余丽波
- 作品数：11 被引量：0H指数：0
- 供职机构：西南技术物理研究所更多>>
- 发文基金：上海市科学技术委员会基础研究重点项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 双层掺杂层硅基薄膜太阳电池
- 本发明涉及一种双层结构掺杂层的硅基薄膜太阳电池，在双层结构的p型掺杂的硅层与双层结构的n型掺杂的硅层中，与本征硅层相邻较近的掺杂的硅层的光学带隙比与其相邻的离本征硅层较远的同型掺杂的硅层的光学带隙大，但其带隙差值不大于0...
- 余晨辉余丽波覃文治石柱王鸥
- 文献传递
- 多象限光电探测器测试系统信息化集成的设计与实现
- 2005年
- 描述了在多象限光电探测器测试系统中,采用计算机网络技术和测试设备的编程接口,实现测试设备的自动控制和测试数据的自动采集,并应用数据库技术,对测试数据进行统计和分析,不仅提高了测试效率,而且实现了对工艺的优化控制.
- 钟时俊陈明能余丽波周小燕
- 关键词：测试系统数据库
- 一种用于加宽红外增强透射谱的薄膜金属结构
- 本发明公开了一种用于加宽红外增强透射谱的薄膜金属结构，其包括：本底，本底上形成有狭缝或者二维孔阵列；本底上为狭缝时，相邻狭缝距离渐变且成周期性变化；本底上为二维孔阵列时，相邻列孔间距渐变且成周期性变化，相邻行孔间距渐变且...
- 谢修敏宋海智徐强代千陈剑袁鎏张伟余丽波
- 文献传递
- 一种用于加宽红外增强透射谱的薄膜金属结构
- 本实用新型公开了一种用于加宽红外增强透射谱的薄膜金属结构，其包括：本底，本底上形成有狭缝或者二维孔阵列；本底上为狭缝时，相邻狭缝距离渐变且成周期性变化；本底上为二维孔阵列时，相邻列孔间距渐变且成周期性变化，相邻行孔间距渐...
- 谢修敏宋海智徐强代千陈剑袁鎏张伟余丽波
- 文献传递
- 一种提高硅APD制结工艺精度的方法
- 本发明涉及一种提高硅APD制结工艺精度的方法，其中，包括：活性区p、正面接触层n<Sup>+</Sup>、背面接触层p<Sup>+</Sup>制结工艺温度依次降低，工艺时间依次减少，以减少多步高温工艺对结深造成误差积累；...
- 邓杰王鸥李潇郝昕余丽波谢修敏刘从吉宋海智
- 基于实值降阶的单基地FDA-MIMO雷达距离角度联合估计方法
- 本发明涉及一种基于实值降阶的单基地FDA‑MIMO雷达距离角度联合估计方法，属于FDA‑MIMO雷达研究技术领域。本发明基于实值降阶方法，利用正反向平均和酉变换技术将复值接收模型转化为实值接收模型，把原本复杂的复数运算转...
- 杨赟秀刘润东舒勤高军童静呙长冬陈剑柯尊贵寇先果余丽波
- 文献传递
- 双层掺杂层硅基薄膜太阳电池
- 本发明涉及一种双层掺杂层硅基薄膜太阳电池，在p型与n型掺杂层中，与本征层相邻较近的层的光学带隙比相邻较远的层的光学带隙大，但其带隙差值不大于0.45eV。双层掺杂层结构光学带隙的不同是按照匹配原理来排列不同材料实现，或改...
- 余晨辉余丽波覃文治石柱王鸥
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- 高纯锗中浅受主的光热电离光谱
- 2008年
- 在液氦温度附近,运用傅里叶变换光谱以及与之相连的磁光光谱系统,对室温电阻率约为50Ω·cm的p型高纯锗样品进行了高灵敏度的光热电离光谱的研究.从实验上确定了高纯锗样品中浅杂质光热电离的最佳温度范围,在该温度范围内测量了样品的光热电离光谱,指出该样品中主要杂质为浅受主硼与铝.对杂质谱线发生分裂的两种原因,补偿性杂质导致的快速复合以及随机应力等,进行了分析讨论.
- 余晨辉张波余丽波李亚军陆卫沈学础
- 关键词：高纯锗光热电离光谱
- 高纯硅中补偿性杂质的光热电离光谱
- 2008年
- 首先测量了高纯n型硅样品在接近液氦温度区域内随温度变化的光热电离光谱,确定了硅样品的最佳光热电离温度范围.在该温度范围内,在有本征带隙光照射条件下,测量了样品的高分辨率光热电离光谱,同时观察到了来自主要浅杂质施主磷以及补偿性杂质硼的正信号.随后,应用外加磁场,对硼的光热电离光谱进行了研究,发现来自硼的光热电离信号,在外加磁场作用下,发生了由正向负信号的转变.通过对该现象进行分析讨论,排除了该现象是温度效应的可能,指出普遍用来解释补偿性杂质光热电离响应的Darken模型存在不足,而少数载流子快速复合模型能正确解释外加磁场作用后产生的现象,得到了实验的支持.
- 余晨辉张波余丽波李亚军陆卫沈学础
- 关键词：高纯硅光热电离光谱
- 一种提高硅APD制结工艺精度的方法
- 本发明涉及一种提高硅APD制结工艺精度的方法，其中，包括：活性区p、正面接触层n<Sup>+</Sup>、背面接触层p<Sup>+</Sup>制结工艺温度依次降低，工艺时间依次减少，以减少多步高温工艺对结深造成误差积累；...
- 邓杰王鸥李潇郝昕余丽波谢修敏刘从吉宋海智
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