刘家璐
- 作品数：28 被引量：51H指数：4
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- BF2^＋注入硅栅PMOSFETγ辐照效应被引量：2
- 1995年
- 本文系统地研究了ＢＦ２＾＋注入硅栅ＰＭＯＳＦＥＴ阈值电压漂移与γ辐照总剂量之间的关系，深入地探讨了ＢＦ２＾＋注入抗γ辐照加固的机理。结果表明，ＢＦ２＾＋注入是一种抗γ辐照加固的新方法。
- 张廷庆刘家璐张正选赵元富
- 关键词：离子注入Γ辐照
- BF_2^+注入多晶硅栅的SIMS分析被引量：1
- 1994年
- 文本采用SIMS技术,分析了BF_2^+注入多晶硅栅退火前后F原子在多晶硅和SiO_2中的迁移特性。结果表明,80keV,2×10^(15)和5×10^(15)cm^(-2) BF_2^+注入多晶硅栅经过900℃,30min退火后,部分F原子已扩散到SiO_a中。F在多晶硅和SiO_2中的迁移行为呈现不规则的特性,这归因于损伤缺陷和键缺陷对F原子的富集作用。
- 刘家璐张廷庆张正选赵元富
- 关键词：三氟化硼硅栅SIMS
- 电荷耦合器件电荷传输效率的模拟与分析
- 2000年
- 在自由电荷传输模型的基础上得到了电荷耦合器件电荷传输效率的表达式 ,编制了电荷耦合器件电荷传输效率优化设计软件 .通过对模拟结果的分析 ,提出了提高电荷耦合器件电荷传输效率的具体意见 .
- 赵志强张廷庆刘家璐
- 关键词：电荷耦合器件
- InSb红外探测器衬底应力的模拟与分析被引量：4
- 2001年
- 根据线性弹性理论集中力的假定 ,计算了矩形膜淀积在InSb衬底上的三维应力分布 ;讨论了钝化膜对InSb衬底应力的影响 ;提出了提高InSb平面二极管可靠性的措施 .
- 刘家璐李煜刘传洋刘泽宋李梅张廷庆
- 关键词：钝化膜锑化铟可靠性红外探测器
- Be＃+[＋]注入InSb快速退火的背散射沟道分析
- ００—５００℃温度范围内对Ｂｅ＃+[＋]注入ＩｎＳｂ样品进行无包封快速退火。Ｂｅ＃+[＋]注入能量为１００ｋｅｖ，注入剂量为５×１０＃+[１４]ｃｍ＃+[－２]。借助背散射沟道分析研究了Ｂｅ＃+[＋]注入ＩｎＳ...
- 刘家璐张廷庆
- 关键词：离子注入退火铍锑化铟
- BF_2^+注入加固硅栅PMOSFET的研究被引量：9
- 1999年
- 系统地研究了ＢＦ＋２ 注入硅栅Ｐｃｈａｎｎｅｌ ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｆｉｅｌｄｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＰＭＯＳＦＥＴ） 阈值电压漂移与γ辐照总剂量之间的关系，深入地探讨了ＢＦ＋２ 注入抗γ辐射加固的机理．结果表明，ＢＦ＋２ 注入对硅栅Ｐｃｈａｎｎｅｌ ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ（ＰＭＯＳ） 在γ辐照下引起的阈值电压漂移具有很强的抑制作用，ＢＦ＋２ 注入加固硅栅ＰＭＯＳ 的最佳注入剂量范围为５ ×１０１４ —２ ×１０１５ ｃｍ － ２ ，分布在ＳｉＯ２／Ｓｉ 界面的Ｆ 原子抑制了γ辐照下在ＳｉＯ２／Ｓｉ 界面产生的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷可能是ＢＦ＋２ 注入加固硅栅ＰＭＯＳＦＥＴ
- 张廷庆刘家璐李建军王剑屏张正选徐娜军赵元富胡浴红
- 关键词：PMOSFETMOS器件离子注入硅栅
- 二氟化硼分子离子注入电离辐射加固机理及在硅栅
- 张迁庆刘家璐赵元富张正选李思科
- MOS器件在γ辐射环境下，由于电离辐射效应，将在SiO<,2>中和SiO<,2>/Si界面产生氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷，从而引起阈值电压的漂移，γ辐照剂量越大，MOS器件阈值电压漂移越严重。二氟化硼是一种分子离子，将...
- 关键词：
- 关键词：MOS器件离子注入电离辐射硅栅
- 铍注入锑化铟快速热退火的研究被引量：2
- 1994年
- 借助ＳＩＭＳ、ＡＥＳ、ＲＢＳ和ＴＥＭ对Ｂｅ注入ＩｎＳｂ的快速热退火特性进行了深入的研究．Ｂｅ注入能量为１００ｋｅＶ，注人剂量为５×１０１４ｃｍ－２．快速热退火温度范围为３００—５００℃，退火时间为３０—６０秒．结果表明，快速退火后，Ｂｅ注入分布剖面的内侧不存在再分布，但峰值浓度有不同程度的降低，表面存在Ｂｅ的外扩散．３５０℃退火，Ｂｅ注入ＩｎＳｂ的晶体损伤基本消除，ＩｎＳｂ表层不存在化学配比的偏离．退火温度超过３５０℃，ＩｎＳｂ表层发生热分解，产生Ｓｂ的耗尽，形成由Ｉｎ、Ｓｂ及其氧化物组成的复杂结构．退火温度为４００℃，在距ＩｎＳｂ表面２７００—５９００之间观察到一条由小位错环组成的缺陷带．
- 张廷庆刘家璐
- 关键词：锑化铟离子注入铍退火
- HBr反应离子刻蚀硅深槽被引量：1
- 1995年
- 对ＨＢｒ反应离子刘蚀硅和ＳｉＯ＿２进行了实验研究。介绍了ＨＢｒ等离子体的刻蚀特性，讨论了ＨＢｒ反应离子刻蚀硅的刻蚀机理，研究了ＨＢｒ中微量氧、碳对ＨＢｒＲＩＥ刻蚀过程的影响。实验表明，ＨＢｒ是一种刻蚀硅深槽理想的含原子溴反应气体。采用ＨＢｒＲＩＥ，可获得高选择比（对Ｓｉ／ＳｉＯ＿２）和良好的各向异性。
- 刘家璐张廷庆刘华预王清平叶兴耀
- 关键词：反应离子刻蚀集成电路
- 不同剂量BF_2^+注入多晶硅栅氟迁移特性的二次离子质谱分析被引量：1
- 1998年
- 借助ＳＩＭＳ技术，系统地分析了８０ＫｅＶ，２．５×１０１４、５×１０１４、１×１０１５、２×１０１５和３×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入多晶硅栅在９００℃、３０ｍｉｎ热退火条件下，氟在多晶硅栅中的分布剖面，并对氟在多晶硅和二氧化硅中的迁移特性进行了深入讨论。
- 张廷庆刘家璐李建军孙永明赵元富
- 关键词：离子注入SIMS多晶硅栅
