柳襄怀
- 作品数：140 被引量：575H指数：12
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术电子电信理学更多>>
- 用离子束技术改善Ni_3Al(0.1B)在H_2SO_4溶液中的耐蚀性能被引量：2
- 1992年
- 用多次扫描循环极化法研究经离子束表面改性的Ni_3Al(0.1B)在H_2SO_4溶液中的腐蚀行为。电化学测试和表面形貌的观察结果表明,离子注入、离子束混合和离子束辅助沉积技术对减缓Ni_3Al(0.1B)在用氧气饱和的1N H_2SO_4溶液中的腐蚀和改善钝化性能很有效果。
- 柳襄怀郑志宏黄巍林梓鑫邹世昌
- 关键词：NI3AL硫酸溶液耐蚀性
- PIII技术在制备c-BN硬化层中的应用被引量：2
- 2004年
- 采用一种新型的等离子体浸没式离子注入技术 (PIII)在渗硼后的 5 0Mn钢试样上制备出了厚度为 0 .15～ 0 .2mm的立方氮化硼 (c BN)表面硬化层。经X射线电子能谱 (XPS)和X射线衍射分析 (XRD) ,发现硬化层中的组织有立方氮化硼 (c BN)、六方氮化硼 (h BN)、B2 O3,FeB和Fe2 B。在表层 60nm的深度范围内 ,c BN的含量较高。采用球盘式无润滑滑动摩擦实验和维氏显微硬度实验分别对渗硼 +PIII复合处理以及单独渗硼的 5 0Mn钢试样的性能进行了对比实验。结果表明 :与单独渗硼的试样相比 ,经渗硼 +PIII复合处理的试样具有高得多的硬度 (高达HV0 .1N44GPa)
- 王钧石柳襄怀王曦
- 关键词：渗硼
- 叠加能量Si^+、N^+共注入SiO_2薄膜的光致发光
- 1998年
- 报道了用叠加能量Ｓｉ＋、Ｎ＋共注入ＳｉＯ２薄膜研究硅基发光材料。Ｓｉ＋、Ｎ＋先后注入ＳｉＯ２薄膜，并在衬底中重叠。样品退火后在紫外光激发下，可以观察到很强的紫外（～３４０ｎｍ）和紫色（～４２７ｎｍ）光致发光（ＰＬ）。还研究了光致发光激发（ＰＬＥ）谱并对发光机制进行了探讨。
- 赵俊杨根庆丁星肇林梓鑫江炳尧江炳尧柳襄怀
- 关键词：光致发光离子注入硅基发光材料
- 离子束增强沉积合成氮化钛薄膜的计算机模拟
- 1991年
- 本文建立了一个适用于描述离子束增强沉积(Ion Beam Enhanced Deposition,即IBED)过程的Monte-Carlo计算机模拟程序。程序由离子注入计算和蒸发沉积计算两大部分组成。离子注入计算以二体碰撞近似为基础,以随机固体为靶模型,对入射离子和所有反冲原子的力学运动进行跟踪。程序中考虑了沉积原子对靶室中某些残余气体分子的吸附;还表达了靶的组份及密度在IBED过程中的不断变化,从而实现了靶的动态化。该程序可以提供IBED薄膜组份的深度分布、界面混合以及能量沉积等信息。计算结果表明,在IBED氮化钛薄膜中,Ti沉积速率对薄膜组份有很大影响。当沉积速率较低时,薄膜组份基本与注入离子和沉积原子的到达率比(N/Ti)无关。膜与基体间的混合层厚度随离子原子到达率比(N/Ti)增加而增加。计算结果与实验测试结果符合很好。
- 王曦周建坤陈酉善柳襄怀邹世昌
- 关键词：离子束氮化钛计算机
- HfC涂覆碳纳米管增强场发射性能研究被引量：1
- 2006年
- 利用PECVD方法在硅衬底上生长碳纳米管薄膜,然后采用IBAD方法在薄膜上沉积5 nm的Hf,在高温下退火后在表面形成HfC。研究了经过HfC处理前后碳纳米管膜的场发射性能,结果表明经过HfC处理后碳纳米管膜的场发射性能得到明显改善,并对提高碳纳米管场发射性能的机理进行了探讨。此方法为提高碳纳米管场发射性能提供了一种新的思路。
- 蒋军冯涛张继华戴丽娟程新红宋朝瑞王曦柳襄怀邹世昌
- 关键词：碳纳米管场发射碳化铪
- 低能Ar^+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜被引量：3
- 2004年
- 采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上沉积Pt膜,离子/原子到达比分别为0.1、0.2、0.3。若Ar+离子的入射角为0°,XRD谱分析表明,沉积的Pt膜均呈(111)和(200)混合晶向;当Ar+离子的入射角为45°,沉积的Pt膜均呈很强的(111)择优取向。因此若合理控制Ar+离子束的入射角,可在Mo/Si(100)衬底上制备出具有显著择优取向的Pt(111)薄膜。本文采用MonteCarlo方法模拟低能Ar+离子注入Pt单晶所引起的原子级联碰撞过程,得出Ar+离子入射单晶铂(200)晶面时,Ar+离子的溅射率与入射角的关系,对Pt膜择优取向的机理作了初步的探讨和分析。
- 江炳尧蒋军冯涛任琮欣张正选宋志棠柳襄怀郑里平
- 关键词：离子束辅助沉积
- FEA实验数据进行参数提取的线性回归技术
- 1994年
- 本文讨论了对场发射阵列（ＦＥＡ）的实验数据利用线性回归的技术得到表征ＦＥＡ器件特性的几个关键多数的方法。并将这种方法应用于我们自己的ＦＥＡ器件样品。根据实验数据得到了器件的关键参数并证实了ＦＥＡ对特性满足ＦｏｗｌｅｒＮｏｅｄｈｅｉｍ方程。文章还对非线性因素对参数估计所带来的偏差问题进行了讨论。
- 刘新福徐静芳李琼宋海波袁美英张段吴俊雷柳襄怀
- 场发射阵列（FEA）的稳定性（S）和可靠性（R）的研究被引量：1
- 1994年
- ＦＥＡ器件的性能由于半导体工艺水平和微机械加工技术的发展有了很大地提高。而其稳定和可靠性的研究是走向实用的必经过程。本文分析了温度、电压等因素对ＦＥＡ器件稳定和可靠性的影响。并研究了尖端发射表面功函数Φ、尖端发射面积Ｓ和尖端表面场强Ｅ与器件稳定性和可靠性的关系。
- 宋海波李琼刘新福袁美英徐静芳张段吴骏雷柳襄怀
- 关键词：稳定性可靠性场发射阵列
- 离子注入红霉素产生菌诱变高产菌株及其机理初步研究被引量：55
- 1997年
- 用４０～６０ｋｅＶ、剂量１×１０１１～５×１０１４ｉｏｎｓ／ｃｍ２的Ｎ＋离子注入红霉素产生菌后可产生可遗传的变异，在一定范围内红霉素产生菌的正向突变分布百分数与离子注入剂量正相关，离子注入后红霉素产生菌的菌落形态和孢子颜色发生变化，经筛选得到了高产突变菌株，摇瓶发酵表明高产突变菌株产量可提高２０％以上。与紫外线诱变相比，离子注入诱变具有突变范围广和突变程度高的特点。ＥＳＲ测试表明离子注入产生的自由基对生物效应基本上无影响，离子注入生物效应主要应由注入离子与生物分子的直接作用引起。对离子注入诱变的机理进行了探讨。
- 陈宇林梓鑫张峰毛应俊柳襄怀汤建中朱卫民黄勃
- 关键词：离子注入突变诱变
- 离子束研究和应用走上新台阶——我国成功举办SMMIB′99国际会议记述被引量：2
- 2000年
- 第11届离子束材料表面改性国际会议(SMMIB’99),已于1999年9月19—24日在北京举行。来自世界各国的离子束研究专家、物理、化学、材料学家们,在优美、洁净的北京郊外——怀柔聚集一堂,就离子束的研究及应用交流了所取得的成果,讨论了未来的发展。 SMMIB是离子束领域中重要的国际系列会议之一,每两年举行一次。在总共由18名委员组成的国际委员会中,我国有2名委员,即李恒德院士和柳襄怀研究员。过去,SMMIB国际会议均在欧洲、美国和日本举行。1997年在美国田纳西举行的SMMIB’97国际会议上,经过激烈竞争,终于争取到了在我国举行SMMIB’99国际会议的主办权。这是第一次在中国举办SMMIB国际会议,又正值世纪之交,显得更有意义。 此次国际会议共有正式代表115人。
- 柳襄怀
- 关键词：离子束材料改性技术进步
