乔忠良
- 作品数：111 被引量：133H指数：6
- 供职机构：长春理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金高功率半导体激光国家重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>
- InGaAs/GaAs应变量子阱的发光特性研究被引量：2
- 2014年
- 利用低压金属有机化学气相沉积技术(LP-MOCVD)生长InGaAs/GaAs单量子阱(SQW),通过改变生长速率、优化生长温度和V/III比改善了量子阱样品的室温光致发光(PL)特性。测试结果表明,当生长温度为600℃、生长速率为1.15μm/h时,生长的量子阱PL谱较好,增加V/III比能够提高量子阱的发光强度。实验分析了在不同的In气相比条件下,生长速率对量子阱质量的影响,利用模型解释了高In气相比时,随着生长速率增加PL谱蓝移现象消失的原因。
- 戴银李林苑汇帛乔忠良孔令沂谷雷刘洋李特曲轶刘国军
- 关键词：金属有机化学气相沉积生长速率生长温度
- 一种采用双金属片控制的太阳能跟踪器开关技术
- 本发明是关于一种采用灵敏温变的双金属片实现太阳能跟踪器开关的技术，这种开关技术不同于常用的光敏电阻开关，在稳定性、可靠性和机械结构上具有优点。此开关技术可以应用于太阳能跟踪器的自动控制中，提高太阳能利用率，降低太阳能损耗...
- 李占国刘国军邵成斌尤明慧李林李梅乔忠良邓昀王勇高欣薄报学
- 文献传递
- 基于Al_xN_y绝缘介质膜的新型窗口大功率半导体激光器被引量：4
- 2009年
- 提升半导体激光器的腔面抗光学灾变(COD)损伤的能力,改善半导体激光器的工作特性,一直是大功率半导体激光器器件工艺研究的难点。基于薄膜应力使基底半导体材料带隙变化的原理,采用直流磁控溅射方法在不同条件下溅射生成不同内应力的Al_xN_y绝缘介质膜。通过研究大功率半导体激光器腔面退化机理,借助Al_xN_y等应力膜设计制作了一种新型非吸收透明窗口结构的宽条形半导体激光器,使器件平均最大输出功率提高46.5%。垂直发散角达到21°,水平发散角达到6.1°,2000 h加速老化试验,其千小时退化速率小于0.091%。
- 乔忠良薄报学么艳平高欣张晶王玉霞刘春玲卢鹏李辉曲轶
- 关键词：激光器高功率半导体激光器ALN应力
- 一种改善砷化镓基半导体激光器腔面稳定性的方法
- 一种改善砷化镓基半导体激光器腔面稳定性的方法，属于激光技术领域。该领域已知技术难以有效改善砷化镓基半导体激光器的腔面稳定性，使砷化镓基半导体激光器的性能受到很大限制。本发明依次采用氩气、氢气、氧气、氮气或其混合气体的等离...
- 徐雨萌薄报学高欣乔忠良张晶李辉
- 文献传递
- 基于单发光区芯片的大功率光纤耦合激光器的输出远场特征分析被引量：4
- 2017年
- 为研究光纤耦合激光器的输出远场特征,基于ZEMAX光学设计软件,模拟了基于单发光区激光器芯片的多种光纤耦合结构,分析了不同耦合结构的输出远场特征。模拟结果表明:单管耦合输出远场分布通常为中间亮、边缘暗的圆形光斑。当准直后的光束快慢轴光束尺寸基本一致时,远场输出光斑均匀性会得到极大改善;当存在光纤轴心角向误差(大于1°)时,远场输出光斑的均匀性会明显降低。多单管耦合时,单管之间的台阶高度若大于准直后的快轴光斑尺寸,则对应的远场输出为有暗区的同心圆环,单管的数量对应圆环的数量。为了提高输出远场分布的均匀度,应严格控制合束单管之间的台阶高度。
- 夏晓宇高欣许留洋曹曦文乔忠良王宪涛薄报学
- 关键词：ZEMAX光纤耦合远场特性
- 一种基于ZnO薄膜钝化半导体激光器腔面的方法
- 一种基于ZnO薄膜钝化半导体激光器腔面的方法，属于半导体光电子器件工艺技术领域。该领域已知技术难以大幅度提高输出功率，同时使器件的可靠性保持在较高的水平。本发明之一种基于ZnO薄膜钝化半导体激光器腔面的方法，可有效提高输...
- 薄报学周路王云华许留洋高欣乔忠良
- 文献传递
- 高亮度大功率宽条形半导体激光器腔面氮氢钝化研究被引量：4
- 2013年
- 提升宽条形半导体激光器腔面抗光学灾变(COD)能力,改善宽条形半导体激光器的输出工作特性,一直是高亮度大功率宽条形半导体激光器器件工艺研究的核心。基于氮氢混合气体的等离子体反应钝化原理,通过AlN高效导热薄膜作为腔面钝化保护层,实现器件最大输出功率提高达66.7%;连续电流工作时,3.5W功率输出的情况下,其千小时退化率小于0.73%。
- 乔忠良张晶芦鹏李辉李特李林高欣曲轶刘国军薄报学
- 关键词：光电子学ALN
- 一种带有模式滤波器的高亮度条形半导体激光器
- 一种带有模式滤波器的高亮度条形半导体激光器属于半导体光电子器件技术领域。该领域已知条形半导体激光器不足之处是输出光束发散角大、发光亮度低等缺点，限制了此类器件在相关领域中的应用。本发明之一种带有模式滤波器的高亮度条形半导...
- 乔忠良薄报学张斯玉高欣曲轶芦鹏李占国李辉刘国军李梅王玉霞
- 文献传递
- 溅射ZnO薄膜钝化GaAs表面性能的研究被引量：5
- 2013年
- 为了改善GaAs(110)与自身氧化物界面由于高表面态密度而引起的费米能级钉扎(pinning)问题,提出采用射频磁控溅射技术在GaAs(110)衬底上沉积一定厚度ZnO薄膜作为钝化层,并利用光致发光(PL)光谱和X射线光电子能谱(XPS)等方法对ZnO薄膜的光学特性及钝化性能进行表征。实验结果表明,经ZnO薄膜钝化后的GaAs样品,其本征PL峰强度提高112.5%,杂质峰强度下降82.4%。XPS光谱分析表明,Ga和As原子的比值从1.47降低到0.94,ZnO钝化层能够抑制Ga和As的氧化物形成。因此,在GaAs表面沉积ZnO薄膜是一种可行的GaAs表面钝化方法。
- 王云华高欣周路许留洋乔忠良薄报学
- 关键词：GAAS钝化ZNO薄膜
- 一种双靶射频磁控共溅射超硬、高效导热、低吸收Al<Sub>x</Sub>Si<Sub>y</Sub>N膜的方法
- 本发明之一种双靶射频磁控共溅射超硬、高效导热、低吸收Al<Sub>x</Sub>Si<Sub>y</Sub>N膜的方法属于薄膜技术领域。该领域已知同类薄膜不足之处是硬度低、导热差、光吸收大等缺点，限制了相关领域中的应用。...
- 乔忠良薄报学高欣张斯玉徐扬张秀曲轶芦鹏李辉李占国刘国军
- 文献传递
