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南京电子器件研究所
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2,357
被引量:2,978
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薛舫时
作品数:123
被引量:112
H指数:7
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:HFET GAN 电流崩塌 势垒 沟道
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研究领域
贾正根
作品数:111
被引量:140
H指数:5
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:液晶显示器 CRT 显示器件 液晶显示 PDP
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研究领域
陈辰
作品数:107
被引量:99
H指数:5
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 HEMT
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林金庭
作品数:101
被引量:135
H指数:7
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAAS MMIC 砷化镓 单片 微波单片集成电路
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研究领域
董逊
作品数:92
被引量:56
H指数:3
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:氮化镓 高电子迁移率晶体管 二维电子气 势垒 成核
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所获资助
研究领域
李忠辉
作品数:92
被引量:75
H指数:4
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:氮化镓 GAN MOCVD 二维电子气 高电子迁移率晶体管
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周建军
作品数:81
被引量:53
H指数:4
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:氮化镓 ALGAN GAN ALGAN/GAN 分布布拉格反射镜
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柏松
作品数:78
被引量:107
H指数:6
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:SIC 4H-SIC 碳化硅 SIC_MESFET MESFET
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陈新宇
作品数:70
被引量:82
H指数:5
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 开关 GAAS_MMIC 微波单片集成电路
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所获资助
研究领域
邵凯
作品数:64
被引量:44
H指数:4
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:砷化镓 射频开关 微波功率器件 GAAS_PHEMT 前置放大器
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