江炳尧
- 作品数：33 被引量：33H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：金属学及工艺电子电信一般工业技术理学更多>>
- 叠加能量Si^+、N^+共注入SiO_2薄膜的光致发光
- 1998年
- 报道了用叠加能量Ｓｉ＋、Ｎ＋共注入ＳｉＯ２薄膜研究硅基发光材料。Ｓｉ＋、Ｎ＋先后注入ＳｉＯ２薄膜，并在衬底中重叠。样品退火后在紫外光激发下，可以观察到很强的紫外（～３４０ｎｍ）和紫色（～４２７ｎｍ）光致发光（ＰＬ）。还研究了光致发光激发（ＰＬＥ）谱并对发光机制进行了探讨。
- 赵俊杨根庆丁星肇林梓鑫江炳尧江炳尧柳襄怀
- 关键词：光致发光离子注入硅基发光材料
- 低能Ar^+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜被引量：3
- 2004年
- 采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上沉积Pt膜,离子/原子到达比分别为0.1、0.2、0.3。若Ar+离子的入射角为0°,XRD谱分析表明,沉积的Pt膜均呈(111)和(200)混合晶向;当Ar+离子的入射角为45°,沉积的Pt膜均呈很强的(111)择优取向。因此若合理控制Ar+离子束的入射角,可在Mo/Si(100)衬底上制备出具有显著择优取向的Pt(111)薄膜。本文采用MonteCarlo方法模拟低能Ar+离子注入Pt单晶所引起的原子级联碰撞过程,得出Ar+离子入射单晶铂(200)晶面时,Ar+离子的溅射率与入射角的关系,对Pt膜择优取向的机理作了初步的探讨和分析。
- 江炳尧蒋军冯涛任琮欣张正选宋志棠柳襄怀郑里平
- 关键词：离子束辅助沉积
- 叠加能量C^+注入SiO_2薄膜的光致发光特性
- 1997年
- 首次采用叠加能量离子注入技术制备Ｃ＋注入ＳｉＯ２薄膜样品，室温下观测到很强的蓝光发射。通过测量样品的光致发光（ＰＬ）谱对退火条件的依赖关系，研究了样品的发光特性。对发光机制进行了初步探讨。
- 赵俊杨根庆江炳尧林梓鑫周祖尧柳襄怀
- 关键词：离子注入发光材料二氧化硅光致发光
- 蒙特卡洛模拟Mg在Ni_3Al晶界的偏聚被引量：2
- 1997年
- 本文采用蒙特卡洛方法模拟Ｍｇ原子向Ｎｉ３Ａｌ［００１］／∑５（２１０）／３６８７０晶界的偏聚。计算了Ｍｇ原子处在自由表面、晶粒内和晶界中的能量。模拟和计算结果表明，Ｍｇ原子向晶界偏聚降低了晶界能，Ｍｇ原子优先地替代Ａｌ原子，造成晶界中Ｎｉ／Ａｌ原子配比的明显减小。Ｍｇ原子以晶界面为中心，集中分布在晶界层的两侧。
- 江炳尧柳襄怀邹世昌孙坚王坚
- 关键词：金属间化合物晶界偏聚NI3AL
- 低能Ar离子束辅助沉积Cu、Ag、Pt薄膜被引量：1
- 2008年
- 采用低能Ar离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)衬底上分别沉积Cu、Ag、Pt薄膜。实验发现,若辅助轰击的Ar离子束沿衬底法线方向入射,当离子/原子到达比为0.2时,沉积的Cu膜呈(111)晶向,而Ag、Pt膜均呈(111)和(100)混合晶向。当辅助轰击的Ar离子束偏离衬底法线方向45°入射时,沉积的Cu、Ag、Pt膜均呈(111)择优取向。采用Monte Carlo方法模拟能量为500eV的Ar离子入射单晶Ag所引起的原子级联碰撞过程,分别算得Ar离子入射单晶Ag(100)面、(111)面时,Ar离子的溅射率与入射角和方位角的关系。对离子注入的沟道效应和薄膜表面的自由能对薄膜择优取向的影响作了初步的探讨和分析。
- 江炳尧冯涛任琮欣柳襄怀
- 关键词：AG
- 离子束辅助沉积铪膜耐热应力性能研究
- 本文采用离子束辅助沉积方法在行波管的钨质栅网上沉积铪膜.在高真空的环境下,模拟行波管的工作条件,对不同设备,不同工艺参数沉积的铪膜进行耐热应力循环试验.应用SEM观察试验样品在高温热处理前后形貌的变化.用AES测量循铪膜...
- 江炳尧任琮欣冯涛蒋军柳襄怀
- 关键词：钼栅极电子发射离子束辅助沉积行波管
- 文献传递
- 蒙特卡罗模拟单元素靶的溅射产额角分布被引量：4
- 1996年
- 用蒙特卡罗方法模拟能量为２７ｋｅＶＡｒ＋轰击Ａｇ和Ｃｄ单元素靶的力学运动，以研究级联碰撞产生的溅射原子的空间分布情况，对计算结果进行适当的数学处理，以得出微分溅射产额角分布．计算结果和实验值作了比较，并讨论了两种单元素靶的微分产额角分布．
- 李欣年王传珊罗文芸江炳尧
- 关键词：蒙特卡罗模拟级联理论溅射
- GaAs低能Si^+及SiF^+离子注入研究
- 1993年
- 本文对30keV Si^+和分子离子S_1F^+注入半绝缘GaAs的行为进行了研,究注入Si^+样品的Si原子纵向分布,与相同条件下用SICT模拟程序理论计算出的分布相一致,经灯光900℃10秒RTA,电激活率可达60％,电化学C—V测得的载流子纵向分布与注入态SIMS结果相同,可以获得近0.2μm的GaAS有源层。而注入分子离子SiF^+样品,虽注入层较浅,但灯光退火后,电激活率很低。因此,用分子离子SiF^+注入以形成GaAs超薄有源层是不相宜的。此外,根据X—射线双晶衍射的结果还对GaAs注入Si^+和SiF^+的退火行为进行了讨论。
- 关安民李钧石华君夏冠群沈鸿烈江炳尧朱南昌陈酋善
- 关键词：离子注入砷化镓
- HCP金属Mg，Ti，Zr的嵌入原子势被引量：3
- 1995年
- 采用嵌入原子法，通过拟合Ｍｇ，Ｔｉ，Ｚｒ六方晶体的晶格常数，内聚能，弹性模量，空位形成能和双原子分子的键长、键能等物理参数，分别得到Ｍｇ，Ｔｉ，Ｚｒ等ｈｃｐ金属的嵌入原子势。用拟合所得的嵌入原子势计算具有相同原子体积的ｆｃｃ，ｂｃｃ结构的能量表明：ｈｃｐ结构的能量低于ｆｃｃ，ｂｃｃ结构的能量，这说明ｈｃｐ结构的势函数是稳定的。
- 江炳尧柳襄怀邹世昌孙坚
- 关键词：嵌入原子法锆金属学
- C^+注入SiO_2薄膜的蓝光发射
- 1997年
- 自从发现多孔硅室温发射可见光现象以来,硅基纳米结构第Ⅳ族半导体发光研究引起了广泛关注。这不仅可以使传统的、成熟的硅平面工艺直接应用于光电器件中去,而且为介观系统新现象、新规律研究提供了一个理想的研究体系。
- 赵俊杨根庆林梓鑫江炳尧周祖尧柳襄怀
- 关键词：二氧化硅蓝光发射离子注入半导体
