袁诗鑫
- 作品数：28 被引量：25H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的电极引接损伤研究
- 1993年
- 从柱形流变模型出发讨论了压焊引接电极时受压面的压强分布、压力损伤半径和深度以及超声压焊时的损伤,并讨论了GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的超声压焊的压力损伤和In球熔焊的Au丝力损伤。
- 黄醒良方晓明沈学础袁诗鑫
- 关键词：熔焊红外探测器
- (CdTe)_m(ZnTe)_n-ZnTe多量子阱结构的静压光致发光和共振喇曼散射研究
- 1993年
- (CdTe)_m(ZnTe)_n-ZnTe多量子阱是由(CdTe)_m(ZnTe)_n短周期超晶格限制在ZnTe势垒中组成的新结构。它可以提高CdTe/ZnTe异质生长的临界厚度。静压下的光致发光研究表明加压后(CdTe)_m(ZnTe)_n超晶格和ZnTe势垒层的光致发光峰分别以8.80和 9.47meV/kbar的速率向高能移动。利用这种静压下的带隙变化,实现了与514.5和488.0nm激发光的共振喇曼散射。观察到高达4阶的多声子共振喇曼散射。并发现与(CdTe)_m(ZnTe)_n超晶格共振时的类ZnTe LO声子模频率比与ZnTe热垒共振时的ZnTe LO声子频率低1.4cm^(-1)。反映了在(CdTe)_m(ZnTe)_n超晶格中LO声子的局域效应。
- 李国华韩和相汪兆平李杰何力袁诗鑫
- 关键词：量子阱结构光致发光
- MBE生长的p－Hg_（1－x）Cd_xTe外延薄膜变磁场下的Hall系数及电导率
- 1995年
- 本文报道了利用分子束外延技术在ＧａＡｓ（２１１）Ｂ衬底上生长Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ／ＣｄＴｅ异质结，并通过ＶａｎｄｅｒＰａｕｗ（ＶｄＰ）方法测量Ｐ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜在不同温度及磁场下Ｈａｌｌ系数和电导率，采用最小二乘法对实验数据下行拟合，得到了混合导电机制下电子、重空穴和轻空穴的迁移率及载流子浓度．
- 杜庆红何力袁诗鑫
- 关键词：MBE法电导率
- 分子束外延生长晶格匹配HgSe／ZnTe超晶格
- 1994年
- 提出并生长了晶格匹配的ＨｇＳｅ／ＺｎＴｅ超晶格系统，红外透射测试表明其禁带宽度落在红外波段的能量范围，将Ｚｈｕ的关于ＺｎＳｅＭＢＥ生长模型加以推广，讨论了生长温度和束流条件对ＨｇＳｅＭＢＥ生长的影响。
- 彭中灵袁诗鑫
- 关键词：分子束外延红外材料超晶格半导体
- 超晶格（CdTe－ZnTe）／ZnTe／GaAs（001）红外材料的X射线测定
- 1994年
- 用Ｘ射线衍射并结合Ｘ射线动力学衍射理论模型的计算机模拟方法，对简单和复杂两种结构的（ＣｄＴｅ－ＺｎＴｅ）／ＺｎＴｅ／ＧａＡｓ（００１）应变超晶格材料的结构和完整性进行了研究，得到了它的结构参数．
- 钟福民陈京一朱南昌李杰袁诗鑫
- 关键词：X射线衍射红外材料
- HgTe／CdTe超晶格的分子束外延生长和电容－电压谱研究被引量：1
- 1994年
- 在ｐ－型ＨｇＴｅ／ＣｄＴｅ超晶格材料上制作金属－绝缘体－半导体（ＭＩＳ）结构．报道了ＨｇＴｅ／ＣｄＴｅ超晶格的分子束外延生长、器件制作和测量结果．研究表明，比较宽的ＣｄＴｅ势垒阻碍了少子（电子）到界面的迁移，在７７Ｋ强反型区域的低频电容不能达到绝缘层电容，类似于普通ＭＩＳ器件的高频Ｃ—Ｖ曲线．
- 邱岳明刘坤袁诗鑫
- 关键词：超晶格分子束外延MIS系统
- Ge/ZnSe(100)异质结能带偏移的同步辐射光电子能谱研究被引量：2
- 1997年
- 利用同步辐射光电子能谱研究了Ｇｅ／ＺｎＳｅ（１００）极性界面的能带连接问题．表面灵敏的芯能级谱显示出Ｇｅ原子与Ｓｅ原子在界面处存在较弱的化学反应．利用芯能级技术，测量了该异质结的价带偏移，为１７６±０１ｅＶ．用界面键极性模型对ＺｎＳｅ（１００）极性表面对价带偏移的影响进行了讨论。
- 班大雁方容川杨风源袁诗鑫徐世宏徐彭涛
- 关键词：半导体异质结光电子能谱锗
- GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的特性研究被引量：3
- 1993年
- 测量了GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的伏安特性I_b(T_D,V_b)、黑体光响应电压V_S(T_D,T_B,V_b)和噪声电压V_N(T_D,V_b),由此获得器件的黑体电压响应率R_(VB)(T_D,V_b)和探测率D_B~*(T_D,V_b)并用Lorentz光响应线形对V_S(T_D,T_B,V_b)拟合给出器件的光电流谱的峰值波长λ_P和半峰宽λ_w。
- 黄醒良方晓明陆卫沈学础李言谨袁诗鑫周小川
- 关键词：多量子阱红外探测器
- ZnSeTe/ZnSe量子阱中Te等电子陷阱的静压光子发光谱研究
- 2002年
- 测量了ZnSe0 .92 Te0 .0 8 ZnSe超晶格量子阱材料在 77K时 0～ 7.8GPa静压下的光致发光谱 .观察到ZnSe0 .92Te0 .0 8阱层中Te等电子陷阱上的束缚激子发光 ,发现它的压力系数比ZnSe带边发光的压力系数小约 5 0 % ,表明Te等电子陷阱对激子的束缚势是相当局域的 .还观察到了激子在ZnSe0 .92 Te0 .0 8阱层中的Te等电子陷阱能级与相邻 (CdSe) 1 (ZnSe) 3
- 方再利李国华韩和相丁琨陈晔彭中灵袁诗鑫
- 关键词：TE光致发光谱静压ZNSE硒化锌
- (CdTe—ZuTe)/ZnTe/GaAs(100)超晶格结构的X射线测定
- 1993年
- 用X射线衍射,并结合X射线动力学衍射理论模型的计算机模拟方法,对(CdTe-ZnTe)/ZnTe/GaAs(100)应变超晶格材料的结构进行了研究,得到了其结构参数和信息.
- 钟福民陈京一朱南昌李杰袁诗鑫
- 关键词：X射线衍射超晶格
