 2002年
- 印建平高伟建夏勇
- 关键词:中性原子蒙特卡洛模拟势阱超冷原子
- 磁囚禁133Cs原子BEC的实验进展及其困难和光学囚禁133Cs原子BEC的可能性
- 本文首先综述了近年来有关蒸发冷却Cs原子样品的实验进展,分析了磁囚禁Cs原子SEC的困难,并在此基础上提出了一个全光型冷却与囚禁Cs原子BEC的方案.该方案主要由一个来自半导体激光λ=0.852μm的倒金字塔形中空光束重...
- 印建平高伟建刘南春王义遒
- 文献传递
- 弹簧振子在定常干摩擦阻尼作用下的振动被引量:11
- 2001年
- 首先给出了弹簧振子在定常干摩擦阻尼作用下的振动微分方程 ,并通过分段求解 ,归纳出其在各个阶段的解的一般形式 ,然后分析了振动的基本规律 ,作出了振动的图象 .
- 卓士创董慎行
- 关键词:干摩擦阻尼弹簧振子
- 澳大利亚中学物理教材浅析被引量:7
- 2002年
- 季德璜
- 关键词:物理教材教材结构教材内容教材特点
- 针对综合考试进行物理教学的初步探讨被引量:1
- 2000年
- 高闯张军杰
- 关键词:综合考试物理教学试题
- 伯努利方程在伽里略变换下的协变性
- 2002年
- 凌寅生王宗谟陈兆立
- 关键词:伯努利方程协变性物理规律流体力学物理教学
- 量子耗散系统的Wilczek-Zee算符被引量:1
- 2001年
- 用非厄密哈密顿量讨论耗散系统的时间演化波函数 ,导出W
- 党兰芬
- 关键词:绝热近似几何相位简并
- 外加磁场对磁控溅射靶利用率的影响被引量:18
- 2003年
- 通过在基片上直接放置一块永久磁铁来研究外加磁场对磁控溅射靶利用率的影响。实验发现 ,外加磁场的引入改变了靶表面附近的磁场分布 ,因而靶的刻蚀环的位置、宽度和深度均发生了明显的变化 ,靶的利用率在S S构型和S N构型中均比无外加磁场时要高。利用空间模拟磁场成功的解释这一实验现象。在S S构型和S N构型中 ,后者靶的刻蚀深度轮廓线比较平坦 ,相对刻蚀深度值更大 。
- 赵新民狄国庆朱炎
- 关键词:磁控溅射靶利用率外加磁场磁控溅射等离子体模拟磁场