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用于砷化镓器件的氮化铝薄膜特性被引量：3: 1993年; 研究了S-枪磁控反应溅射制备的AlN薄膜的晶体结构、组分以及薄膜的电学特性。用Raman散射方法检测了AlN与GaAs。SiON与GaAs的界面应力,并用AES方法对比研究了AlN/GaAs,SiON/GaAs经800C快速热退火前后两种薄膜对GaAs的掩蔽作用。高温快速热退火后,SiON保护层对GaAs掩蔽失效、界画应力大;而AlN薄膜界面应力小,能有效地防止Ga,As的外扩散。表明AlN对GaAs集成电路技术是一种非常好的绝缘介质、钝化和保护材料。; 高玉芝尹红坤宁宝俊李婷张利春侯永田张树霖; 关键词：钝化层半导体器件氮化铝薄膜

多孔硅的电化学制备(英文)被引量：3: 1992年; 单晶硅在氢氟酸溶液中阳极氧化可制得多孔硅,多孔硅是一种以新形态存在的硅,与单晶硅相比,它表现出独特的物理性质和化学活性。荧光光谱峰的蓝移表明,在p-型低掺杂衬底硅上形成的多孔硅中存在量子尺寸效应,新近获得的Raman光谱也证实了这一点。; 钱必东察生民侯永田何国山张树霖; 关键词：多孔硅电化学荧光光谱散射谱

深亚微米MOS器件中栅介质层的直接隧穿电流(英文)被引量：6: 2002年; 在 WKB近似的理论框架下 ,提出了一个 MOS器件中栅介质层直接隧穿电流的模型 .在这个模型中 ,空穴量子化采用了一种改进的单带有效质量近似方法 ,这种方法考虑了价带的混合效应 .通过与试验结果的对比 ,证明了这个模型可以适用于 CMOS器件中电子和空穴的隧穿电流 .还研究了介质层能隙中的色散对隧穿电流的影响 .; 侯永田李名复金鹰; 关键词：MOSFET 直接隧穿电流量子效应深亚微米MOS器件

低维纳米材料以及拉曼光谱为重点的光谱学与物理性研究: 张树霖金鹰侯永田杨昌黎贾霖何国山李碧波黄福敏李红东净妍张林顾镇南施祖进王迅; 该课题是国际上最早鉴认出超晶体大部分声子模以及多孔硅、si量子线、siC/TaC纳米素、单根量子阱线等典型的非极性和极性半导体纳米材料的本征拉曼谱，并总结出了低维纳米体系光谱的基本特征和提出了相应的理论模型。国际上首先...; 关键词：; 关键词：低维纳米材料多孔硅

化学氧化对多孔硅表面态和光致发光的影响被引量：7: 1994年; The changes in photoluminescence and FTIR spectra of porous silicon subjected to oxidation were exdrined. With the increase of okidizing duxation, the relative amount of the Si-H2 surface species on PS decreases even though the photoluminescence intensity increases. the result suggests that it isn’t SiH2 but Si-O and Si-O-Si on theinterface of PS play a key role in enhancing the pllotoluminescence. A complete photoluminescence mechanism should consider the influence of su-rface state of porous silicon based on the quantum codriement effect model.; 李经建刁鹏蔡生民侯永田王昕张树霖; 关键词：多孔硅光致发光化学氧化表面态

(CdSe)_l(ZnSe)_3/ZnSe短周期超晶格多量子阱的共振Ramam谱被引量：2: 1993年; 在(CdSe)_1(ZnSe)_3/ZnSe短周期超晶格多量子阱中,根据一维线性链模型计算的结果与实验结果的比较表明,我们在不同的共振条件下分别观察到了来自多量子阱的阱中和垒中ZnSe限制纵光学声子模的Raman散射。与GaAs/AlAs量子阱的偏振选择定则不同,在共振条件下,我们在两种偏振配置下都观察到了阱中ZnSe限制模LO_1,并认为这种不同可能来源于样品特殊的电子子带结构和光学声子行为。; 侯永田何国山张树霖彭中灵李杰袁诗鑫; 关键词：超晶格半导体喇曼效应

CdTe/ZnTe超晶格的多声子共振喇曼谱研究: 1992年; 用共振喇曼散射研究了CdTe/ZnTe应变层超晶格的多声子谱.实验结果表明,我们首次观察到了多达10级的ZnTeLO的多声子喇曼散射,和反映超晶格结构的子带跃迁介入多声子共振喇曼散射过程的实验现象.; 张树霖侯永田申猛燕张小洁李杰袁诗鑫; 关键词：应变层超晶格喇曼谱

Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格中周期不均匀对折叠声学声子拉曼线宽的影响: 1993年; 本文报导了在 Ge_Si_(1-x)/Si 超晶格中观察到了超晶格周期不均匀导致的折叠声学声子拉曼谱线展宽,这种谱线展宽与折叠指数(m)有关,折叠声学声子的谱线越宽,m 相同的折叠声学声子具有相同的线宽。; 金鹰侯永田张树霖秦国刚周国良樊永良俞鸣人; 关键词：超晶格喇曼效应

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