中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
- 作品数：132 被引量：485H指数：11
- 相关作者：郑立荣齐鸣孙一军李伟章熙康更多>>
- 相关机构：中国科学院新疆物理研究所中国科学院上海技术物理研究所中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- Zn铁氧体纳米晶的磁性及微结构研究被引量：16
- 2000年
- 通过高能球磨方法由α-Fe2O3+ZnO混合粉体制得的Zn铁氧体纳米晶具有非正型分布的尖晶石结构,表现为亚铁磁性,其比饱和磁化强度σs=16.4emu/g。通过适当的热处理可以使Zn铁氧体的结构向正型分布转变;使其磁性向顺磁性转变。
- 姜继森高濂杨燮龙郭景坤J.Z.Jiang沈鸿烈
- 关键词：ZN铁氧体纳米晶高能球磨磁性微结构
- 金属有机物分解法制备的La-Sr-Mn-O薄膜的磁输运特性(英文)
- 2001年
- 利用金属有机物分解法在非晶石英衬底上成功地制备了具有 (202)择优取向的多晶 La1－ x－SrxMnOz薄膜。原子力显微镜观察显示薄膜具有疏松的结构缺陷。在室温下，观察到薄膜磁电阻随外加磁场变化具有优良的线性特征， 10 kOe磁场下，磁电阻值达到 5％。在 77 K低温下，薄膜具有显著的低场磁电阻效应， 2 kOe磁场下的磁电阻值达到 11％。薄膜的电阻－温度关系具有平缓的金属－绝缘体转变，转变温度远低于其居里温度；在 8 kOe磁场下，薄膜的磁电阻随温度下降而单调上升。上述薄膜的磁输运特性与其结构缺陷 (包括晶界及疏松 )有关。
- 祝向荣沈鸿烈邹世昌Koichi TsukamotoTakeshi YanagisawaMamoru OkutomiAkira Obara
- 关键词：磁电阻
- 不同过渡层上Co/Cu/Co三明治的巨磁电阻效应研究
- 李铁沈鸿烈沈勤我邹世昌
- 关键词：巨磁电阻效应三明治晶体结构过渡层
- 智能剥离———有竞争力的SOI制备新技术
- 1997年
- ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）技术被认为是２１世纪的硅集成电路技术．近年来，国际上出现了一种引人注目的ＳＯＩ制备新技术———智能剥离（Ｓｍａｒｔｃｕｔ）技术．它的出现为解决ＳＯＩ技术中质量与价格的矛盾带来了新的希望，将会有力地推动ＳＯＩ技术的进一步发展．文章简要回顾了目前存在的几种ＳＯＩ制备技术。
- 张苗竺士炀林成鲁
- 关键词：SOI硅集成电路
- 具有负有效质量的半导体载流子速度-电场特性(英文)被引量：1
- 2001年
- 由于p-GaAs量子阱的价带色散关系存在负有效质量区域,导致空穴速度-电场曲线具有负微分速度特性。本文采用非抛物平衡方程理论计算得到了量子阱空穴的“N”形速度与电场关系,并首次给出了拟合得到的解析表达式。计算中,考虑了空穴-杂质散射,空穴-声学声子散射和空穴-光学声子散射等散射机制,讨论了晶格温度对速度-电场关系的影响。
- 曹俊诚雷啸霖
- Si+和Si++P+注入InP的辐射损伤的研究
- 本文报道了Si以及Si+P共注入<100>InP的RBS和Raman谱的分析结果。应用LO声子的S.C模式(Spatial Correlation Mode),用相干长度表征了InP的离子注入损伤。发现热靶注入的晶格损伤...
- 徐宏来沈鸿烈周祖尧杨根庆邹世昌
- 文献传递
- 光通信波段超高速PIN光电探测器的新进展被引量：5
- 2001年
- 对自 2 0世纪 90年代以来在InGaAsPIN超高速光电探测器的研究上所取得的进展进行了综述 ,介绍了传统型的面入射光电探测器、波导型光电探测器、渐变耦合型光电探测器、小平面折射型光电探测器、反射型光电探测器和单极型光电探测器等的新进展 ,同时也介绍了超高速光电探测器封装结构。
- 刘家洲李爱珍张永刚
- 关键词：化合物半导体INGAAS
- 多孔硅外延层转移制备SOI材料的研究被引量：4
- 2001年
- 用多孔硅外延层转移的方法成功地制备出了SOI材料,卢瑟福背散射/沟道谱(RBS/C)和扩展电阻(SPR)的结果表明获得的SOI材料上层硅具有很好的单晶质量,电阻率分布均匀,上层硅与氧化硅埋层界面陡直。对制备多孔硅的衬底材料也作了研究,结果表明P型重掺杂的硅衬底在暗场下阳极氧化后仍保持很好的单晶性能,用超高真空电子束蒸发方法能外延出质量很好的单晶硅,并且,在一定浓度的HF/H2O2溶液中具有较高的腐蚀选择率,保证了上层硅厚度的均匀性。
- 刘卫丽多新中张苗沈勤我王连卫林成鲁
- 关键词：多孔硅SOI材料
- RF Plasma MBE生长GaN材料及特性研究
- 1999年
- 用ＲＦＰｌａｓｍａ ＭＢＥ方法生长出了ＧａＮ 材料，它的Ｘ 射线衍射半峰宽为３３５ 秒，７７Ｋ 下ＰＬ发光峰半峰宽为２２ｍｅＶ，表明了材料具有较高的晶体质量。根据Ｘ射线衍射分析，位错密度约为７ ．３ ×１０８ｃｍ －２ 。用Ｓｉ 作为掺杂剂，所得载流子浓度可覆盖１０１７ － １０１９ｃｍ －３ 的范围。掺Ｓｉ ＧａＮ 的ＰＬ谱表明，Ｓｉ 的引入可提高材料的发光效率。
- 李伟赵智彪郑燕兰李存才杨全魁胡建齐鸣李爱珍
- 关键词：PL谱氧化镓
- 脉冲准分子激光PZT薄膜的制备被引量：9
- 1994年
- 本实验采用脉冲准分子激光沉积（ＰＬＤ）法，在１９３ｎｍ波长，５Ｈｚ频率，４Ｊ／ｃｍ２能量密度条件下，分别在Ｓｉ（１００）和ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上成功地沉积Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３（ＰＺＴ）薄膜，并在不同的条件下对ＰＺＴ薄膜进行退火处理。用ＸＲＤ，ＲＢＳ，ＡＳＲ等方法分别测量了薄膜的结构、组份和厚度。
- 陈逸清郑立荣林成鲁邹世昌
- 关键词：PZT铁电薄膜准分子激光沉积
