刘效岩
- 作品数：61 被引量：84H指数：6
- 供职机构：北京七星华创电子股份有限公司更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家中长期科技发展规划重大专项国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺化学工程医药卫生更多>>
- 无损伤单晶圆兆声波清洗装置的研发被引量：2
- 2016年
- 在半导体制造中,随着集成电路特征尺寸的不断缩小,晶圆表面纳米颗粒污染物的无损伤清洗变得越来越具有挑战。介绍了一种自主研发的单晶圆兆声波清洗装置,利用石英微共振腔阵列对到达晶圆表面的兆声波能量进行控制。研究了不同工艺条件下该装置清洗后的颗粒去除效率,并与常规喷嘴的清洗结果进行比较。在图形损伤方面,采用该装置对具有40 nm线宽的多晶硅线条状栅极结构的图形晶圆进行了损伤测试,并与商业化的兆声波清洗装置的清洗结果进行对比。结果表明,该自主研发的装置能够在保证对晶圆表面图形结构没有损伤的前提下,有效地去除颗粒污染物,在40 nm及以下的半导体清洗工艺中应用前景广阔。
- 滕宇陈洁冯晓敏刘伟刘效岩吴仪
- 关键词：无损伤
- 极大规模集成电路多层布线碱性抛光后防氧化方法
- 本发明涉及一种极大规模集成电路多层布线碱性抛光后防氧化方法，实施步骤如下(重量％)：(1)制备防氧化液：将FA/OI表面活性剂0.5-1％、FA/OII型螯合剂0.05-0.5％、FA/OII型阻蚀剂1-10％、余量去离...
- 刘玉岭刘效岩田军
- 微纳米气泡清洗晶圆的系统及方法
- 本发明提供了一种微纳米气泡清洗晶圆的系统及方法，包括：液体管道，气体管道，气液混合泵，超纯水管道，与超纯水管道相连接的超纯水喷头，曝气装置；超纯水经超纯水管道和超纯水喷头后喷射在晶圆上，在晶圆表面形成超纯水膜；清洗液体通...
- 刘效岩
- 磨料黏度对CMP抛光速率的影响及机理的研究被引量：2
- 2011年
- 抛光磨料在抛光衬底和抛光垫间做磨削运动,它是CMP工艺的重要组成部分,是决定抛光速率和平坦化能力的重要影响因素。因此分析磨料的各物性参数对CMP过程的影响尤为重要。随着晶圆表面加工尺寸的进一步精密化,磨料黏度作为抛光磨料重要物性参数之一,受到越来越多的重视。根据实验结果从微观角度研究了磨料黏度对CMP抛光速率的影响及机理,并由此得出当抛光液磨料黏度为1.5 mPa.s时,抛光速率可达到458 nm/min且抛光表面粗糙度为0.353 nm的良好表面状态。
- 李伟娟周建伟刘玉岭何彦刚刘效岩甘小伟
- 关键词：黏度去除速率磨料化学机械抛光
- L－(+)－乳酸的制备方法
- 本发明L－(+)－乳酸的制备方法，涉及使用酶的方法合成乳酸，是一种在有机相中酶法催化不对称水解乳酸乙酯生产L－(+)－乳酸的技术，其步骤是：取乳酸乙酯和水加入到反应器中，再加入有机溶剂和脂肪酶催化剂，其中物料配比为：乳酸...
- 高静刘效岩
- 文献传递
- 卡盘转速及喷淋臂摆动方式对晶片腐蚀性能的影响
- 2015年
- 随着晶片尺寸的不断增大,精准控制单片湿法腐蚀速率及非均匀性变得越来越具有挑战性。主要研究了300 mm单片湿法腐蚀工艺过程中,喷射稀释氢氟酸时卡盘的旋转速度和喷淋臂摆动方式对晶片表面腐蚀性的影响。结果表明,随着卡盘旋转速度的增大,腐蚀速率从1.02 nm/min线性提高到1.06 nm/min,腐蚀速率的非均匀性先是迅速降低,但当转速高于150 r/min后,基本保持在2.70%。喷淋臂在晶片中心定点喷射、匀速摆动和呈抛物线型摆动时,晶片腐蚀速率都约为1 nm/min,腐蚀速率均沿晶片中心到边缘径向降低,与定点喷射相比,喷淋臂在晶片表面摆动后,腐蚀速率的非均匀性明显降低,且抛物线摆动低于匀速摆动,达到1.48%。
- 刘伟吴仪刘效岩
- 关键词：腐蚀速率
- 一种应用于单片清洗工艺的水痕及颗粒消除方法
- 本发明公开了一种应用于单片清洗工艺的水痕及颗粒消除方法，通过将传统去离子水冲洗步骤改变为流量和转速不同的两个分步骤，先以较快的转速和较小的流量清洗以快速去除残留在硅片表面的反应产物及DHF，接着再继续以较小的转速和较大的...
- 陈洁刘效岩
- 文献传递
- 超大规模集成电路铜布线表面低压化学机械抛光方法
- 本发明涉及一种超大规模集成电路铜布线表面低压化学机械抛光方法，实施步骤如下：（1）将以下成分按重量%均匀混合制成抛光液：纳米SiO<Sub>2</Sub>磨料：35～80%，去离子水：12～60%，氧化剂：1～3%，活性...
- 刘玉岭刘效岩田军
- 文献传递
- ULSI铜材料抛光后表面清洗方法
- 本发明涉及一种ULSI铜材料抛光后表面清洗方法，具体步骤如下：制备清洗液，按重量％计：非离子型表面活性剂1-4％、FA/OII型螯合剂0.5-3％、FA/OII型阻蚀剂0.1-5％、余量去离子水；混合搅拌均匀后制备成pH...
- 刘玉岭刘效岩刘钠何彦刚
- 文献传递
- 雾化清洗装置和方法
- 本发明提供一种雾化清洗装置和方法，该雾化清洗装置包括冷却结构、谐振雾化结构和气动雾化结构，所述谐振雾化结构固定于所述气动雾化结构之上，所述冷却结构固定于所述谐振雾化结构之上，所述谐振雾化结构包括换能器和谐振器，所述谐振器...
- 刘效岩吴仪初国超王浩
- 文献传递
