您的位置: 专家智库 > >

关安民

作品数:16 被引量:3H指数:1
供职机构:中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信核科学技术更多>>

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 4篇会议论文

领域

  • 10篇电子电信
  • 3篇核科学技术

主题

  • 13篇离子注入
  • 5篇注入机
  • 5篇离子注入机
  • 4篇离子
  • 3篇低能
  • 3篇砷化镓
  • 3篇离子源
  • 3篇国产化
  • 3篇SI
  • 3篇
  • 3篇GAAS
  • 2篇有源层
  • 2篇退火
  • 2篇SIF
  • 2篇超薄
  • 2篇超薄有源层
  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体发射
  • 1篇等离子体密度
  • 1篇低能离子

机构

  • 15篇中国科学院上...
  • 1篇复旦大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 16篇关安民
  • 5篇李钧
  • 4篇夏冠群
  • 3篇林成鲁
  • 2篇孙义林
  • 2篇江炳尧
  • 2篇朱南昌
  • 2篇蒋新元
  • 2篇沈鸿烈
  • 1篇周建中
  • 1篇陈良尧
  • 1篇余笑寒
  • 1篇刘静怡
  • 1篇石双惠
  • 1篇俞跃辉
  • 1篇周筑颖
  • 1篇邹世昌
  • 1篇朱文玉
  • 1篇王渭源
  • 1篇周祖尧

传媒

  • 5篇核技术
  • 3篇微细加工技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇电子学报
  • 1篇中国科学(A...
  • 1篇上海微电子技...
  • 1篇中国电工技术...
  • 1篇中国电工技术...
  • 1篇第六届全国电...
  • 1篇1988年中...

年份

  • 1篇1997
  • 2篇1996
  • 2篇1994
  • 2篇1993
  • 4篇1991
  • 3篇1989
  • 1篇1988
  • 1篇1986
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
对引进离子注入机损坏部件进行国产化替换的尝试
引进了不少离子注入机,维修问题日渐重要,对其损坏部件,用国产配件进行替换,不乏为又快又省的维修方法。该文叙述了九年多来,作者在维修IM-200M型离子注入机的实践中,对损坏的吸极电源,氟里昂热交换器和化学机械泵等重要部件...
黄克铃关安民任晋成
关键词:电源换热器零部件
GaAs低能Si^+及SiF^+离子注入研究
1993年
本文对30keV Si^+和分子离子S_1F^+注入半绝缘GaAs的行为进行了研,究注入Si^+样品的Si原子纵向分布,与相同条件下用SICT模拟程序理论计算出的分布相一致,经灯光900℃10秒RTA,电激活率可达60%,电化学C—V测得的载流子纵向分布与注入态SIMS结果相同,可以获得近0.2μm的GaAS有源层。而注入分子离子SiF^+样品,虽注入层较浅,但灯光退火后,电激活率很低。因此,用分子离子SiF^+注入以形成GaAs超薄有源层是不相宜的。此外,根据X—射线双晶衍射的结果还对GaAs注入Si^+和SiF^+的退火行为进行了讨论。
关安民李钧石华君夏冠群沈鸿烈江炳尧朱南昌陈酋善
关键词:离子注入砷化镓
25keV AS~+大倾斜角注入的损伤分析
1994年
通过25keV的As+注入硅中.用背散射沟道分析技术和椭圆偏振光测量技术分析了在倾斜角分别为7°、15°、30°、45°和60°时的损伤分布,揭示了大倾斜角注入在注入能量较低时的一些物理现象.
何治平周祖尧关安民朱文玉江炳尧施左宇林成鲁钱佑华陈良尧苏毅
关键词:离子注入
对引进离子注入机损坏部件进行国产化替换的尝试
1991年
国内引进了不少离子注入机,维修问题日渐重要。对其损坏部件,用国产配件进行替换,不乏为又快又省的维修方法。本文叙述了八年多来,我们在维修IM—200M型离子注入机的实践中,对损坏的吸极电源、氟里昂热交换器和化学机械泵等重要部件,用自制的或改制的国内配件进行替换,从而保证了设备安全运行二万五千多小时,注入八万五千多块硅及GaAs靶片,完成了集成电路研制和开发任务。
黄克铃任晋成孙少康周荣祥经文春关安民
关键词:离子注入机国产化
在线Nielsen源的研制
1996年
描述如何简单地把标准Nielsen源改建成在线离子源,对它的一些性能进行测试并与标准离子源作了比较,讨论了它们的差别和产生的原因。实验结果表明,两离子源的放电特性无差别,改建后的离子源可考虑用来进行整体靶离子源试验。
顾嘉辉张步发周建中陆嵘余笑寒刘静怡石双惠关安民石华君李钧
关键词:离子源轴向磁场
低能离子注入的应用
1996年
集成电路的发展要求制备出超浅结或超薄有源层,以满足器件高密度和高速度的要求,低能离子注入是形成浅结的最有效手段,本文介绍了低能离子注入硅和GaAs衬底中形成0.1μm以下的硅超浅结和GaAs超薄有源层,以及它们在一-些器件上应用的结果。
关安民罗潮渭李钧石华君林成鲁夏冠群
关键词:低能离子注入超浅结超薄有源层
321型束流剖面监测仪在离子束技术中的应用
1986年
束流剖面监测仪是监测带电粒子束在传输过程中状态变化的一种装置。该装置的叶片式探针(以下简称探针)安装在粒子加速器、同位素分离器和离子注入机等监测位置上并由它把截获的信号显示在示波器屏上便可观察到沿束横截面束流密度分布曲线(以下简称束形)。通过束形变化我们可定性地判断束流强度、束流品质和它在束管道中的相对位置等。因此,它在国外各种类型的粒子加速器上广为使用。
孙义林关安民
关键词:离子源等离子体密度
820离子源在600kV离子注入机上的应用
1989年
文章报道了820离子源在600kV离子注入机上的应用。已经从820离子源引出了20个以上的离子品种应用于半导体、金属和绝缘体的材料改性研究。还讨论了离子束流污染问题。
关安民孙义林耿海阳李钧蒋新元
关键词:离子源离子注入机高能
低能全元素离子注入机被引量:2
1993年
本文介绍了一台低能全元素离子注入机。它的能量范围为5~60keV;离子品种是从~1H到^(209)Bi;最低能量5keV的As^+、Se^+等重离子的靶流为2~5μA;注入靶片φ50;注入均匀度σ<3%;注入温度:室温~400℃可调。已制备出0.1μm以下的GaAs超薄有源层和硅超浅结。
关安民李钧石华君罗潮渭夏冠群
关键词:离子注入机超薄有源层掺杂
对引进离子注入机损坏部件进行国产化替换的尝试
国内引进了不少离子注入机,维修问题日渐重要,对其损坏部件,用国产配件进行替换,不乏为又快又省的维修方法.本文叙述了九年多来,我们在维修IM-200M型离子注入机的实践中,对损坏的吸极电源,氟里昂热交换器和化学机械泵等重要...
黄克铃关安民任晋成孙少康周荣祥经文春
文献传递
共2页<12>
聚类工具0