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夏冠群

作品数：140 被引量：241H指数：7
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 111篇期刊文章
  • 16篇会议论文
  • 9篇专利
  • 4篇科技成果

领域

  • 114篇电子电信
  • 6篇自动化与计算...
  • 5篇电气工程
  • 5篇理学
  • 3篇交通运输工程
  • 2篇机械工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 51篇砷化镓
  • 27篇GAAS
  • 25篇电路
  • 22篇MESFET
  • 15篇晶体管
  • 14篇离子注入
  • 13篇探测器
  • 12篇雷达
  • 12篇红外
  • 11篇阈值电压
  • 11篇红外探测
  • 11篇红外探测器
  • 8篇SI
  • 7篇异质结
  • 7篇双极晶体管
  • 7篇旁栅效应
  • 7篇均匀性
  • 7篇半导体
  • 6篇GA
  • 6篇X

机构

  • 87篇中国科学院上...
  • 58篇中国科学院
  • 13篇南京电子器件...
  • 10篇合肥工业大学
  • 5篇苏州大学
  • 4篇湖南大学
  • 4篇西安交通大学
  • 2篇上海交通大学
  • 1篇复旦大学
  • 1篇南京理工大学
  • 1篇杭州电子科技...
  • 1篇上海信耀电子...

作者

  • 140篇夏冠群
  • 18篇赵建龙
  • 13篇程知群
  • 12篇张有涛
  • 11篇李拂晓
  • 10篇刘文超
  • 10篇李洪芹
  • 10篇詹琰
  • 9篇赵福川
  • 9篇金昶明
  • 9篇毛友德
  • 9篇盛怀茂
  • 8篇孙晓玮
  • 8篇李冰寒
  • 8篇黄文奎
  • 8篇高建峰
  • 8篇丁勇
  • 7篇杨乃彬
  • 7篇范恒
  • 6篇朱朝嵩

传媒

  • 34篇Journa...
  • 16篇功能材料与器...
  • 14篇固体电子学研...
  • 10篇电子学报
  • 7篇第十二届全国...
  • 4篇红外与毫米波...
  • 3篇半导体技术
  • 3篇物理学报
  • 2篇太阳能学报
  • 2篇微电子学与计...
  • 2篇应用科学学报
  • 2篇半导体杂志
  • 2篇微电子技术
  • 2篇微细加工技术
  • 2篇2004全国...
  • 2篇全国化合物半...
  • 2篇中国有色金属...
  • 1篇半导体情报
  • 1篇机械工程学报
  • 1篇仪器仪表学报

年份

  • 4篇2006
  • 15篇2005
  • 10篇2004
  • 6篇2003
  • 20篇2002
  • 14篇2001
  • 22篇2000
  • 20篇1999
  • 5篇1998
  • 5篇1997
  • 3篇1996
  • 2篇1995
  • 2篇1994
  • 4篇1993
  • 3篇1992
  • 2篇1991
  • 1篇1990
  • 2篇1989
共 140 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
FMCW毫米波防撞雷达系统被引量：24
2001年
介绍了主动汽车防碰撞 ＦＭＣＷ毫米波雷达系统原理，报导了我们研制的 ＳＡＥ—１００型毫米波防碰撞雷达样机。
盛怀茂夏冠群孙晓伟李洪芹李玉芳
关键词：毫米波雷达FMCW
Au/Ti/W/Ti与n-GaAs欧姆接触的特性研究被引量：1
2003年
用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Au/Ti/W/Ti多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触,用传输线法对其比接触电阻进行了测试,并利用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射图谱(XRD)对接触的微观结构进行了研究。结果表明该接触在700℃时比接触电阻为1.5×10^(-4)Ω·cm^2,快速合金化后呈现欧姆特性可能与接触界面处生成的TiAs相有关。
刘文超李冰寒周健夏冠群
关键词：砷化镓欧姆接触俄歇电子能谱XRD
2Gbps GaAs单片4bit数模转换器的设计与实现
2006年
详述了单片超高速2G bps G aA s 4b it数模转换器(DAC)的设计、制造及测试。在南京电子器件研究所标准76 mm G aA s工艺线采用0.5μm全离子注入M ESFET工艺完成流片。芯入输入输出阻抗实现在片50Ω匹配。4 b it DAC的微分非线性(DN L)为±0.22最低有效位(LSB),积分非线性(IN L)为±0.45LSB,达到5.2 b it的转换精度。该单片电路提供差分互补输出,长周期输出特性无漂移。其最高转换速率可达2 G bps,建立时间小于250 ps,电路核心部分功耗为110 mW。
张有涛夏冠群高建峰李拂晓
关键词：数模转换器超高速砷化镓金属半导体场效应晶体管
砷化镓阈值电压自动测试系统的研制
2001年
介绍了砷化镓阈值电压的测试原理和测试方法,并完成了Φ3砷化镓阈值电压自动测试系统的设计与研制。该系统包括自动探针台、测量设备和相应的软件。自动探针台的定位精度为10μm,分辨率为2.4μm,速度为251mm/s。阈值电压测量精度为1mV。该系统可进行Φ3砷化镓圆片的MESFET器件参数的自动测量、存储和运算,能给出圆片的阈值电压分布图。该系统还可用于大圆片的电阻率、欧姆接触电阻、背栅电压和光敏特性等的测量。
朱朝嵩夏冠群李传海詹琰
关键词：阈值电压均匀性砷化镓自动测试系统
界面态对AlGaAs/GaAs HEMT直流输出特性的影响被引量：6
1999年
本文利用高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）的直流输出分析模型，首次定量地分析了界面态对ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ ＨＥＭＴ 直流输出特性的影响．考虑界面态的作用，详细分析了不同界面态密度对ＨＥＭＴ的ＩＶ特性和器件跨导的影响．我们的研究结果表明随着界面态密度的增加，栅极电压对电流的控制能力减小，从而使器件的跨导减小．
张兴宏程知群夏冠群徐元森杨玉芬王占国
关键词：HEMT界面态直流输出ALGAASGAAS
蒙特卡罗模拟Si^＋注入Si3N4／GaAs的射程分布和损伤分布
1994年
用蒙特卡罗方法模拟Ｓｉ＋注入Ｓｉ３Ｎ４／ＧａＡｓ的力学运动，以考察沉积在ＧａＡｓ材料表面的无定形Ｓｉ３Ｎ４阻挡层对Ｓｉ＋射程分布的影响．模拟计算和实验结果都表明，Ｓｉ３Ｎ４阻挡层能够有效地削减Ｓｉ＋在ＧａＡｓ衬底中的射程，避免沟道效应，得到浅结。但是阻挡层中也有相当数量的Ｓｉ、Ｎ原子由于与入射的Ｓｉ＋相互碰撞反冲进入ＧａＡｓ衬底。
江炳尧沈鸿烈周祖尧夏冠群邹世昌
关键词：蒙特卡罗模拟离子注入沟道效应
白光快速退火注Si￣＋砷化镓的X射线双晶衍射谱
1995年
对注Ｓｉ￣＋的ＧａＡｓ样品（注入能量１８０ｋｅＶ、剂量５×ｌ０￣（１２）～１０￣（１５）ｃｍ￣（－２）采用白光快速退火，测量其χ射线双晶衍射谱并结合背散射，Ｈａｌｌ测量结果，分析了注入引起的应变及掺杂机理。根据电学测量结果用迁移率理论计算了补偿比．结果表明：ＧａＡｓ中Ｓｉ￣＋注入掺杂，在低剂量注入时，Ｓｉ的两性是影响激活率的主要原因；高剂量注入时，残留间隙Ｓｉ原子的存在是导致激活率低的主要因素。
顾宏夏冠群陈京一朱南昌沈鸿烈周祖尧
关键词：离子注入双晶衍射砷化镓白光
CH<,3>CSNH<,2>/NH<,4>OH钝化GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器的研究
本文引入一种新的低毒化合物CH<,3>CSNH<,2>/NH<,4>OH对GaInAsSb化合物探测器的表面进行了表面钝化处理,可使其暗电流降低一个数量级,动态电阻增大25倍多;且钝化83天后保持良好的钝化效果,取得了与...
刘延祥夏冠群唐绍裘程宗权郑燕兰
关键词：GAINASSB红外探测器
文献传递
GaAsMESFET旁栅迟滞现象与沟道电流数据采集时间的关系被引量：1
2001年
采用平面选择注入隔离工艺制作 MESFET及旁栅电极 ,通过改变半导体特性测试仪的延迟时间参数 ,深入研究了不同沟道电流的数据采集时间对旁栅效应迟滞现象的影响 .发现当延迟时间超过 2 s时 ,迟滞现象基本消失 ,旁栅效应达到稳态 ,而且准静态地改变旁栅电压 ,沟道电流的变化会达到一稳定值 ,与过程无关 ,于是可以避免迟滞现象 .
丁勇赵福川毛友德夏冠群赵建龙
关键词：旁栅效应沟道电流砷化镓MESFET场效应晶体管
GaAs双栅MESFET的PSPICE直流模型被引量：1
1999年
提出了一种ＧａＡｓ 双栅ＭＥＳＦＥＴ的ＰＳＰＩＣＥ直流模型．分析了ＧａＡｓ 双栅ＭＥＳＦＥＴ漏极电流与两个控制栅偏置电压之间的关系，给出了漏极电流表达式．通过提取适当的模型参数，其直流输出特性的模拟曲线与实测曲线基本吻合，说明文中提出的ＧａＡｓ 双栅ＭＥＳＦＥＴ 的ＰＳＰＩＣＥ直流模型是有效的．
程知群孙晓玮夏冠群
关键词：MESFET砷化镓PSPICE场效应器件直流模型
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