上海交通大学电子信息与电气工程学院先进电子材料与器件校级平台
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
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- 热ALD和等离子增强ALD沉积HfO2薄膜的比较（英文）被引量：2
- 2019年
- 以四(甲乙胺)铪(TEMAHf)作为前驱体,采用热原子层沉积(TALD)技术和等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术分别在硅衬底上沉积二氧化铪(HfO2)薄膜。分别研究了水和臭氧作为共反应物对TALD HfO2薄膜性能的影响及采用电容耦合等离子体(CCP)PEALD HfO2薄膜的最佳工艺条件。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光电子能谱(XPS)对不同工艺制备的HfO2薄膜的微观结构、表面形貌进行了表征。结果表明,反应温度为300℃时,TALD 50 nm厚的HfO2薄膜为单斜相晶体;PEALD在较低反应温度(150℃)下充分反应,所沉积的50 nm厚的HfO2薄膜杂质含量较低,薄膜未形成结晶态;PEALD工艺得到的HfO2薄膜的界面层最厚,主要为硅的亚氧化物或铪硅酸盐。电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)测试结果表明,以水作为氧源且反应温度300℃的TALD工艺所得到的HfO2薄膜,其金属-绝缘体-半导体(MIS)器件的漏电流及电滞回线最小。
- 乌李瑛柏荣旭瞿敏妮田苗沈赟靓王英程秀兰
- 关键词：介电常数
- BCTZ纳米线的制备及其在能量采集中的应用被引量：1
- 2019年
- (Ba0. 85Ca0. 15)(Ti0. 9Zr0. 1)O3(BCTZ)是一种具有优异压电性能且无污染的无铅压电陶瓷。采用静电纺丝的方法,制备得到了纯钙钛矿结构的BCTZ纳米线,通过与聚二甲基硅氧烷(PDMS)混合,制得了能量采集器件。为了提高器件的输出性能,实验引入了介电泳的方式来改善纳米线在PDMS中的取向性。实验表明:经介电泳定向后的器件的最大开路电压和短路电流分别可达2. 25 V和27. 3 n A。PDMS具有良好的生物相容性和延展性,基于BCTZ/PDMS薄膜的压电器件在可穿戴微纳米电子器件中将具有巨大的应用潜能。
- 胡海燕陈乐李海华王英
- 关键词：静电纺丝
