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四川大学物理科学与技术学院辐射物理及技术教育部重点实验室

作品数:105 被引量:275H指数:9
相关作者:林理彬郭英杰周继萌刘中华王龙更多>>
相关机构:中国工程物理研究院核物理与化学研究所中国工程物理研究院激光聚变研究中心中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学核科学技术一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 96篇期刊文章
  • 9篇会议论文

领域

  • 56篇理学
  • 18篇核科学技术
  • 12篇一般工业技术
  • 10篇自动化与计算...
  • 9篇电子电信
  • 6篇化学工程
  • 6篇金属学及工艺
  • 5篇医药卫生
  • 3篇机械工程
  • 3篇环境科学与工...
  • 2篇电气工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 10篇电子辐照
  • 9篇团簇
  • 8篇离子
  • 7篇退火
  • 7篇合金
  • 7篇辐照
  • 6篇团簇离子
  • 6篇簇离子
  • 5篇纳米
  • 5篇光谱
  • 5篇光学
  • 5篇VO
  • 4篇电荷交换
  • 4篇数字化
  • 4篇能量分辨率
  • 4篇离子辐照
  • 4篇晶体
  • 4篇光学性
  • 3篇单晶
  • 3篇荧光

机构

  • 105篇四川大学
  • 19篇中国工程物理...
  • 10篇中国科学院
  • 4篇电子科技大学
  • 4篇中国核动力研...
  • 2篇武汉大学
  • 2篇江西理工大学
  • 2篇四川省放射卫...
  • 1篇贵州大学
  • 1篇江苏科技大学
  • 1篇江汉大学
  • 1篇南昌大学
  • 1篇四川师范大学
  • 1篇云南师范大学
  • 1篇中山大学
  • 1篇四川省疾病预...
  • 1篇中国科学院成...
  • 1篇武警成都指挥...
  • 1篇安特卫普大学

作者

  • 22篇杨朝文
  • 17篇林理彬
  • 15篇何捷
  • 12篇卢铁城
  • 9篇师勉恭
  • 9篇缪竞威
  • 8篇孙鹏
  • 7篇周荣
  • 7篇杨百方
  • 6篇蒋波
  • 6篇李尚柏
  • 6篇祖小涛
  • 6篇封向东
  • 6篇孟庆凯
  • 6篇刘晓东
  • 5篇王治国
  • 5篇伍登学
  • 5篇刘中华
  • 5篇刘强
  • 4篇龚敏

传媒

  • 12篇物理学报
  • 11篇强激光与粒子...
  • 9篇核技术
  • 8篇四川大学学报...
  • 7篇原子核物理评...
  • 5篇稀有金属材料...
  • 5篇核电子学与探...
  • 4篇核动力工程
  • 4篇原子能科学技...
  • 4篇光散射学报
  • 3篇原子与分子物...
  • 3篇材料导报
  • 3篇电子与封装
  • 2篇硅酸盐学报
  • 2篇微计算机信息
  • 1篇国外电子元器...
  • 1篇中华放射医学...
  • 1篇武汉大学学报...
  • 1篇中国激光
  • 1篇计算机应用

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 3篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 6篇2015
  • 8篇2014
  • 3篇2013
  • 3篇2012
  • 4篇2011
  • 8篇2010
  • 10篇2009
  • 6篇2008
  • 4篇2007
  • 9篇2006
  • 5篇2005
  • 4篇2004
  • 6篇2003
105 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
热蒸发法制备第Ⅳ族半导体纳米线的研究进展
2013年
系统地分析了压强和温度在热蒸发法生长中对Si纳米线的产量和形貌结构的影响,并全面解析了用热蒸发法制备Ⅳ族纳米线的氧化物辅助生长机理。同时,对国内外采用热蒸发法制备第Ⅳ族半导体(Si、Ge、SiGe)纳米线的研究现状进行了详细介绍,并展望了其应用前景。
李瑞张析张丹青向钢
关键词:热蒸发法SI纳米线
SiC MOSFET伽马辐照效应及静态温度特性研究被引量:2
2021年
研究了SiC功率MOSFET的γ辐照总剂量效应,获得了其在不同总剂量辐照以及不同环境温度下的输出特性和转移特性,并探究了γ辐照和环境温度对阈值电压、漏极饱和电流、工作状态的影响规律。研究结果表明,栅氧化层的辐照损伤是导致SiC MOSFET性能退化的主要原因。器件的输出特性、阈值电压及工作状态受辐照剂量影响明显,经室温退火后,器件性能有一定恢复。器件静态特性随温度的变化规律不易受γ辐照影响,辐照前后其阈值电压的温度系数均约为-2.71 mV/K,表明该器件阈值电压具有较好的温度稳定性。
唐常钦王多为龚敏马瑶杨治美
关键词:总剂量效应静态特性温度特性
电子束辐照致VO_2(A)薄膜光电特性改变被引量:1
2008年
以能量为1.0 MeV,剂量为1.2×1013~1.2×1015/cm2电子束辐照VO2(A)薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电镜、电阻温度测试仪和Fourier中红外光谱仪对电子辐照前后的薄膜进行测试,研究了辐照剂量对薄膜结构、光电特性的影响。结果表明:剂量为1.2×1013/cm2时,辐照主要是在薄膜中引入点缺陷;剂量为1.2×1015/cm2时,辐照在薄膜中产生明显的退火效应。辐照剂量增加会引起薄膜相变过程中电阻温度系数增加,使相变温度点发生变化,热滞回线宽度最大可增加89.1%,相变前后薄膜电阻值变化的数量级增大,晶粒尺寸经历了31.8 nm→21.3 nm→20.3 nm→33.5 nm的变化。半导体相薄膜的透过率受缺陷影响较大,金属相时主要受晶粒尺寸的影响。
孟庆凯何捷刘中华张雷宋婷婷孙鹏
关键词:二氧化钒薄膜电子辐照电阻温度系数
离子辐照对不同Nb含量CrNb涂层结构和力学性能的影响
2023年
利用能量为6 MeV、注量为2.3×10^(15)Au/cm^(2)的Au离子对磁控溅射法制备的Cr和CrNb涂层进行离子辐照。采用XRD、SEM及TEM等分析技术研究辐照对4种不同Nb含量的涂层微观结构和力学性能的影响。结果表明:随着Nb含量增加,晶格畸变导致衍射峰偏移,晶体转变为非晶,经离子辐照后涂层相结构出现了结晶现象。辐照令4种涂层表面形貌更光滑,同时TEM分析发现辐照区域微观组织结构变化不明显,表现出良好的抗辐照性能。Nb元素加入到Cr基涂层中,能提高涂层硬度模量和塑性变形能力,其中Cr_(0.92)Nb_(0.08)涂层具有最大值(硬度13.7 GPa、弹性模量204.2 GPa),经过离子辐照后的涂层均表现出较沉积态更高的硬度模量,这是辐照硬化导致。Cr基涂层中加入Nb元素能增加涂层力学性能,并未降低涂层的抗辐照性能,同时Cr_(0.82)Nb_(0.18)涂层在4种涂层中的抗辐照性能较好。
董长风徐锡语辛虹阳滕常青毛建军杨吉军张伟钟玉馨伍晓勇吴璐
关键词:辐照合金涂层力学性能
利用双束技术制备纳米锆氧化物薄膜的研究被引量:1
2001年
作者采用离子束溅射沉积Zr的同时 ,进行氧离子的轰击 ,随着注入离子束流密度的变化 ,所形成的锆氧化物薄膜从非晶态向晶态转化 ,其形成的晶态薄膜为纳米量级范围内的微晶 .实验发现 ,衬底不同对形成纳米锆氧化物的临界氧离子束流密度也不同 .
杨斌黄宁康雷家荣汪德志
关键词:纳米晶粒
电子辐照致VO_2(B)薄膜结构与红外光谱改变
2008年
本文以能量为1.0MeV的电子束辐照VOAB)薄膜,对电子辐照在薄膜中产生的缺陷进行了理论计算,使用X射线衍射仪、傅立叶中红外光谱仪对薄膜进行测试,分析了电子辐照对薄膜结构与红外光谱(3400-400cm^-1)的影响。结果显示:电子辐照可以在薄膜中引入点缺陷并产生退火效应,电子辐照在薄膜中引入的点缺陷,可以使V-O=V受到破坏,退火可以使V—O=V振动得到恢复,而电子辐照对薄膜八面体角度弯曲振动影响不大。
孟庆凯何捷刘中华张雷宋婷婷孙鹏
关键词:电子辐照红外光谱退火效应
等温退火对锆合金表面非晶AlNbTiZr中熵合金涂层结构与力学性能的影响
2022年
对磁控溅射法制备的AlNbTiZr中熵合金涂层在500℃下进行了不同时间(0~150 h)的真空等温退火。采用XRD、SEM及纳米压痕和纳米划痕的分析手段研究了等温退火对涂层显微组织演变和力学性能的影响。结果表明:经500℃/150 h退火后涂层相结构出现了结晶现象。涂层经60 h等温退火后其硬度和弹性模量均达到最大值为10.7 GPa和152.7 GPa,而90 h和150 h热处理后硬度和弹性模量均有所下降。随着等温退火时间的延长,塑性变形能力和断裂韧性有所提高。Al、Nb和Ti元素在界面处的相互扩散加剧,界面结合强度有较大提升。这均有利于涂层适应压水堆苛刻的工作条件。
辛虹阳毛建军张伟滕常青杨吉军张伟阳建伍晓勇吴璐
关键词:等温退火力学性能
超声喷流Ar团簇生长演化过程及团簇尺寸轴向分布的实验研究被引量:1
2009年
针对特定形式的喷嘴产生的Ar气体团簇,利用瑞利散射法研究了团簇的生长演化过程,测量了不同背压下空间轴向上的团簇尺度,得到了团簇尺寸随轴向距离与背压的关系.实验发现,在20—60atm(1atm=101.3kPa)背压范围内,距离喷嘴出口5mm处,Ar团簇尺度最大.
刘猛陆建峰韩纪峰李佳罗小兵缪竞威师勉恭杨朝文
关键词:瑞利散射
数字化能谱获取中梯形成形研究被引量:10
2017年
在数字化能谱采集系统中,往往需要添加适当的脉冲成形算法对数字化核信号进行处理,以提升系统能量分辨率等指标。梯形成形算法因具有实现简单、成形脉冲窄等诸多优势而得到广泛的应用。从探测器输出的脉冲信号进行数学模型建立及简化出发,对信号模型的梯形成形算法进行分析讨论,并利用Simulink在现场可编程逻辑门阵列(Field-Programmable Gate Array,FPGA)上实现并改进梯形成形算法,通过实验测试了成形算法的可行性及其在能谱测量过程中对能量分辨率的提升。
刘寅宇王玉东周荣杨朝文
关键词:能量分辨率
康普顿相机的GEANT4模拟与反投影图像重建被引量:7
2015年
模拟构建了双层康普顿相机,利用康普顿散射原理,获取γ光子在两层探测器发生散射前后沉积的能量和位置信息,通过一定算法进行图像重建,获得放射源位置信息。该相机具有灵敏度高、体积小、应用范围广等优点。通过蒙特卡罗方法模拟了具有双层条状结构位置灵敏探测器(散射探测器、吸收探测器)组成的康普顿相机,其两层探测器分别由Si和Ge材料构成。利用反投影图像重建算法实现了放射源图像重建,当单点源与探测器距离为40 mm时,成像的效率为0.38%,位置分辨率达到8.0 mm,角分辨率达到3°。对于不同位置和不同个数点源的情况下,检验了反投影重建算法在康普顿相机放射源空间重建中的效果。
丁长骥毛本将袁永刚姜志刚杨朝文
关键词:蒙特卡罗模拟
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