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彭中灵

作品数：10 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 4篇理学

主题

  • 7篇晶格
  • 7篇超晶格
  • 5篇ZNSE
  • 4篇半导体
  • 3篇导体
  • 3篇多量子阱
  • 2篇原子层外延
  • 2篇散射
  • 2篇势垒
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇硒化锌
  • 2篇量子
  • 2篇量子效率
  • 2篇静压
  • 2篇喇曼
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇分子束外延生...
  • 2篇ZNTE
  • 2篇CDSE

机构

  • 9篇中国科学院
  • 2篇北京大学

作者

  • 10篇彭中灵
  • 8篇袁诗鑫
  • 3篇韩和相
  • 3篇李杰
  • 2篇乔怡敏
  • 2篇于梅芳
  • 2篇俞锦陛
  • 2篇郭世平
  • 2篇陈新禹
  • 2篇刘振先
  • 2篇谢钦熙
  • 2篇张树霖
  • 2篇汪兆平
  • 2篇李国华
  • 1篇侯永田
  • 1篇方再利
  • 1篇张江泉
  • 1篇李润身
  • 1篇何国山
  • 1篇朱南昌

传媒

  • 5篇红外与毫米波...
  • 1篇物理学报
  • 1篇光散射学报

年份

  • 1篇2002
  • 1篇1996
  • 3篇1995
  • 2篇1994
  • 2篇1993
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体超晶格的多声子拉曼散射研究
1995年
半导体超晶格的多声子拉曼散射研究／张树霖，杨昌黎，侯勇田（北京大学物理系北京１００８７１）彭中灵，李杰，袁诗鑫（中科院上海技物所上海２０００８３）Ｒ．Ｐｌａｎｅｌ（ＭｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓａｎｄＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＬａｂｏｒａｔｏｒ...
张树霖杨昌黎侯勇田彭中灵李杰袁诗鑫
关键词：半导体超晶格
［（Cdse）_m（ZnSe）_n］_p－Znse多量子阱中的多声子散射
1995年
对用原子层外延方法，在［００１］晶向ＧａＡｓ衬底上生长的［（Ｃｄｓｅ）ｍ（Ｚｎｓｅ）ｎ］ｐ－ＺｎＳｅ应变量子阱结构，在１０～３００Ｋ温度范围内测量了喇曼散射光谱，观察到两种类ＺｎＳｅＬＯ声子限制模．利用改变样品温度和入射光能量实现了共振喇曼散射，观察到高达７阶的类ＺｎＳｅＬＯ声子模．并讨论了多声子喇曼散射和热萤光过程的区别．
韩和相汪兆平刘振先覃文涛彭中灵袁诗鑫
关键词：碲化镉多量子阱
（ZnSe／Cdse）ZnSe／GaAs（001）多量子阱材料的X射线双晶衍
1995年
给出了通过测量３条Ｘ射线双晶衍射摇摆曲线计算多层外延材料各层成份、界面共格度及晶向偏角的方法，并对（ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ）ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ（００１）多量子阱材料的结构、应变及界面进行了研究．结果表明：ＺｎＳｅ缓冲层与衬底之间的界面共格度接近干零，而多量子阱部分与缓冲层之间的界面接近完全共格，表明多量子阱结构有较好的结构完整性．缓冲层与衬底之间有晶向偏角，而多量子阱结构与缓冲层之间无晶向偏角．在复杂多量子阱材料的摇摆曲线上未见内周期的卫星衍射峰．多量子阱实际的生长厚度比设计厚度小２０％～３０％，说明生长过程中存在表面原子的逃逸，致使样品的不同部位存在组份、厚度的不均匀和局部的应变。还讨论了Ｘ射线衍射仪与双晶衍射仪在测定多量子阱结构时的差别．
朱南昌李润身陈京一彭中灵袁诗鑫
关键词：X射线双晶衍射多量子阱硒化镉
(CdSe)_l(ZnSe)_3/ZnSe短周期超晶格多量子阱的共振Ramam谱被引量：2
1993年
在(CdSe)_1(ZnSe)_3/ZnSe短周期超晶格多量子阱中,根据一维线性链模型计算的结果与实验结果的比较表明,我们在不同的共振条件下分别观察到了来自多量子阱的阱中和垒中ZnSe限制纵光学声子模的Raman散射。与GaAs/AlAs量子阱的偏振选择定则不同,在共振条件下,我们在两种偏振配置下都观察到了阱中ZnSe限制模LO_1,并认为这种不同可能来源于样品特殊的电子子带结构和光学声子行为。
侯永田何国山张树霖彭中灵李杰袁诗鑫
关键词：超晶格半导体喇曼效应
ZnSeTe/ZnSe量子阱中Te等电子陷阱的静压光子发光谱研究
2002年
测量了ZnSe0 .92 Te0 .0 8 ZnSe超晶格量子阱材料在 77K时 0～ 7.8GPa静压下的光致发光谱 .观察到ZnSe0 .92Te0 .0 8阱层中Te等电子陷阱上的束缚激子发光 ,发现它的压力系数比ZnSe带边发光的压力系数小约 5 0 % ,表明Te等电子陷阱对激子的束缚势是相当局域的 .还观察到了激子在ZnSe0 .92 Te0 .0 8阱层中的Te等电子陷阱能级与相邻 (CdSe) 1 (ZnSe) 3
方再利李国华韩和相丁琨陈晔彭中灵袁诗鑫
关键词：TE光致发光谱静压ZNSE硒化锌
一种蓝绿色半导体激光器材料及其制备方法
本发明提供了一种蓝绿色半导体激光器材料及其制备方法。在激光器有源区采用原子层外延方法生长原子层超晶格(量子阱)。其中作为势阱的原子层超晶格中的势阱与势垒分别用ZnSe与CdSe组成，其厚度不超过其临界厚度，消除晶格弛豫所...
袁诗鑫李杰彭中灵陈新禹俞锦陛郭世平乔怡敏于梅芳谢钦熙
文献传递
一种蓝绿色半导体激光器材料及其制备方法
本发明提供了一种蓝绿色半导体激光器材料及其制备方法。在激光器有源区采用原子层外延方法生长原子层超晶格(量子阱)。其中作为势阱的原子层超晶格中的势阱与势垒分别用ZnSe与CdSe组成，其厚度不超过其临界厚度，消除晶格弛豫所...
袁诗鑫李杰彭中灵陈新禹俞锦陛郭世平乔怡敏于梅芳谢钦熙
文献传递
分子束外延生长晶格匹配HgSe／ZnTe超晶格
1994年
提出并生长了晶格匹配的ＨｇＳｅ／ＺｎＴｅ超晶格系统，红外透射测试表明其禁带宽度落在红外波段的能量范围，将Ｚｈｕ的关于ＺｎＳｅＭＢＥ生长模型加以推广，讨论了生长温度和束流条件对ＨｇＳｅＭＢＥ生长的影响。
彭中灵袁诗鑫
关键词：分子束外延红外材料超晶格半导体
静压下（CdSe）_m／（ZnSe）_n－ZnSe超短周期超晶格量子阱的共振喇曼散射研究
1996年
在静压和液氮温度下观察到（ＣｄＳｅ）ｍ／（ＺｎＳｅ）ｎ短周期超晶格中重空穴激子的复合发光和多达４阶的类ＺｎＳｅＬＯ多声子喇曼散射，并观察到厚ＺｎＳｅ势垒层的带边发光和限制在厚势垒层中的类ＺｎＳｅＬＯ声子散射．结果表明，加压后（ＣｄＳｅ）ｍ／（ＺｎＳｅ）ｎ短周期超晶格中的类ＺｎＳｅ的１ＬＯ和２ＬＯ声子模频率分别以３．７６和７．１１ｃｍ－１／ＧＰａ的速率向高频方向移动，超晶格阱层光致发光峰的压力系数为５９．８ｍｅＶ／ＧＰａ．与（ＣｄＳｅ）ｍ／（ＺｎＳｅ）ｎ短周期超晶格共振时的类ＺｎＳｅ１ＬＯ声子模频率比与ＺｎＳｅ势垒层共振时的类ＺｎＳｅ１ＬＯ声子模频率低２．０ｃｍ－１。
张江泉刘振先汪兆平韩和相李国华彭中灵袁诗鑫
关键词：喇曼散射静压硒化锌
ZnSe基短周期超晶格量子阱和HgSe-ZnTe超晶格的MBE生长研究
彭中灵
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