任琮欣
- 作品数：40 被引量：63H指数：5
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信电气工程金属学及工艺更多>>
- 低能Ar^+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜被引量：3
- 2004年
- 采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上沉积Pt膜,离子/原子到达比分别为0.1、0.2、0.3。若Ar+离子的入射角为0°,XRD谱分析表明,沉积的Pt膜均呈(111)和(200)混合晶向;当Ar+离子的入射角为45°,沉积的Pt膜均呈很强的(111)择优取向。因此若合理控制Ar+离子束的入射角,可在Mo/Si(100)衬底上制备出具有显著择优取向的Pt(111)薄膜。本文采用MonteCarlo方法模拟低能Ar+离子注入Pt单晶所引起的原子级联碰撞过程,得出Ar+离子入射单晶铂(200)晶面时,Ar+离子的溅射率与入射角的关系,对Pt膜择优取向的机理作了初步的探讨和分析。
- 江炳尧蒋军冯涛任琮欣张正选宋志棠柳襄怀郑里平
- 关键词：离子束辅助沉积
- 离子束辅助沉积制备TiO_2-Nb_2O_5氧敏薄膜被引量：1
- 1997年
- 采用离子束辅助沉积方法在Ａｌ２Ｏ３陶瓷衬底上制备了ＴｉＯ２Ｎｂ２Ｏ５氧敏薄膜。考察了薄膜组分比及退火温度对薄膜氧敏特性和结构的影响。电阻氧分压特性测试结果表明，纯Ｎｂ２Ｏ５薄膜的氧敏特性优于纯ＴｉＯ２薄膜；掺入少量的Ｔｉ可使Ｎｂ２Ｏ５薄膜的氧敏特性提高，以５ｍｏｌ％ＴｉＯ２掺杂的Ｎｂ２Ｏ５薄膜最佳；过量掺杂则使Ｎｂ２Ｏ５薄膜的氧敏特性明显变差。在５ｍｏｌ％ＴｉＯ２Ｎｂ２Ｏ５薄膜中再掺入少量的Ｐｔ（０３％０５％）可使其氧敏特性更好，而且其响应时间大大缩短。Ｘ射线衍射谱（ＸＲＤ）和Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）分析表明，在退火后的ＴｉＯ２Ｎｂ２Ｏ５薄膜中Ｎｂ２Ｏ５为单斜（Ｍｆｏｒｍ）结晶相，而掺杂的Ｔｉ以非晶的ＴｉＯ２形式存在，即使在高达３４ｍｏｌ％ＴｉＯ２Ｎｂ２Ｏ５薄膜中也不例外。纯ＴｉＯ２膜为金红石结构。不同退火温度（９００１１０００Ｃ）对薄膜的氧敏特性和结构无明显影响。
- 牟海川任琮欣陈国梁陈国梁杨石奇朱建中
- 关键词：氧化物半导体离子束辅助沉积
- 低能Ar离子束辅助沉积Cu、Ag、Pt薄膜被引量：1
- 2008年
- 采用低能Ar离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)衬底上分别沉积Cu、Ag、Pt薄膜。实验发现,若辅助轰击的Ar离子束沿衬底法线方向入射,当离子/原子到达比为0.2时,沉积的Cu膜呈(111)晶向,而Ag、Pt膜均呈(111)和(100)混合晶向。当辅助轰击的Ar离子束偏离衬底法线方向45°入射时,沉积的Cu、Ag、Pt膜均呈(111)择优取向。采用Monte Carlo方法模拟能量为500eV的Ar离子入射单晶Ag所引起的原子级联碰撞过程,分别算得Ar离子入射单晶Ag(100)面、(111)面时,Ar离子的溅射率与入射角和方位角的关系。对离子注入的沟道效应和薄膜表面的自由能对薄膜择优取向的影响作了初步的探讨和分析。
- 江炳尧冯涛任琮欣柳襄怀
- 关键词：AG
- ＹＢａ＃-[２]Ｃｕ＃-[３]Ｏ＃-[７－ｘ]超导薄膜的离子注入研究
- 李贻杰任琮欣陈国梁
- 关键词：离子注入超导膜氩超导性
- 反应离子束刻蚀金刚石薄膜图形工艺
- 本发明涉及一种反应离子束刻蚀金刚石薄膜图形工艺。金刚石薄膜由热丝法生长在硅片上，刻蚀图形在具有卡夫曼型离子源的离子束刻蚀机上，采用纯氧反应离子束，以铝膜为掩模进行。铅掩模可由光刻、腐蚀或氩离子束刻蚀形成。氧分压下，金刚石...
- 任琮欣江炳尧王效东杨艺榕
- 文献传递
- 离子注入对YBa_2Cu_3O_(7-x)薄膜超导性能的影响
- 1991年
- 本文报道了Ar和F离子注入对YBa_2Cu_3O_(7-x)超导薄膜电学性能及结构的影响,通过X射线衍射和电阻温度关系的测量研究了离子注入后YBa_2Cu_3O_(7-x)薄膜T_c,J_c和结构的变化。实验中发现,在低剂量注入情况下,T_c和J_c随着注入剂量的增加而下降。但是,上临界温度和X射线衍射谱却几乎保持不变。当Ar离子的注入剂量达到1.2×10^(13)Ar/cm^2时,样品发生金属一半导体相交。当注入剂量大于1.2×10^(13)Ar/cm^2时,样品的体超导性能基本上完全消失了,X射线衍射峰的强度也有所减弱,最终发生了晶态-非晶态相变,室温电阻率增加了好几个数量级。讨论了超导性能变化及金属一半导体相变的物理起因。
- 李贻杰任琮欣陈国梁邹世昌
- 关键词：YBACUO离子注入超导性能
- 离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射性能研究被引量：2
- 2005年
- 利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面沉积铪膜,采用模拟二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba、BaO蒸发在镀铪和纯钼栅极表面的电子发射性能。实验结果表明,镀铪栅极抑制电子发射性能较好,并初步探讨了离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射的机理。
- 蒋军江炳尧郑志宏任琮欣冯涛王曦柳襄怀邹世昌
- 关键词：铪离子束辅助沉积钼栅极
- 离子束辅助沉积铪膜耐热应力性能研究
- 本文采用离子束辅助沉积方法在行波管的钨质栅网上沉积铪膜.在高真空的环境下,模拟行波管的工作条件,对不同设备,不同工艺参数沉积的铪膜进行耐热应力循环试验.应用SEM观察试验样品在高温热处理前后形貌的变化.用AES测量循铪膜...
- 江炳尧任琮欣冯涛蒋军柳襄怀
- 关键词：钼栅极电子发射离子束辅助沉积行波管
- 文献传递
- 低能Ar~+离子束辅助沉积Cu、Ag、Pt薄膜
- 采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo／Si(100)衬底上分别沉积Cu、Ag、Pt薄膜。实验发现,若辅助轰击的Ar+离子束沿衬底法线方向入射,当离子/原子的到达比为0．2时,沉积的Cu膜呈(111)晶向,而Ag、Pt...
- 江炳尧冯涛任琮欣柳襄怀
- 关键词：离子束辅助沉积
- 文献传递
- 低能Ar离子束辅助沉积Ag(111)薄膜被引量：2
- 2005年
- 采用低能Ar离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上制备Ag膜。实验发现,用Ar离子束溅射沉积的Ag膜呈(111)择优取向。若在溅射沉积Ag膜的同时,用能量为500eV的Ar离子束沿衬底法线方向对Ag膜进行辅助轰击,当离子/原子到达比为0.06时,Ag膜呈(111)择优取向;当离子/原子到达比增大到0.18时,Ag膜呈(111)和(100)混合晶向。若Ar离子的入射角为35.26°,离子/原子到达比为0.06时,Ag膜呈(111)择优取向;当离子/原子比增大到0.18时,Ag膜呈(111)和微弱的(100)混合晶向。若Ar离子的入射角为54.7°,离子/原子到达比为0.06时,沉积的Ag膜呈很强的(111)择优取向。
- 江炳尧蒋军冯涛任琮欣张正选柳襄怀郑里平
- 关键词：离子束辅助沉积沟道效应
