曲轶
- 作品数：142 被引量：216H指数：8
- 供职机构：长春理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金高功率半导体激光国家重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程医药卫生更多>>
- 高功率、高效率线阵半导体激光器的阳极氧化制备方法被引量：1
- 2006年
- 在分子束外延(MBE)生长的基础上,采用脉冲阳极氧化工艺制作了非对称、宽波导InGaAlAs/AlGaAs/GaAs应变双量子阱(DQW)结构准连续(QCW)线阵半导体激光器,实现了808 nm波段线阵激光器的高效率、高功率运转。脉冲阳极氧化工艺主要用于器件工艺中的蚀刻与绝缘膜制备,电解液采用乙二醇∶去离子水∶磷酸∶2%盐酸的体积比为40∶20∶1∶1的混合溶液。研制的准连续线阵半导体激光器的填充因子约为72.7%,100 Hz,200μs准连续工作条件下的阈值电流约为24 A,斜率效率达到1.25 W/A,最大电-光转换效率达到51%。
- 高欣张晶李辉曲轶薄报学
- 关键词：激光器半导体激光器阳极氧化应变量子阱
- ZnSe光学薄膜对GaAs表面特性的影响
- 2013年
- GaAs基半导体激光器芯片在空气中解理后,解理腔面会被空气氧化形成腔面缺陷,在腔面形成的缺陷严重影响了器件的寿命。用GaAs衬底表面模拟半导体激光器的解理腔面,研究了不同的光学薄膜对GaAs表面特性的影响。研究结果表明暴露在大气中的GaAs表面会形成Ga2O3、As2O3和As2O5缺陷。在表面镀含氧光学膜的GaAs表面上会形成少量Ga2O3缺陷,不形成As2O3和As2O5缺陷,在表面镀ZnSe光学薄膜的GaAs表面没有形成Ga2O3缺陷,也没有形成As2O3和As2O5缺陷。在GaAs表面上蒸镀ZnSe光学薄膜能有效地抑制GaAs表面缺陷的形成,提高半导体激光器的寿命。
- 李再金李特芦鹏王勇李林曲轶薄报学刘国军马晓辉
- 关键词：半导体激光器GAAS表面ZNSE
- 一种双靶射频磁控共溅射超硬、高效导热、低吸收Al<Sub>x</Sub>Si<Sub>y</Sub>N膜的方法
- 本发明之一种双靶射频磁控共溅射超硬、高效导热、低吸收Al<Sub>x</Sub>Si<Sub>y</Sub>N膜的方法属于薄膜技术领域。该领域已知同类薄膜不足之处是硬度低、导热差、光吸收大等缺点，限制了相关领域中的应用。...
- 乔忠良薄报学高欣张斯玉徐扬张秀曲轶芦鹏李辉李占国刘国军
- 定位生长量子点的金字塔形衬底的制备
- 2017年
- 在理想情况下,单光子是由量子点单光子源发光产生的。量子点单光子发射器件的制作主要利用自组织生长方法在图形衬底上结合光学微腔结构实现。采用金字塔形衬底制备量子点可实现量子点的高定位生长,该方法易于制备和隔离单光子源量子点。利用金字塔形衬底不但可以解决多个量子点占据同一个位置的问题,而且在金字塔形衬底上制备的量子点有利于光子的发射和收集。
- 李占国王勇尤明慧高欣李再金李特刘国军曲轶
- 关键词：光学设计量子点
- 自绝缘氧化限制型850nm垂直腔面发射激光器
- 2011年
- 介绍了一种制作氧化限制型垂直腔面发射激光器的新途径,自绝缘工艺。采用该工艺制作了氧化限制型850nm VCSELs。详细地介绍了自绝缘器件的工作原理和制作流程,并对侧氧化相关参数进行了实验研究。在此基础上,制备了不同出光孔径的850nm VCSELs器件,测得出光孔径12μm的器件最大输出功率达到10mW,微分量子效率达到43%。对不同出光孔径的器件输出特性进行了对比,并分析了产生输出特性差异的原因。
- 李特郝二娟王勇芦鹏李再金李林曲轶刘国军
- 关键词：NM功率
- 一种新型的紫外发光二极管结构
- 新型的紫外发光二极管结构，涉及紫外发光二极管的外延结构设计制作领域。该领域中至今外延片质量很差。其晶格适配严重和大量载流子从活跃区泄漏到P型层中，导致发光二极管的效率低下。该发明中，采用蓝宝石C面为衬底，首先生长AlN缓...
- 赵志斌曲轶张晶
- 文献传递
- 大功率GaAs基半导体激光器腔面膜一次性制备技术
- 2014年
- 大量研究表明,大功率半导体激光器失效的一个主要表现就是半导体激光器的腔面退化,而空气中的灰尘与腔面氧化变质是其主要诱因。使用了新型的镀膜机真空室内180°自翻转机构制备半导体激光器腔面膜,大大降低半导体激光器腔面在大气条件下的暴露时间。从过程上直接降低自然氧化物和杂质产生的几率,减少腔面自然氧化物的诱导缺陷和杂质的非辐射复合中心。从大功率半导体激光器腔面膜一次性制备实验的结果表明,该技术制备的半导体激光器外推寿命对比常规实验提高了12.56%,同时还有效的提高了器件的最大输出功率。
- 芦鹏李再金曲轶马晓辉
- 关键词：大功率半导体激光器
- GaAs基半导体激光器真空解理钝化工艺研究被引量：3
- 2014年
- 对GaAs基半导体激光器真空解理钝化工艺进行了研究,发现在高真空条件下解理和钝化GaAs基半导体激光器能有效减少激光器腔面缺陷,从而抑制非辐射复合。通过测试光致发光(PL)谱线和X射线光电子能谱(XPS)发现,经过超高真空解理钝化的GaAs基半导体激光器bar条的光致发光特性比没有经过真空解理钝化获得比较大的提升,并且bar条表面污染率有很大改观。对真空解理钝化工艺的钝化膜的厚度进行了优化。
- 王鑫曲轶高婷徐正文赵懿昊刘素平马骁宇李尧
- 关键词：半导体激光器钝化腔面
- 一种分布布拉格反射器半导体激光器光栅制备工艺
- 高功率1064nm分布布拉格反射器半导体激光器(DBR‑LD)属于半导体光电子器件领域，常规的半导体激光器输出功率易受环境温度影响。另外,分布反馈布拉格半导体激光器(DFB‑LD)需要二次外延生长，相比于DBR‑LD工艺...
- 李辉都继瑶曲轶郭海侠石宝华高峰
- 文献传递
- 940nm高功率列阵半导体激光器
- 利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱材料。利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续(500μs，100Hz)输出功率达到27W（室温），峰值波长为939～941nm，并分析了影响列阵半导...
- 曲轶薄报学高欣
- 关键词：分子束外延半导体激光器输出功率
- 文献传递
