何安和
- 作品数：5 被引量：8H指数：2
- 供职机构：华南师范大学更多>>
- 发文基金：广东省自然科学基金广东省科技计划工业攻关项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程冶金工程更多>>
- 表面粗化技术用于提高LED发光效率的研究
- 发光二极管具有省电、轻巧、寿命长、抗冲击能力强等特点，上世纪70年代开始商业化之后便快速朝高辉度、多色化以及高发光效率方向发展，由于技术的突破使得LED的用途从早期的显示、广告为主转移到半导体照明领域，尤其是高功率白光L...
- 何安和
- 关键词：发光二极管ICP刻蚀镍纳米粒子出光效率
- 文献传递
- Ni纳米粒子掩膜用于提高GaN基LED出光率的研究被引量：2
- 2010年
- 以无水乙醇为溶剂、柠檬酸为分散剂,用超声分散技术配制Ni纳米粒子分散液;将分散液用旋涂的方法在GaN基发光二极管(LED)的ITO电流扩展层上制备单层Ni纳米粒子掩膜,采用ICP(inductively coupledplasma)干法刻蚀技术在ITO层上制作出表面粗化的结构。在20 mA工作电流下,与普通GaN基LED相比,这种ITO表面粗化的GaN基LED芯片发光强度提高了30%,并且对器件的电性能影响很小。结果表明,该表面粗化技术是一种工艺简单、成本低和能有效提高LED发光效率的方法。
- 何安和何苗朱学绘陈献文范广涵章勇
- 关键词：发光二极管(LED)ICP刻蚀出光效率
- 一种GaN基LED芯片结构中p-GaN层或ITO层的表面粗化方法
- 本发明公开了一种GaN基LED芯片结构中p-GaN层或ITO层的表面粗化方法。该方法包括如下步骤：(1)在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、n-GaN层、多量子阱层、p-GaN层的层叠式结构和蒸镀IT...
- 何安和章勇何苗范广涵
- 文献传递
- 一种GaN基LED芯片结构中p-GaN层或ITO层的表面粗化方法
- 本发明公开了一种GaN基LED芯片结构中p-GaN层或ITO层的表面粗化方法。该方法包括如下步骤：(1)在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、n-GaN层、多量子阱层、p-GaN层的层叠式结构和蒸镀IT...
- 何安和章勇何苗范广涵
- SiO_2-YAG:Ce^(3+)玻璃荧光体的制备及其白光LED的封装被引量：6
- 2010年
- 采用溶胶-凝胶工艺,以正硅酸乙酯(TEOS)和乙烯基三乙氧基硅烷(VTES)为硅源,以VTES中的乙烯基(CHCH2)为有机改性剂,反应过程中掺入YAG:Ce3+荧光粉,制备出有机改性的SiO2-YAG:Ce3+玻璃荧光体.用X射线衍射仪、光致发光激发谱、光致发光谱和傅里叶红外光谱等测试手段对这种玻璃荧光体进行表征.结果表明:玻璃荧光体主相为Y3Al5O12,该荧光体可以很好地被460nm蓝光激发,发射出550nm的黄光.该玻璃荧光体封装蓝光芯片所得的白光LED器件具有良好的显色性、光通量、流明效率和光强分布.研究结果表明,SiO2-YAG:Ce3+玻璃荧光体是一种潜在的白光LED封装用荧光材料.
- 朱学绘范广涵何安和陈献文何苗章勇
- 关键词：溶胶-凝胶白光LED荧光体封装
