天津电子材料研究所
- 作品数：84 被引量：159H指数：7
- 相关作者：郝建民李光平胡恺生褚连青郝建民更多>>
- 相关机构：天津市硬质合金研究所河北工学院河北工业大学更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金国家自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺一般工业技术更多>>
- 非掺杂半绝缘LECGaAs中电参数与碳浓度及EL2浓度的关系
- 1999年
- 利用范德堡方法和光吸收方法研究了非掺杂半绝缘（ＳＩ）ＬＥＣＧａＡｓ 中电参数与碳（Ｃ）浓度及ＥＬ２ 浓度的关系。通过比较实验结果和理论计算结果发现。
- 杨瑞霞李光平
- 关键词：砷化镓EL2电参数掺杂半导体材料
- 热处理中As压对半绝缘GaAs缺陷的影响被引量：1
- 2002年
- 在 95 0°C和 1 1 2 0°C温度下 ,对非掺杂半绝缘 LECGa As进行了不同 As气压条件下的热处理 ,热处理的时间为 2～ 1 4小时。发现不同 As压条件下的热处理可以改变 Ga As晶片的化学配比 ,并导致本征缺陷和电参数的相应变化。在 95 0°C和低 As气压条件下进行 1 4小时热处理 ,可在样品体内 (表面 1 5 0 μm以下 )引入一种本征受主缺陷 ,使电阻率较热处理前增加约 5 0 % ,霍尔迁移率下降 70 %。这种本征受主缺陷的产生是由于热处理过程中样品内发生了 As间隙原子的外扩散。提高热处理过程中的 As气压可以抑制这种本征受主缺陷的产生。真空条件下在 1 1 2 0°C热处理 2～ 8小时并快速冷却后 ,样品中的主要施主缺陷 EL2浓度约下降一个数量级 ,提高热处理过程中的 As气压可以抑制 EL2浓度下降。这种抑制作用是由于在高温、高 As气压条件下 。
- 杨瑞霞赖占平
- 关键词：半绝缘GAAS本征缺陷
- 日本光电子学材料研究的现状与将来
- 1992年
- 介绍了近几年日本研究人员在光电子学材料方面的研究现状,并着重阐述了日本在液晶材料、太阳电池材料、光纤材料及激光材料研究方面的新进展以及今后欲开发的课题。
- 魏海岩
- 关键词：光电子学
- 测定外延层电阻率的面接触方法研究
- 1993年
- 评论了美国科学家Ｃ．Ｃ．Ａｌｌｅｎ等于１９６６年发表的“测定外延层电阻率的点接触方法”之论文的局限性，从而提出了本法文。本方法从理论上解一维Ｐｏｉｓｓｏｎ方程并与Ｃ．Ｃ．Ａｌｌｅｎ法的公式相比较，获得某些公式。文中导出面接触方法雪崩击穿电压Ｖ＾∞Ｎα／Ｖ＾∞Ｂｐ＝０．４５６；同时还导出了点接触方法外延层耗尽层宽度为ｔｍｉｎｐ（μｍ）和面接触方法外延层耗尽层宽度Ｔｍｉａα（μｍ）的比值为Ｔｍｉｎ...
- 程元生朱坤宝夏瑞明王凤仙孙毅之鲁松年朱德平张海明
- 关键词：外延层电阻率点接触硅
- 剥离霍尔技术分析与实用中的问题被引量：1
- 1998年
- 根据剥离霍尔技术的物理基础，分析了范德堡测试结构中薄膜材料在逐层测量时F因子发生变化的可能原因，主要归因于被测样品存在导电层厚度和电阻率不均匀性所致。而实验表明，采用阳极氧化技术控制膜厚的不均匀性可小于10％，因此导致F因子变化的主因是ρ（x，y）和θH（x，y）的存在。实验分析了F因子随深度的改变对纵向分布测量结果的影响，指出，当F因子随深度改变时，分析结果应该镇用；在作剥离霍尔测量时加测F因子是必要的，以作为利用分析结果的参考。
- 孙毅之冯玢郑庆瑜
- P/P<'+>硅外延片
- 该成果采用低温深冷技术对ＳｉＨＣＬ〈，３〉进行再精制，通过控制 硅源中受主杂质硼和施生杂质磷的卤化物ＢＣＬ〈，３〉和ＰＣＬ〈，３〉挥发量，进行外延生长，稳定地研制出Ｐ／Ｐ〈?＋〉高阻厚层硅外延片，其中低温深冷技术具有创新...
- 关键词：
- 关键词：硅片三氯氢硅氢还原法硅单晶
- 电子元器件用镀锡铜包钢线
- 本标准规定了镀锡铜包钢线的牌号、标记、要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存。本标准适用于制造电子元器件引出线，它是以低碳钢为芯线，经覆铜拉制，而后再电镀或热浸锡(锡基合金)制得的产品。
- 关键词：电子元器件镀锡钢线
- 文献传递
- 硅材料与未来军事战争被引量：1
- 1993年
- 电子战是未来战争的主要作战手段.未来战争中,先进的技术将是赢得胜利的决定因素之一.不言而喻,电子对抗设备、通讯设备、导航装置等,哪一样都离不开电子材料.新型电子材料的出现。
- 黄义贞
- 关键词：半导体材料硅战争军事
- 俄歇电子能谱术深度剖析标准导则
- 本标准导则适用于采用磨角与截面法、球抗法、离子测射法、非破坏性深度剖析法进行俄歇电子能谱术尝试剖析。 本标准导则可能涉及有害的物品、操作及设备。但没有说明所有相关的安全问题。使用者在使用本导则前，应该制定适当的安全与保健...
- 文献传递
- 新的GaAs多晶料合成工艺
- 在本篇文章中报导了一种新的GaAs合成技术.该技术是在惰性气体压力下,在准密封条件下,不使用B<,2>O<,3>,用高压合成法简便快捷地制备GaAs多晶.本篇文章还对高压原位合成LEC工艺和先合成GaAs多晶粒,再用低压...
- 高瑞良齐德格周春锋
- 关键词：半导体材料砷化镓单晶生长合成工艺
- 文献传递
