邹世昌
- 作品数：200 被引量：248H指数：9
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 具有覆盖层的Co/Cu/Co三明治的巨磁电阻效应研究被引量：1
- 2001年
- 研究了覆盖层为铁磁性的 Fe和非铁磁性的 Ti、 Cu的 Co/Cu/Co三明治在室温和低温下 的巨磁电阻效应。实验结果表明，室温下有覆盖层时 , Co/ Cu/Co三明治的巨磁电阻效应值 没有明显变化，但以 Fe为覆盖层的样品的矫顽力和饱和场明显减小，而 Ti、 Cu覆盖层对三 明治样品的矫顽力和饱和场无太大的影响。温度降低时，覆盖层使 Co/Cu/Co三明治的巨 磁电阻值显著增加，表明样品的巨磁电阻效应与覆盖层及其与上层 Co所形成的界面密切相关。
- 潘强沈鸿烈祝向荣李铁沈勤我邹世昌
- 关键词：巨磁电阻效应覆盖层金属多层膜
- 离子束薄膜合成及其应用
- 本文报道中国科学院离子束开放研究实验室在离子束薄膜合成研究和应用方面的发展和现状.着重介绍离子束辅助沉积薄膜合成、真空磁过滤弧源沉积薄膜生长,以及离子注入SOI材料合成的方法及其物理过程.同时对离子束合成薄膜在工业及国防...
- 柳襄怀郑志宏王曦邹世昌
- 关键词：离子束离子注入
- 离子束增强沉积合成薄膜的梯度特性及其应用效果
- 1引言梯度材料在航空航天工业中十分有用,在光学、高温保护中也很重要。有多种技术可以形成梯度材料,其中离子束增强沉积特别有用。离子束增强沉积技术把薄膜沉积与离子束轰击很好地结合在一起,使形成的薄膜与基体有很强的结合力,使化...
- 柳襄怀陈彪郑志宏邹世昌
- TiN薄膜的合成及其性能研究被引量：1
- 1990年
- 用电子束蒸发沉积钛和40keV氮离子束轰击交替进行的办法合成了TiN薄膜。用RBS,AES,TEM,XPS,和X射线衍射研究TiN薄膜的组分和结构表明:用离子束增强沉积制备的TiN薄膜主要由TiN相构成;晶粒大小为30—40um,无择优取向;而非离子束轰击沉积的薄膜则是无定形的;用离子束增强沉积制备的TiN薄膜,其氧含量明显小于无离子束轰击薄膜的值;在TiN薄膜和衬底之间存在一个界面混合区,厚度为40um左右。机械性能测试表明,TiN薄膜具有高的显微硬度,低的摩擦系数。
- 周建坤柳襄怀陈酉善王曦郑志宏黄巍邹世昌
- 关键词：TIN膜离子束
- 一种基于SOI的硅控整流器ESD保护器件结构
- 本发明提供一种基于SOI的硅控整流器ESD保护器件结构，包括SOI衬底；所述SOI衬底的顶层硅中定义有有源区，所述有源区中形成有P阱及N阱；其中：所述有源区表面形成有假栅极型硅化物隔离结构，所述假栅极型硅化物隔离结构周围...
- 宁冰旭张正选胡志远邹世昌
- 文献传递
- 高温注入离子的扩散和激活行为的研究被引量：2
- 1994年
- 本文应用二次离子质谱（ＳＩＭＳ），微分霍尔效应和透射电镜（ＴＥＭ）研究了硅中高温注入砷离子的扩散和激活行为．将１８０ＫｅＶ，１×１０１５ｃｍ－２砷离子在５００℃至１０００℃的温度范围内注入硅．研究结果表明：在５００℃至８５０℃注入时所发生的异常扩散和载流子浓度及迁移率深度分布与剩余缺陷的分布密切相关；而且随着注入温度的增高，砷的增强扩散亦增强，同时所形成的剩余缺陷减少．在注入温度高于８５０℃时，随着注入温度的增高，砷的增强扩散效应减弱．在５００℃至１０００℃的注入温度，与热扩散相比，砷的增强扩散效应显著；电激活率随着注入温度的增高而增大．
- 俞跃辉邹世昌
- 关键词：离子注入扩散
- 一种用于分析深亚微米器件总剂量辐射效应的方法
- 本发明提供一种用于分析深亚微米器件总剂量辐射效应的方法，依据具有浅沟道隔离槽结构的深亚微米器件原型的测试数据初步构建器件模型，依据衬底掺杂浓度分布把所述器件模型的浅沟道隔离槽定位出顶部区域与底部区域，并依据经过辐射后器件...
- 张正选刘张李胡志远宁冰旭毕大炜陈明邹世昌
- 蒙特卡罗模拟Si^＋注入Si3N4／GaAs的射程分布和损伤分布
- 1994年
- 用蒙特卡罗方法模拟Ｓｉ＋注入Ｓｉ３Ｎ４／ＧａＡｓ的力学运动，以考察沉积在ＧａＡｓ材料表面的无定形Ｓｉ３Ｎ４阻挡层对Ｓｉ＋射程分布的影响．模拟计算和实验结果都表明，Ｓｉ３Ｎ４阻挡层能够有效地削减Ｓｉ＋在ＧａＡｓ衬底中的射程，避免沟道效应，得到浅结。但是阻挡层中也有相当数量的Ｓｉ、Ｎ原子由于与入射的Ｓｉ＋相互碰撞反冲进入ＧａＡｓ衬底。
- 江炳尧沈鸿烈周祖尧夏冠群邹世昌
- 关键词：蒙特卡罗模拟离子注入沟道效应
- 我国电子材料研究新进展
- 1996年
- 报导了电子材料研究在我国的新进展，包括体晶硅；体化合物半导体；外延半导体薄膜；新颖SOI（Silicon－on-Insulator）材料及敏感材料。
- 邹世昌
- 关键词：半导体材料
- 有机发光器件的低温氮化硅薄膜封装被引量：18
- 2003年
- 利用等离子体化学气相沉积(PECVD)技术,采用不同的沉积条件(20～180℃的基板温度范围和10～30W的射频功率)制备了氮化硅薄膜,研究了沉积条件对氮化硅薄膜性质和防水性能的影响。实验发现随着基板温度的增加,氮化硅薄膜的密度、折射率和Si/N比相应增加,而沉积速率和H含量相应减少;随着射频功率的增加,氮化硅薄膜的沉积速率、密度、折射率和Si/N比相应增加,而H含量相应减少。水汽渗透实验发现即使基板温度降低为50℃,所沉积的氮化硅薄膜仍然具有良好的防水性能。实验结果表明低温氮化硅薄膜可以有效地应用于有机发光器件(OLED)的封装。
- 黄卫东王旭洪盛玫徐立强Frank Stubhan罗乐冯涛王曦张富民邹世昌
- 关键词：有机发光器件氮化硅薄膜等离子体化学气相沉积封装OLED
