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吕红亮

作品数：212 被引量：54H指数：5
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 150篇专利
  • 29篇期刊文章
  • 20篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 79篇电子电信
  • 16篇自动化与计算...
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 46篇电路
  • 32篇晶体管
  • 27篇半导体
  • 22篇4H-SIC
  • 20篇异质结
  • 17篇迁移率
  • 16篇碳化硅
  • 15篇半导体器件
  • 14篇源区
  • 14篇MESFET
  • 14篇场效应
  • 13篇肖特基
  • 12篇仿真
  • 11篇电子迁移率
  • 11篇信号
  • 11篇集成电路
  • 11篇SIC
  • 10篇等效
  • 10篇等效电路
  • 10篇淀积

机构

  • 201篇西安电子科技...
  • 5篇武警工程学院
  • 2篇中国科学院
  • 1篇南京电子器件...
  • 1篇河南科技大学
  • 1篇北京理工大学
  • 1篇西北大学
  • 1篇教育部
  • 1篇西北核技术研...
  • 1篇中兴通讯股份...
  • 1篇中国科学院微...
  • 1篇中国科学院大...
  • 1篇国网智能电网...
  • 1篇中国人民解放...

作者

  • 201篇吕红亮
  • 188篇张玉明
  • 117篇张义门
  • 26篇贾仁需
  • 25篇武岳
  • 23篇汤晓燕
  • 16篇宋庆文
  • 13篇张金灿
  • 11篇王悦湖
  • 11篇张艺蒙
  • 11篇朱翊
  • 9篇程林
  • 8篇张静
  • 7篇刘琛
  • 6篇李苗
  • 5篇郭辉
  • 5篇项萍
  • 5篇车勇
  • 5篇陈丰平
  • 5篇杨实

传媒

  • 6篇Journa...
  • 4篇红外与毫米波...
  • 4篇固体电子学研...
  • 4篇第十五届全国...
  • 3篇西安电子科技...
  • 2篇物理学报
  • 2篇微电子学
  • 2篇微纳电子与智...
  • 1篇电子学报
  • 1篇计算物理
  • 1篇微波学报
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇科技资讯
  • 1篇第三届计算物...
  • 1篇第十六届全国...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇2013年全...

年份

  • 4篇2024
  • 14篇2023
  • 11篇2022
  • 25篇2021
  • 18篇2020
  • 9篇2019
  • 13篇2018
  • 19篇2017
  • 10篇2016
  • 14篇2015
  • 12篇2014
  • 10篇2013
  • 5篇2012
  • 2篇2011
  • 7篇2010
  • 5篇2009
  • 6篇2008
  • 6篇2007
  • 1篇2005
  • 1篇2004
共 212 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种CMOS掺杂参数工艺-设计协同校准及优化方法
本发明公开了一种CMOS掺杂参数工艺‑设计协同校准及优化方法，包括：获取尺寸不同的多个CMOS器件的工作条件、特性数据、初始掺杂参数和结构参数；从特性数据中选择出原始第一端特性值和原始第二端特性值；基于工作条件、结构参数...
吕红亮乔晶姚如雪张玉明
一种三角形模块化结构的多电平变换器
本发明公开了一种三角形模块化结构的多电平变换器，该变换器包括n级串联组合电路，每级组合电路中包含多个DC‑DC模块，从第1级组合电路至第n级组合电路，模块数量线性递减。该模块化多电平变换器可在确保各DC‑DC模块均流、均...
孙乐嘉张少华吕红亮张玉明薛璇田雨露
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基于SDD模型测试GaAs HBT抗辐照性能的方法
本发明公开了一种基于SDD模型测试GaAs HBT抗辐照性能的方法，主要解决现有方法实验复杂，难度大，耗时长，不具有普遍性的问题。其实现步骤为：1）用ADS软件分析电路，确定器件的敏感参数；2）选择实验样品进行辐照前器件...
吕红亮魏志超张金灿张玉明张义门刘敏
文献传递
Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/LaAlO<Sub>3</Sub>/SiO<Sub>2</Sub>堆垛栅介质层的SiC MOS电容及制造方法
本发明涉及一种Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/LaAlO<Sub>3</Sub>/SiO<Sub>2</Sub>堆垛栅介质层的SiC？MOS电容及制造方法，包括：SiC衬底为重掺杂的SiC衬底层，...
贾仁需赵东辉吕红亮张玉明
文献传递
InAs/AlSb HEMT及MOS‑HEMT器件的制备方法
本发明公开了一种InAs/AlSb HEMT及MOS‑HEMT器件的制备方法，主要用来降低器件的导通电阻及栅极漏电的问题。本发明提供的InAs/AlSb HEMT器件的制备方法，包括以下工艺步骤：1)外延材料生长；2)台...
吕红亮张静杨施政张义门张玉明
高采样率宽带跟踪保持电路
本发明公开了高采样率宽带跟踪保持电路，涉及电子技术领域，包括输入缓冲单元IB、跟踪/保持开关T/H、保持电容CH以及输出缓冲单元OB。引入全差分的电路结构，实现较好的共模噪声抑制能力。本发明使用带发射极退化电阻的输入、输...
吕红亮李少军杨施政张义门张玉明武岳
高K/ZnO/低In组分InGaAs的MOS电容及制备方法
本发明公开了一种高K/ZnO/低In组分InGaAs的MOS电容及制备方法，主要解决现有同类器件界面态密度高的问题，其自下而上包括：欧姆接触金属(1)、衬底(2)、GaAs缓冲层(3)、InGaAs沟道层(4)、ZnO钝...
刘琛吕红亮杨彤张玉明张义门
文献传递
基于晶体管的高速D触发器
本发明公开了一种基于晶体管器件的高速D触发器，主要解决现有D触发器相位噪声高和工作频率低的问题。其主要由第一锁存器（1）、第二锁存器（2）、预置电路（3）、第一电流源电路（4a）和第二电流源电路（4b）组成。由差分电路构...
吕红亮刘一峰张金灿张义门张玉明周威
文献传递
4H-SiC混合PiN/Schottky二极管的一种复合终端结构的研究
碳化硅以其优越的材料性能在功率器件领域得到广泛的研究和应用,同时混合PiN/Schottky二极管(MPS)是一种理想的整流器件。针对4H-SiCMPS器件设计并优化了一种带有偏移场板的场限环和结终端扩展的复合型终端结构...
黄健华吕红亮张玉明张义门汤晓燕陈丰平宋庆文
关键词：4H-SIC结终端技术
Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/La<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/SiO<Sub>2</Sub>堆垛栅介质层的SiC MOS电容及制造方法
本发明涉及一种Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/La<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/SiO<Sub>2</Sub>堆垛栅介质层的SiC MOS电容及制造方法，包括：SiC衬底为重...
贾仁需赵东辉吕红亮张玉明
文献传递
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