南昌大学材料科学与工程学院光伏研究院
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
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- 硅晶体生长速率与过冷度关系的分子动力学模拟研究被引量：2
- 2016年
- 基于Tersoff势函数描述硅原子间的相互作用,运用分子动力学方法模拟研究了不同过冷度条件下硅晶体凝固生长速率。结果发现,在一定过冷度范围内,硅晶体的生长速率随过冷度的增大而呈先快速增大后缓慢减小的趋势,并最终趋于不生长。同时,运用Wilson-Frenkel模型从理论上对硅晶体生长速率与过冷度关系进行了预测,分子动力学模拟结果与Wilson-Frenkel模型预测结果基本吻合,表明了硅晶体沿[100]方向的生长是一种扩散型生长。
- 周耐根张弛刘博李克周浪
- 关键词：晶体生长过冷度分子动力学模拟
- a-Si∶H薄膜中SiyHx结构组态的原子模拟研究
- 2020年
- 氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)中SiyHx结构组态对薄膜应用性能有重要影响,然而现有的分析测试手段难以对其进行深入细致的研究.本文运用分子动力学方法模拟分析了a-Si∶H/c-Si薄膜中SiyHx结构组态,以及衬底温度对其含量的影响;并进一步运用第一性原理方法计算了各SiyHx组态中的Si-H键能.结果发现a-Si∶H薄膜中SiyHx结构可以归纳为六种组态.三类为以化学键结合的SiHx组态,包括SiH,SiH2和SiH3;另外三类为以物理键结合的HSiy组态,包括HSi2(s),HSi2(l)和HSi3.键能结果反映出六种组态的稳定性由高到低的顺序为SiH>SiH2>SiH3>HSi2(s)>HSi2(l)>HSi3.HSiy组态中Si-H键能在太阳光中的可见光和红外线的能量范围内,阳光照射引起HSiy组态中的Si-H物理键断裂,是非晶硅薄膜电池产生S-W(Steabler-Wronski)效应的主要机理.另外,薄膜沉积过程中衬底温度的升高将导致各类SiyHx组态含量大幅降低.
- 翟世铭廖黄盛周耐根黄海宾周浪
- 关键词：键能氢化非晶硅薄膜分子动力学
