张正选
- 作品数：132 被引量：139H指数：7
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术核科学技术更多>>
- 总剂量辐照效应对窄沟道SOI NMOSFET器件的影响被引量：1
- 2013年
- 本文深入研究了130nm Silicon-on-Insulator(SOI)技术下的窄沟道n型metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor(MOSFET)器件的总剂量辐照效应.在总剂量辐照下,相比于宽沟道器件,窄沟道器件的阈值电压漂移更为明显.论文利用电荷守恒定律很好地解释了辐照增强的窄沟道效应.另外,本文首次发现,对于工作在线性区的窄沟道器件,辐照产生的浅沟槽隔离氧化物(STI)陷阱正电荷会增加沟道区载流子之间的碰撞概率和沟道表面粗糙度散射,从而导致主沟道晶体管的载流子迁移率退化以及跨导降低.最后,对辐照增强的窄沟效应以及迁移率退化进行了三维器件仿真模拟,仿真结果与实验结果符合得很好.
- 宁冰旭胡志远张正选毕大炜黄辉祥戴若凡张彦伟邹世昌
- 关键词：SOI
- 一种抗单粒子翻转的SOI器件结构被引量：1
- 2006年
- 介绍了SOI器件的可偏压隔离阱结构,对这种结构抗单粒子翻转的可能性进行了分析,对采用此结构的反相器的抗单粒子翻转性能利用器件模拟软件Medici和电路模拟软件Hspice进行了模拟.最后对基于可偏压隔离阱的抗单粒子翻转器件的应用给予了讨论.
- 贺威张正选
- 关键词：单粒子翻转SOICMOS
- 低能Ar^+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜被引量：3
- 2004年
- 采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上沉积Pt膜,离子/原子到达比分别为0.1、0.2、0.3。若Ar+离子的入射角为0°,XRD谱分析表明,沉积的Pt膜均呈(111)和(200)混合晶向;当Ar+离子的入射角为45°,沉积的Pt膜均呈很强的(111)择优取向。因此若合理控制Ar+离子束的入射角,可在Mo/Si(100)衬底上制备出具有显著择优取向的Pt(111)薄膜。本文采用MonteCarlo方法模拟低能Ar+离子注入Pt单晶所引起的原子级联碰撞过程,得出Ar+离子入射单晶铂(200)晶面时,Ar+离子的溅射率与入射角的关系,对Pt膜择优取向的机理作了初步的探讨和分析。
- 江炳尧蒋军冯涛任琮欣张正选宋志棠柳襄怀郑里平
- 关键词：离子束辅助沉积
- BF2^＋注入硅栅PMOSFETγ辐照效应被引量：2
- 1995年
- 本文系统地研究了ＢＦ２＾＋注入硅栅ＰＭＯＳＦＥＴ阈值电压漂移与γ辐照总剂量之间的关系，深入地探讨了ＢＦ２＾＋注入抗γ辐照加固的机理。结果表明，ＢＦ２＾＋注入是一种抗γ辐照加固的新方法。
- 张廷庆刘家璐张正选赵元富
- 关键词：离子注入Γ辐照
- ^(90)Sr-^(90)Y源辐射剂量场的测量及计算被引量：1
- 2001年
- 采用 Li F薄膜和 Ca F2 :Mn剂量片 ,对以90 Sr- 90 Y作为辐射源的半导体辐照效应模拟装置中的剂量进行了实验测量 ,并用经验公式计算了相应的辐射剂量场分布。实验测量和理论计算数据之间的偏差分析结果表明 ,用 L i F薄膜测量90 Sr- 90
- 吴国荣周辉张正选林东生郭红霞彭宏伦
- 关键词：Β源锶90钇90辐射源
- 基于绝缘体上的硅材料的场效应晶体管抗辐照的加固方法
- 本发明涉及一种提高基于绝缘体上的硅材料的金属－氧化物－半导体场效应晶体管(MOSFET)抗总剂量辐射的场区加固方法，属于微电子技术领域。由此可见，其特征在于所述的场效应晶管制作的工艺过程进行体注入时，采用先进行高浓度深注...
- 张恩霞张正选王曦孙佳胤钱聪贺威
- 文献传递
- 抗辐射加固的特殊体接触绝缘体上硅场效应晶体管及制备方法
- 本发明涉及抗辐射加固的特殊体接触的SOIMOSFET及源漏极的注入方法。其特征在于在绝缘体上硅场效应晶体管结构中，源和漏的结深不同，漏极深度与顶层硅膜厚度一致，源极的结深小于顶层硅膜的厚度，体从源极下面与器件末端的体接触...
- 张恩霞张正选王曦陈静孙佳胤
- 文献传递
- 一种基于SOI的硅控整流器ESD保护器件结构
- 本发明提供一种基于SOI的硅控整流器ESD保护器件结构，包括SOI衬底；所述SOI衬底的顶层硅中定义有有源区，所述有源区中形成有P阱及N阱；其中：所述有源区表面形成有假栅极型硅化物隔离结构，所述假栅极型硅化物隔离结构周围...
- 宁冰旭张正选胡志远邹世昌
- 文献传递
- 一种用于分析深亚微米器件总剂量辐射效应的方法
- 本发明提供一种用于分析深亚微米器件总剂量辐射效应的方法，依据具有浅沟道隔离槽结构的深亚微米器件原型的测试数据初步构建器件模型，依据衬底掺杂浓度分布把所述器件模型的浅沟道隔离槽定位出顶部区域与底部区域，并依据经过辐射后器件...
- 张正选刘张李胡志远宁冰旭毕大炜陈明邹世昌
- 提高金属氧化物半导体器件场区抗总剂量的加固方法
- 本发明涉及提高MOS晶体管场区抗总剂量辐射的加固方法，属于微电子与固体电子学中、半导体集成电路加工技术领域。本发明的特征在于在金属氧化物半导体器件制备工艺流程的刻蚀硅岛、场注入、去胶清洗、场氧化之后，以及预栅氧之前，在场...
- 张恩霞张正选王曦林成鲁林梓鑫钱聪贺威
- 文献传递
