胡轶
- 作品数：21 被引量：62H指数：6
- 供职机构：新疆师范大学化学化工学院更多>>
- 发文基金：国家中长期科技发展规划重大专项新疆维吾尔自治区自然科学基金国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程文化科学更多>>
- ZnO/CNTs复合材料的制备、表征及光催化性能被引量：8
- 2018年
- 采用水热法制备了一系列氧化锌和碳纳米管的复合材料(ZnO/CNTs),详细考察了碳纳米管的含量对复合材料光催化性能的影响。利用X射线衍射仪、紫外-可见漫反射吸收光谱、扫描电子显微镜、X射线能谱、透射电子显微镜、X射线光电子能谱和氮气吸附-脱附等测试手段对样品的结构、形貌和光学性质进行了表征,并用亚甲基蓝溶液模拟污染物,评价了ZnO/CNTs复合材料的光催化性能。结果表明:添加CNTs提高了ZnO的比表面积,增强了ZnO的可见光吸收。ZnO/CNTs复合材料较纯ZnO具有更高的光催化活性,并且随着CNTs含量的增加,ZnO/CNTs复合材料的光催化活性呈先增加后减小的趋势。当CNTs的含量为0.3%(质量分数)时,ZnO/CNTs复合材料的光催化活性最高,经过50min光照后,亚甲基蓝的降解率达到了96.2%。
- 潘会胡轶兀晓文胡帅帅张浩茹
- 关键词：ZNO碳纳米管复合材料光催化
- 阻挡层抛光液中助溶剂和H2O2对铜残留缺陷的影响被引量：1
- 2018年
- 针对化学机械抛光（CMP）过程中的铜残留缺陷问题,研究了一种在FA/O阻挡层抛光液中添加助溶剂和H2O2的新型阻挡层抛光液。分别考察助溶剂和H2O2对SiO2介质和铜去除速率的影响以及对碟形坑和蚀坑的修正能力,通过扫描电子显微镜（SEM）观察铜残留缺陷的情况。结果显示,在FA/O阻挡层抛光液中加入1. 5 g/L助溶剂和体积分数0. 05%H2O2对SiO2和铜的去除速率选择比最优,为1. 96。同时,添加了助溶剂和H2O2的FA/O阻挡层抛光液对碟形坑修正的能力为48. 2 nm,对蚀坑修正的能力为38. 9 nm,修正能力非常强。铜布线片阻挡层抛光后,碟形坑深度为4. 7 nm,蚀坑深度为19. 9 nm,将碟形坑和蚀坑的深度降到较小的范围。SEM检测结果表明,铜残留较少,表面形貌较好。
- 胡轶张凯何彦刚刘玉岭
- 300mm铜膜低压CMP速率及一致性被引量：6
- 2011年
- 随着铜互连结构中低k介质的应用,要求CMP抛光过程中必须将压力减小到6.89kPa以下,传统的化学机械抛光已不符合当前的工艺要求,如何兼顾超低压力下抛光速率和速率一致性成为关键问题。对300mm Blanket铜膜进行了低压化学机械抛光实验,分析研究了碱性抛光液组分及抛光工艺参数对铜膜去除速率及其一致性的影响。通过实验可得,在低压力1kPa,流量200mL/min,转速30r/min,氧化剂体积分数2%,磨料体积分数30%,螯合剂体积分数3%时,抛光速率为330nm/min,表面非均匀性为0.049,抛光后表面粗糙度为0.772nm,得到了较为理想的实验结果。
- 邢少川刘玉岭刘效岩田雨胡轶王辰伟
- 关键词：低压碱性抛光液抛光速率
- 合成酯类助溶剂对汽轮机油基础油湿法过滤性的影响
- 2019年
- 考察了3种不同酯类助溶剂对2种不同黏度等级的基础油湿法过滤性的影响。结果表明:合成酯类助溶剂的加入均小幅度地提高了两种基础油的湿法过滤性,合成酯的含量对2种基础油的湿法过滤性基本没有影响,用合成酯替换复合剂中的醚类助溶剂以提高成品油的湿法过滤性是可行的。
- 胡轶吴世雄李少萍
- 关键词：汽轮机油合成酯
- 超大规模集成电路铝布线抛光后晶片表面洁净处理方法
- 本发明涉及一种超大规模集成电路铝布线抛光后晶片表面洁净处理方法，其特征是：具体步骤如下，制备水抛液：按重量份数计(份)取去离子水，边均匀搅拌边加入表面活性剂0.5％-5％、FA/O II型螯合剂0.1-5％，FA/O I...
- 刘玉岭周建伟胡轶
- 文献传递
- Fe、Ni掺杂ZnO纳米材料的光学、磁性及光催化性能的研究被引量：1
- 2020年
- 采用草酸-氨水两步共沉淀法制备了ZnO以及Fe、Ni掺杂的Zn1-xMxO(0.00≤x≤0.06)纳米材料,利用XRD、UV-Vis、PL和VSM对其结构、光学和磁学性质进行表征与分析,并以亚甲基蓝溶液为模拟污染物,评价了Zn1-xMxO材料的光催化降解性能,考察Fe、Ni掺杂对ZnO结构、光学、磁学性质和光催化降解性能的影响。结果表明,所有的Zn1-xMxO样品都具有六方纤锌矿结构;Fe、Ni掺杂提高了ZnO的可见光吸收,且随着掺杂浓度的增加,Zn1-xMxO样品的带隙宽度减小;ZnO和Zn1-xMxO材料的光致发光主要有蓝光发射和绿光发射;Fe、Ni掺杂后的Zn1-xMxO样品表现出明显的室温铁磁性,随着掺杂浓度的增加,Zn1-xFexO的磁性增加,而Zn1-xNixO的磁性减小;Fe、Ni的掺杂浓度对ZnO的光催化降解性能产生较大的影响,高浓度掺杂反而降低了ZnO的光催化降解性能。
- 潘会胡轶胡帅帅
- 关键词：ZNO光学磁学光催化性能
- 碱性抛光液在CMP过程中对低k介质的影响被引量：2
- 2012年
- 以p型<111>硅片为衬底,经过旋涂固化制备低介电常数(低k)材料聚酰亚胺。经过化学机械抛光(CMP)过程,考察实验前后低k材料介电性能的变化。实验中分别使用阻挡层抛光液、Cu抛光液以及新型抛光液对低k材料进行抛光后,利用电参数仪对低k材料进行电性能测试。结果显示,低k材料介电常数经pH值为7.09新型抛光液抛光后,k值由2.8变为2.895,漏电流在3.35 pA以下,去除速率为59 nm/min。经新型抛光液抛光后的低k材料,在电学性能等方面均优于阻挡层抛光液和Cu抛光液,抛光后的低k材料的性能能够满足应用要求。
- 王立冉邢哲刘玉岭胡轶刘效岩
- 关键词：低K材料化学机械抛光抛光液
- pH值调节剂对Si片CMP速率的影响被引量：11
- 2010年
- 通过一系列实验研究了有机和无机pH值调节剂对Si片抛光速率的影响及其影响机理。使用有机碱调节抛光液的pH值,随着pH值的增大,Si片的CMP速率先增大后减小,pH值为10.85时,Si片的抛光速率最大,为280nm/min;使用无机碱KOH代替有机碱调节抛光液的pH值时,抛光速率随pH值的增加而增大。无论使用何种pH值调节剂,pH值为10～11.5时,纳米SiO2溶胶的粒径能够稳定在43nm左右。随着pH值的升高,Si片与抛光液的反应越来越强烈,其反应产物在抛光液中的溶解度也会越来越大。pH值调节剂影响Si片表面钝化膜的形成速率和去除速率,并最终影响Si片化学机械抛光的效果。
- 杨金波刘玉岭刘效岩胡轶孙鸣
- 关键词：有机碱KOH溶解度抛光速率
- ULSI碱性抛光液对铜布线平坦化的影响研究被引量：3
- 2011年
- 研究了铜化学机械平坦化的模型。通过研究分析,采用40 nm粒径的硅溶胶作为磨料,H2O2作为氧化剂,还包含螯合剂和FA/O表面活性剂作为抛光液。分析了工艺条件(包括压力、流量、转速、温度等)和抛光液(H2O2、有机碱、磨料粒径)对抛光过程的影响。通过实验结果,确定了相应的实验条件和抛光液来解决铜化学机械抛光过程中出现的碟形坑等问题,分析了表面活性剂对表面粗糙度的影响。
- 唐心亮智兆华刘玉岭胡轶刘效岩王立冉
- 关键词：碱性抛光液工艺参数化学机械抛光
- 师范院校提升化工专业实验教学质量的策略被引量：3
- 2013年
- 师范院校的工科专业是扩大高校社会影响、有效服务地方经济的重要抓手。文章针对师范院校建设非师范类化工专业的理念薄弱,办学经验不足,人才缺乏,需要建设的教学和实践实验平台多等现实问题,紧扣化工专业实验教学质量问题,提出了我们的指导策略及具体措施,为高水平化工专业实验室的设计规划和运行管理提供帮助,以培养复合型、创新型和应用型化工紧缺人才。
- 赵志西胡轶王英波李少萍
- 关键词：师范院校化工实验教学
