西安工业大学光电工程学院光电微系统研究所
- 作品数：30 被引量：61H指数：4
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- 相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>
- 锆钛酸铅薄膜腐蚀研究
- 通过对腐蚀溶液的优化,获得了一种刻蚀效果良好的锆钛酸铅(PZT)薄膜的腐蚀溶液配方.所采用的PZT薄膜是通过溶胶-凝胶(sol-gel)法获得的.在研究腐蚀溶液组分、温度以及浓度对腐蚀速率影响的基础上,成功获得了PZT薄...
- 蔡长龙李明马卫红刘卫国
- 关键词：PZT薄膜湿法腐蚀腐蚀速率
- 文献传递
- 磁控溅射法制备镍膜热敏电阻特性的研究
- 目前,红外传感器技术在军事及民用等诸多领域具有广泛的应用前景。测辐射热计是主流的低成本非制冷红外热探测器之一。热敏电阻薄膜是测辐射热计的核心元件,由于金属材料用做热敏电阻时,具有线性范围宽,材料资源丰富,成本低,与硅集成...
- 翟于嘉蔡长龙黄静刘欢周顺刘卫国
- 关键词：直流磁控溅射
- 文献传递
- 相关双采样技术在室温热成像探测器中的应用
- 2006年
- 提高测辐射热计热成像探测器性能的主要目标是提高探测器输出信号的信噪比.本文讨论了测辐射热计热成像探测器的主要噪声源,指出噪声主要来自探测器材料及读出电路两大部分,而两者的主要噪声形式均为Johnson噪声、1/f噪声和热起伏噪声,对于读出电路,开关热噪声是另外一个随机噪声源.从读出电路的角度出发讨论了提高探测器信噪比的途径,降低以1/f噪声为主的固定模式噪声是提高探测器信噪比的有效手段.在采用相关双采样技术后,可以显著降低探测器在500 Hz以下频率范围内的固定模式噪声.
- 金娜刘卫国
- 关键词：相关双采样信噪比固定模式噪声读出电路
- 基于压电陶瓷的激光谐振腔长控制技术被引量：10
- 2012年
- 为了获得频率稳定的激光源,介绍一种利用压电陶瓷微位移控制激光谐振腔长的方法。通过D/A卡输出非等间隔控制电压序列给压电陶瓷驱动电源,使压电陶瓷产生微小形变从而控制激光谐振腔长均匀变化,使出射激光频率均匀稳定。实验结果表明:该系统可以精确有效地对激光谐振腔长进行微调节控制,定位精度可以达到nm级别。
- 谢国兵刘卫国高爱华
- 关键词：压电陶瓷非线性校正虚拟仪器激光频率
- 线性渐变滤光片透过率实时测量系统被引量：6
- 2009年
- 为了能够在大动态范围内精确分析线性渐变滤光片的透过率，文中研制了一种基于虚拟仪器的全自动线性渐变滤光片透过率检测系统，采用相关检测技术，测量在大动态范围内滤光片的透过率．测量系统硬件部分由光源模块、样品操作控制模块和信号采集模块三部分组成，软件基于LABVIEW开发平台编制．该测量系统能够对渐变滤光片的透过率进行单点测量和多点扫描测量．单点重复性测量误差小于0．1％．扫描测量透过率动态范围可达0．001％～100％．
- 刘卫国孙鑫高爱华王越
- 关键词：透过率虚拟仪器
- 单晶热释电探测器混合集成制造方法研究被引量：3
- 2010年
- 在比较几种探测器集成制造方法的基础上,提出采用各向异性导电膜作为电信号互联的手段,实现热释电探测器与信号处理电路的混合集成,从而演示了一种兼容性良好的集成化多传感器制造方法。对单晶钽酸锂热释电探测器采取机械研磨减薄获得其薄膜,利用3M的5552R各向异性导电膜,实现了探测器与信号读出电路的互联。对探测器的测试表明:机械研磨减薄获得的钽酸锂薄膜表现出与晶体接近的热释电特性,探测器表现出良好的绝热性质和动态响应特性。
- 金娜刘卫国
- 关键词：各向异性导电膜多传感器热释电探测器
- 用于SAW器件制造的键合减薄技术被引量：3
- 2013年
- 铌酸锂(LiNbO3)作为一种压电材料,常被用于声表面波(SAW)器件的压电层,通常LiNbO3晶片厚度为500μm,而实际上压电层的有效利用厚度为λ～2λ(λ为声表面波波长)。为能实现SAW器件的高度集成化,需用键合减薄及抛光技术对LiNbO3进行加工处理。用粒径100nm的SiO2抛光液对减薄后的铌酸锂晶体样品进行化学机械抛光,研究了抛光垫、抛光盘转速、压力及抛光时间对抛光过程的影响。抛光结果表明最佳抛光工艺参数是:采用阻尼布抛光盘,100nm的SiO2抛光液,转速为120r/min,压力为3.9N,抛光时间为40min。经测试样品厚度为80μm,样品的最小粗糙度Ra=0.468nm,Rq=0.593nm(Ra为算术平均粗糙度,Rq为均方根粗糙度)。
- 程进刘卫国刘欢郭伟进
- 关键词：抛光
- 硅基材料的各向异性刻蚀工艺研究
- 2013年
- 穿透硅通孔技术是实现3-D集成封装的关键技术之一,而交替复合深刻蚀技术是实现穿透硅通孔的重要方式。本文分别采用SF6和CF4、SF6和C4F8、SF6和O2三组不同组合气体,对硅基材料进行交替复合深刻蚀,获得了不同组合气体对硅的横向刻蚀速率和纵向刻蚀速率,实现了对硅的各项异性刻蚀,为硅深刻蚀技术的实现奠定了基础。
- 马睿蔡长龙
- 关键词：各向异性
- 离子源工艺参数对BCB胶刻蚀速率和表面粗糙度的影响
- 2015年
- 为了研究离子束刻蚀抛光过程中离子源工艺参数对刻蚀速率及表面粗糙度的影响,采用微波离子源为刻蚀离子源,以BCB胶为主要研究对象,研究了离子束能量、离子束电流、氩气流量、氧气流量对BCB胶刻蚀速率及表面粗糙度的影响,获得了离子源工艺参数与刻蚀速率及表面粗糙度演变的关系。研究结果表明,离子束能量在从400eV增大到800eV的过程中,刻蚀速率不断增大,从3.2nm/min增大到16.6nm/min;离子束流密度在从15mA增大到35mA的过程中,刻蚀速率不断增大,从1.1nm/min增大到2.2nm/min;工作气体中氧气流量从2mL/min增大到10mL/min的过程中,刻蚀速率会整体增大,在8mL/min处略有下降。表面粗糙度变化不大,可以控制在1.8nm以下。
- 包强刘卫国蔡长龙周顺陈智利惠迎雪姬娇
- 关键词：离子束刻蚀刻蚀速率
- 等离子体增强液态源MOCVD系统的研制被引量：1
- 2008年
- 本文介绍了一台新型等离子体增强液态源MOCVD系统。系统由液态源汽化装置、反应室、等离子体产生装置、真空系统及自动控制系统等主要部分组成。该系统采用了由超声雾化器和加热腔组成的液态源汽化装置,将液态源转变成气态供给反应室沉积薄膜。为了提高金属有机物的化学反应活性,在有布气盒结构的反应室基础上,引入了射频等离子体。真空控制采用了由蝶阀、真空规和机械增压泵组成的闭环控制系统。自动控制系统的设计基于PLC和触摸屏,通过触摸屏完成工艺参数设置及实时数据显示,通过PLC完成系统控制。使用该液体输送MOCVD系统在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上沉积了锆钛酸铅铁电薄膜。实际应用证明,该系统结构紧凑,高度自动化以及控制灵活,适合于制备高质量的复合金属氧化物薄膜。
- 刘卫国周顺高爱华张伟张雄星金娜
- 关键词：金属有机物化学气相沉积汽化器
