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郑志宏

作品数:31 被引量:135H指数:8
供职机构:中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:医药卫生金属学及工艺一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 22篇期刊文章
  • 6篇会议论文
  • 3篇专利

领域

  • 7篇医药卫生
  • 6篇金属学及工艺
  • 6篇电子电信
  • 6篇一般工业技术
  • 3篇理学
  • 1篇生物学
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程

主题

  • 23篇离子束
  • 12篇离子束增强沉...
  • 7篇氮化
  • 6篇离子注入
  • 5篇氮化钛
  • 5篇血液相
  • 5篇血液相容性
  • 5篇相容性
  • 4篇心脏
  • 4篇氧化钛
  • 4篇氧化钛薄膜
  • 4篇人工心脏
  • 3篇心脏瓣膜
  • 3篇性能研究
  • 3篇生物材料
  • 3篇热解碳
  • 3篇人工心脏瓣膜
  • 3篇金属
  • 3篇瓣膜
  • 2篇氮化硅

机构

  • 31篇中国科学院上...
  • 4篇西南交通大学
  • 2篇中国药品生物...
  • 2篇上海市心血管...
  • 1篇复旦大学
  • 1篇华西医科大学
  • 1篇同济大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇航空航天部
  • 1篇国营宝成通用...

作者

  • 31篇郑志宏
  • 25篇柳襄怀
  • 12篇王曦
  • 12篇邹世昌
  • 10篇张峰
  • 10篇黄巍
  • 9篇周祖尧
  • 6篇杨根庆
  • 5篇黄楠
  • 4篇杨萍
  • 4篇李昌荣
  • 4篇王向晖
  • 3篇陈安清
  • 3篇蒋振斌
  • 3篇林梓鑫
  • 2篇李炜
  • 2篇奚廷斐
  • 2篇陈元儒
  • 2篇曾晓兰
  • 2篇朱宏

传媒

  • 4篇功能材料与器...
  • 3篇金属学报
  • 2篇材料研究学报
  • 2篇第十一届全国...
  • 1篇中国科学(C...
  • 1篇Journa...
  • 1篇电子学报
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  • 1篇高技术通讯
  • 1篇中国生物医学...
  • 1篇应用科学学报
  • 1篇中国腐蚀与防...
  • 1篇机电元件
  • 1篇压电与声光
  • 1篇自然科学进展...
  • 1篇''99全国...
  • 1篇首届中国功能...
  • 1篇第六届全国电...

年份

  • 1篇2002
  • 4篇2001
  • 1篇2000
  • 4篇1999
  • 1篇1998
  • 5篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 2篇1994
  • 8篇1992
  • 1篇1991
  • 1篇1990
  • 1篇1989
31 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
用离子束技术改善Ni_3Al(0.1B)在H_2SO_4溶液中的耐蚀性能被引量:2
1992年
用多次扫描循环极化法研究经离子束表面改性的Ni_3Al(0.1B)在H_2SO_4溶液中的腐蚀行为。电化学测试和表面形貌的观察结果表明,离子注入、离子束混合和离子束辅助沉积技术对减缓Ni_3Al(0.1B)在用氧气饱和的1N H_2SO_4溶液中的腐蚀和改善钝化性能很有效果。
柳襄怀郑志宏黄巍林梓鑫邹世昌
关键词:NI3AL硫酸溶液耐蚀性
Ti-O/Ti-N复合薄膜的离子束合成及人工心脏瓣膜材料表面改性研究被引量:8
1997年
采用离子束增强沉积(IBED)等方法在热解碳、钛及钴合金等人工心脏瓣膜材料表面制备Ti-O、Ti-N及其复合薄膜。对薄膜的成分、结构进行了研究,测定了材料的电阻率,对薄膜材料的血液相容性和力学性能进行了系统的研究。结果表明:合成薄膜具有优于热解碳的血液相容性和力学性能,提出了材料的血液相容性机理模型。
黄楠杨萍曾小兰蔡光军陈元儒柳襄怀张峰郑志宏周祖尧奚廷斐王春仁田文华雷学会
关键词:人工心脏氮化钛离子束合成
离子束增强沉积氮化硅膜及TiAl抗高温氧化性能的改善被引量:15
1995年
用离子束增强沉积(IBED)方法在金属间化合物TiAl上合成厚度为0.5,1,和2μm的氮化硅薄膜。所形成的薄膜为非晶态,膜与基底间存在混合的过渡区,膜与基底结合紧密用AES,XRD和XPS研究薄膜的组成和结构,高温循环氧化结果表明,经沉积膜的TiAl试样的抗氧化性能显著提高其中沉积0.5μm薄膜的试样表现出极好的抗循环氧化性能由SEM及EDS分析得出,良好的高温稳定性能、高的膜/基底结合力和形成富Al2O3和硅化物的保护层是提高TiAl抗高温氧化性能的主要因素.
徐东朱宏汤丽娟杨云洁郑志宏柳襄怀谷口滋次柴田俊夫
关键词:氮化硅TIAL金属间化合物
离子束增强沉积合成薄膜的梯度特性及其应用效果
1引言梯度材料在航空航天工业中十分有用,在光学、高温保护中也很重要。有多种技术可以形成梯度材料,其中离子束增强沉积特别有用。离子束增强沉积技术把薄膜沉积与离子束轰击很好地结合在一起,使形成的薄膜与基体有很强的结合力,使化...
柳襄怀陈彪郑志宏邹世昌
TiN薄膜的合成及其性能研究被引量:1
1990年
用电子束蒸发沉积钛和40keV氮离子束轰击交替进行的办法合成了TiN薄膜。用RBS,AES,TEM,XPS,和X射线衍射研究TiN薄膜的组分和结构表明:用离子束增强沉积制备的TiN薄膜主要由TiN相构成;晶粒大小为30—40um,无择优取向;而非离子束轰击沉积的薄膜则是无定形的;用离子束增强沉积制备的TiN薄膜,其氧含量明显小于无离子束轰击薄膜的值;在TiN薄膜和衬底之间存在一个界面混合区,厚度为40um左右。机械性能测试表明,TiN薄膜具有高的显微硬度,低的摩擦系数。
周建坤柳襄怀陈酉善王曦郑志宏黄巍邹世昌
关键词:TIN膜离子束
氙离子束轰击对氮气氛中沉积钛膜的影响
采用氮气辅助氙离子束增强沉积方法合成了TiN薄膜。考察了氙离子束轰击对薄膜组份、结构、内应力、硬度以及粘着力的影响。
王曦杨根庆柳襄怀郑志宏黄巍邹世昌
关键词:离子束TIN
文献传递
95keV(N_2^+,N^+)注入Si制备SOI材料的研究
1992年
本文研究了用无质量分析的离子注入机进行95keV(N2^+,N^+)注入、高温退火和薄层外延获得的SOI(Silicon on Insulator)材料的结构与电学性质。结果表明,离子注入剂量是影响Si_3N_4埋层形成和上层硅质量的关键。
林成鲁李金华郑志宏黄巍邹世昌
关键词:SOI材料离子注入
用离子束技术改善材料电子发射特性的研究被引量:5
1996年
本文用离子束技术,使铜网的二次电子发射系数降低,场发射性能得到改善,钼网的"栅发射"得到抑制。测量并讨论了逸出功变化对电子发射性能的影响,研究表明,离子束技术是改善材料电子发射性能的有效手段。
柳襄怀朱宏郑志宏刘炎源吴静贤
关键词:电子发射特性逸出功电真空器件
离子束增强沉积氮化硅薄膜生长及其性能研究被引量:3
1989年
用离子束增强沉积技术合成了氮化硅薄膜并研究了薄膜的组分、性能和结构.结果表明,离子束增强沉积生长的氮化硅薄膜的组分比,可借助于调节氮离子和硅原子到达率之比加以控制.在合适条件下生长的氮化硅薄膜,其红外吸收特征峰在波数为840cm^(-1)附近,光折射率在2.2到2.6之间,其组分为Si_3N_4用RBS、AES、TEM、SEM、ED及扩展电阻,测量和观察生成的氮化硅薄膜的组分深度分布及结构.发现,离子束增强沉积制备的氮化硅薄膜,存在着表面富硅层、氮化硅沉积层及混合过渡层这样的多层结构.薄膜呈球状或方块状堆积.基本上是无定形相,但局部可观察到单晶相的存在.离子束增强沉积制备的氮化硅薄膜中的含氧量比不用离子束辅助沉积的显著减少.
柳襄怀薛滨郑志宏周祖尧邹世昌
关键词:离子束氮化硅薄膜生长
氧化钛薄膜的血液相容性研究被引量:10
1997年
本文研究了离子束增强沉积技术制备的氧化钛薄膜的血液相容性与薄膜的结构、成分、表面能,以及蛋白质在薄膜表面的吸附之间的关系。实验表明,血液相容性是表面能和功函数共同作用的结果。表面能决定蛋白质的吸附量,功函数决定蛋白质的变性。
张峰黄楠郑志宏杨萍曾小兰杨萍刘芳艳毛应俊周美英朱德彰刘芳艳王中尧陈安清
关键词:人工心脏氧化钛血液相容性
共4页<1234>
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