长春理工大学光电子技术研究所
- 作品数：5 被引量：13H指数：3
- 相关作者：刘庆飞更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- SiO_2防离子反馈膜的制备及其性能被引量：3
- 2008年
- 防离子反馈膜是一种覆盖在微通道板输入端的Al2O3或SiO2连续超薄膜,该膜对延长微光像管的使用寿命具有重要的作用。首先采用射频磁控溅射方法在0.5～1μm的有机载膜上制备Si薄膜,然后在4～6Pa氧气下放电使其贴敷到微通道板上,同时使Si膜氧化和有机载膜分解,最后在微通道板输入面上形成满足设计要求的SiO2防离子反馈膜。该制膜方法工艺稳定,重复性好,成品率超过90%。给出了有、无薄膜时微通道板的电子透过特性曲线和膜层厚度与死电压间关系曲线。对相同厚度为5nm的SiO2和Al2O3防离子反馈膜的电子透过特性进行了分析和比较,得出了SiO2比Al2O3薄膜对电子透过稍好,相应的死电压分别为220V和255V的结论。结合对膜层电子透过和离子阻止特性的综合分析可以看出,SiO2也是制作微通道板防离子反馈膜较为理想的材料之一。为了定量表征微通道板防离子反馈膜的离子阻止能力,最后指出了防离子反馈膜离子透过率的测量是今后该项研究工作的当务之急。
- 姜德龙向嵘吴奎王新王国政付申成
- 关键词：微通道板SIO2防离子反馈膜
- 电子轰击型PSD器件的研究与应用
- 2003年
- 首先介绍了新型半导体光电位敏器件 (PSD)的独特优点。同时根据极微弱光探测的应用需求 ,提出了电子轰击型新概念器件EBPSD ,研究了它的制作原理 ,并对已制出的器件进行了半导体增益测试 ,其结果是入射电子能量 2keV时增益大于 10 2 ;5keV时增益可达 10 3 ,证实了这种器件的优越性。还将 (EB PSD)器件和微通道板相结合 ,充分利用微通道板的高增益特性 ,提出了电子增益高达 10 8的MCP PSD管设计方案 ,并制出了样管 ,指出这种器件可用于低于 10
- 富丽晨李野姜德龙端木庆铎田景全
- 关键词：PSD器件光子计数
- 微通道板离子壁垒膜及其特性被引量：5
- 2004年
- 介绍了微光像管中微通道板离子壁垒膜及其形成技术,研究了其粒子(电子和离子)透过特性。给出了死电压概念、死电压曲线、死电压与膜厚关系曲线以及半视场对比测试结果;给出采用X射线光电子能谱(XPS)进行成分分析的结果。介绍了离子壁垒膜的离子透过特性,给出了表征膜层对离子阻止能力的离子透过率的概念,提出了离子透过率测试的原理方案和相关技术等问题。
- 姜德龙吴奎王国政李野高延军端木庆铎富丽晨田景全
- 关键词：微通道板
- 新型变密度卤化物/MCP反射式X射线敏感薄膜的研究被引量：4
- 2002年
- 在MCP输入端通道内壁制作了反射式X射线敏感膜层 ,提高了MCP对能量 35～ 5 0keVX射线的探测能力。实验结果表明 :变密度结构的CsI/MCP中膜层结构较密实时 ,其输出响应可提高 5～ 6倍 ,较无膜MCP提高 1～ 2个数量级 ,和CsBr、KBr相比较 ,以CsI的响应特性为最佳 ;膜层材料、结构、工艺和X射线能量等是影响探测能力的主要因素。
- 田景全姜德龙孙秀平富丽晨但唐仁李野卢耀华端木庆铎
- 关键词：MCP卤化物微通道板
- 微通道板离子壁垒膜及其对入射离子的阻止作用被引量：4
- 2006年
- 给出了三代微光像管中微通道板离子壁垒膜对入射正离子阻止作用的描述,引进了核阻止本领、电子阻止本领和平均射程的概念。结合Tomas-Fermi屏蔽势进行了分析讨论和Monte-Carlo模拟计算,给出Al2O3和SiO2薄膜对不同能量垂直入射时的核、电子阻止的定量结果。得出了Al2O3薄膜阻止本领比SiO2阻止本领高的结论。证实了选用Al2O3离子壁垒膜的科学性和可行性。
- 姜德龙刘庆飞李野王国政高延军吴奎付申成端木庆铎田景全
- 关键词：微通道板蒙特卡罗模拟
