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刘天奇: 作品数：18 被引量：22H指数：2; 供职机构：中国科学院近代物理研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>; 相关领域：理学电子电信自动化与计算机技术石油与天然气工程更多>>

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重离子核反应对单粒子翻转的影响(英文): 2015年; LET作为一个传统的工程参量,并不能完全满足单粒子翻转数据表征的需要,而且也不能直接地反映核反应的一些特性(包括核反应概率与次级粒子),因此研究了重离子与器件作用过程中核反应对单粒子翻转的影响。基于蒙特卡罗模拟与深入的分析,本研究对比了在直接电离与考虑核反应两种模式下的模拟结果。在模拟中,利用不同的重离子表征了核反应在单粒子翻转发生中所起的作用。结果显示,核反应对单粒子翻转截面的贡献依赖于离子的能量,并呈现非单调的变化关系。基于模拟的结果,建议用重离子核反应引起单粒子翻转的最恶劣情况来预估空间单粒子翻转率。; 刘天奇刘杰耿超古松习凯王斌叶兵; 关键词：单粒子翻转核反应重离子

电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响被引量：3: 2019年; 电离总剂量(TID)与单粒子效应(SEE)是纳米SRAM器件在航天应用中的主要威胁。随着CMOS工艺的进步,两种辐射效应在纳米SRAM器件中的协同效应出现了一些新现象,有必要进一步开展深入研究。利用γ射线以及不同种类重离子对两款纳米SRAM器件开展了辐照实验,研究了不同辐照参数、测试模式以及数据图形条件下,电离总剂量对单粒子翻转(SEU)敏感性的影响。研究结果表明,γ射线辐照过后,存储单元中反相器开关阈值减小,漏电流增大,导致SRAM存储单元抗翻转能力降低,SEU截面有明显增大;未观察到"印记效应",数据图形对测试结果没有明显影响;多位翻转(MBU)比例无明显变化。; 姬庆刚刘杰李东青刘天奇叶兵赵培雄孙友梅陆妩郑齐文; 关键词：单粒子翻转总剂量效应静态随机存储器

22nm FD-SOI 静态随机存储器的可靠性研究: 2021年; 针对22 nm FD-SOI CMOS工艺静态随机存储器(SRAM),研究了工艺角、工作电压、测试温度、总剂量效应对器件性能的影响。通过自动测试设备(ATE),有效地提取了FD-SOI存储器在多种测试环境下的电学性能参数。测试结果表明,不同的工艺角对输出电平和工作状态的影响较小。随着电压的增加,静态电流随之增加,最大工作频率呈现出波动性的变化。器件在-55℃~125℃范围内性能稳定。高频特性在25℃表现最好,低压特性在高温下最优。总剂量累积到3 kGy(Si)时,器件功能仍正常,内核电流与I/O电流均明显增大。FD-SOI SRAM自身优点多,工作稳定性较好,具有极好的应用前景。; 贺泽蔡畅赵凯赵培雄李东青刘天奇刘天奇; 关键词：静态随机存储器可靠性

质子核反应对单粒子翻转的影响: 半导体器件运行在一个复杂的辐射空间环境中,质子是空间中各种射线的主要组成部分,因而质子对半导体器件的辐射效应研究一直受到国内外的关注.本文利用兰州重离子加速器(HIRFL)首次开展质子单粒子效应研究,研究了不同工艺、不同...; 古松刘天奇刘杰张战刚孙友梅侯明东耿超习凯; 关键词：半导体器件单粒子翻转核反应

纳米器件空间辐射效应机理和模拟试验技术研究进展被引量：14: 2018年; 电子器件空间辐射效应是影响航天器在轨长期可靠运行的重要因素之一,一直是国际上抗辐射加固技术领域研究的热点和难点.高可靠、高集成度、高性能、低功耗、低成本是未来新一代先进电子系统发展的必然要求,采用更高性能的抗辐射加固纳米器件是必然的趋势.本文在深入调研国内外研究现状的基础上,分析了纳米器件辐射效应面临的新问题.纳米工艺存在着很多不同于大尺寸工艺的特点,沟道长度缩小到十几个纳米,栅氧化层等效厚度小于1 nm.在工艺上引入了纵向逆掺杂阱或横向晕环掺杂技术,以降低栅极诱导漏极漏电效应;在材料上引入了多元半导体材料、应变硅、锗硅、高k栅介质、金属栅极等,以降低器件功耗;在结构上引入了三维Fin FET结构,以增强栅的控制能力.这种趋于物理极限的工艺特点、新材料和新结构的采用产生了许多新的辐射效应现象和机制,模拟试验技术更加复杂,给抗辐射加固技术研究带来了新的挑战.本文综述了纳米器件辐射效应的研究现状和趋势,重点针对28 nm及以下特征工艺纳米器件辐射效应研究及模拟试验的需求,提出了需要研究的科学问题和关键技术,希望能为纳米器件抗辐射加固与空间应用提供参考.; 陈伟刘杰马晓华郭刚赵元富郭晓强罗尹虹姚志斌丁李利王晨辉陈荣梅何宝平何宝平赵雯张凤祁马武英翟鹏飞王祖军刘天奇郭红霞刘建德杨海亮胡培培丛培天; 关键词：抗辐射加固

总剂量和重离子协同作用下浮栅单元错误的退火特性研究被引量：1: 2019年; 针对25 nm商用Flash存储器,利用中国科学院新疆理化技术研究所的60Coγ射线源和兰州重离子加速器先后进行了总剂量效应和单粒子效应实验。实验中器件先辐照30 krad(Si)的γ射线,然后再辐照不同线性能量转移(Linear Energy Transfer,LET)的重离子,得到了不同条件下Flash存储器浮栅单元错误的退火特性。实验结果表明与只进行重离子辐照相比,总剂量和重离子协同作用下器件浮栅单元错误消失的比例会发生变化,且在不同LET离子的辐照下表现出相异的趋势。分析认为辐照总剂量会引起浮栅单元电荷丢失和电荷俘获,影响浮栅单元的错误退火特性。; 殷亚楠刘杰姬庆刚赵培雄刘天奇叶兵叶兵孙友梅罗捷; 关键词：FLASH存储器重离子 Γ射线退火

重离子辐照引起磁性隧道结功能失效类型及机理研究: 2021年; 重点研究了磁性隧道结(MTJ)的电学性能受离子注量影响的物理规律。实验首次发现了高能Ta离子辐射损伤导致MTJ电学功能失效的现象,主要失效模式为:高、低电阻态失效,其中79.9%的功能失效为高电阻态失效。计算表明,单个10.9 MeV/u的Ta离子辐照引入的损伤无法导致MTJ宏观电学功能失效。结合理论计算与Monte Carlo模拟分析,MTJ中的绝缘势垒层与铁磁薄膜的损伤是出现高、低电阻态失效的内因。; 赵培雄刘杰刘天奇蔡畅姬庆刚李东青贺泽孙友梅孙友梅; 关键词：磁隧道结

深亚微米SRAM质子单粒子翻转实验研究: 2015年; 宇航半导体器件运行在一个复杂的空间辐射环境中,质子是空间辐射环境中粒子的重要组成部分,因而质子在半导体器件中导致的辐射效应一直受到国内外的关注。利用兰州重离子加速器(Heavy Ion Research Facility In Lanzhou)加速出的H2分子打靶产生能量为10 Me V的质子,研究了特征尺寸为0.5/0.35/0.15μm体硅和绝缘体上硅(SOI)工艺静态随机存储器(SRAM)的质子单粒子翻转敏感性,这也是首次在该装置上开展的质子单粒子翻转实验研究。实验结果表明特征尺寸为亚微米的SOI工艺SRAM器件对质子单粒子翻转不敏感,但随着器件特征尺寸的减小和工作电压的降低,SOI工艺SRAM器件对质子单粒子翻转越来越敏感;特征尺寸为深亚微米的体硅工艺SRAM器件单粒子翻转截面随入射质子能量变化明显,存在发生翻转的质子能量阈值,CR`EME-MC模拟结果表明质子在深亚微米的体硅工艺SRAM器件中通过质子核反应导致单粒子翻转。; 古松刘杰刘天奇张战刚姚会军段敬来苏弘侯明东罗捷耿超习凯叶兵王斌; 关键词：质子单粒子翻转核反应

一种FPGA内部资源甄别与定位方法及系统: 本发明涉及一种FPGA内部资源甄别与定位方法及系统，其特征在于，包括以下内容：1)对需处理的资源进行开发配置生成配置位流，并将配置位流下载到待测FPGA芯片中；2)获得需处理资源的初始回读文件；3)生成需处理资源新状态的...; 柯凌云蔡畅刘杰孔洁刘天奇陈金达赵培雄苏弘; 文献传递

一种用于电子器件重离子辐照的空气高温试验箱: 本发明涉及一种用于电子器件重离子辐照的空气高温试验箱，包括：试验箱本体，所述试验箱本体包括前壁面，所述前壁面上设置有凹槽，所述凹槽内设置有入射孔以及覆盖在所述入射孔上的薄膜作为入射窗，所述薄膜的厚度范围为5‑100μm，...; 刘天奇刘杰孙友梅蔡畅刘建德曹殿亮

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