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汤晓燕

作品数：339 被引量：93H指数：6
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划西安应用材料创新基金更多>>
相关领域：电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 285篇专利
  • 40篇期刊文章
  • 12篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 130篇电子电信
  • 13篇理学
  • 11篇电气工程
  • 8篇一般工业技术
  • 7篇文化科学
  • 6篇自动化与计算...
  • 1篇经济管理
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇核科学技术

主题

  • 94篇碳化硅
  • 76篇肖特基
  • 54篇肖特基接触
  • 51篇二极管
  • 38篇电阻
  • 35篇欧姆接触
  • 34篇导通
  • 33篇外延层
  • 31篇肖特基二极管
  • 29篇源区
  • 29篇4H-SIC
  • 28篇电路
  • 27篇导通电阻
  • 27篇晶体管
  • 23篇势垒
  • 23篇击穿电压
  • 21篇氧化层
  • 20篇电极
  • 20篇漂移区
  • 18篇电压

机构

  • 339篇西安电子科技...
  • 2篇西安电子科技...
  • 2篇国网智能电网...
  • 1篇西安邮电大学
  • 1篇西安武警工程...
  • 1篇陕西青年职业...
  • 1篇湖南国芯半导...

作者

  • 339篇汤晓燕
  • 316篇张玉明
  • 270篇宋庆文
  • 164篇张艺蒙
  • 99篇袁昊
  • 60篇张义门
  • 44篇王悦湖
  • 38篇何艳静
  • 35篇贾仁需
  • 34篇元磊
  • 30篇郭辉
  • 23篇吕红亮
  • 16篇韩超
  • 11篇弓小武
  • 10篇李彦良
  • 8篇杨飞
  • 8篇陈辉
  • 8篇王文
  • 8篇杨帅
  • 7篇赵艳黎

传媒

  • 10篇物理学报
  • 6篇Journa...
  • 3篇西安电子科技...
  • 2篇强激光与粒子...
  • 2篇光谱学与光谱...
  • 2篇现代应用物理
  • 2篇第十五届全国...
  • 1篇中国电力
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇科技导报
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇航空计算技术
  • 1篇电子器件
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇新材料产业
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇电子与封装
  • 1篇科技信息
  • 1篇大功率变流技...

年份

  • 30篇2024
  • 23篇2023
  • 43篇2022
  • 22篇2021
  • 36篇2020
  • 31篇2019
  • 15篇2018
  • 29篇2017
  • 10篇2016
  • 7篇2015
  • 30篇2014
  • 10篇2013
  • 9篇2012
  • 10篇2011
  • 7篇2010
  • 4篇2009
  • 5篇2008
  • 5篇2007
  • 6篇2006
  • 2篇2004
共 339 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种半沟槽离子注入的混合PiN肖特基二极管
本发明公开了一种半沟槽离子注入的混合PiN肖特基二极管，包括：N<Sup>+</Sup>衬底区；漂移层，位于N<Sup>+</Sup>衬底区上，漂移层的表面至少包括两个沟槽及相邻两个沟槽之间的一个凸起结构；P型区，包括：...
宋庆文张玉明汤晓燕袁昊张艺蒙王栋
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一种集成式高压碳化硅达林顿管及其制作方法
本发明公开了一种集成式高压碳化硅达林顿管及其制作方法，属于微电子技术领域。以提高驱动管电流增益，同时使得工艺简单，降低成本。包括：N+发射区，设置在所述基区上表面，包括呈倾斜槽型的器件沟槽，呈倾斜槽型的器件隔离区和呈垂直...
元磊李钊君宋庆文汤晓燕张艺蒙张玉明
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一种应用于高温环境的SiC MOSFET驱动电路
本发明涉及一种应用于高温环境的SiC MOSFET驱动电路，包括：电源、主驱动电路、驱动保护电路和SiC MOSFET；其中，电源连接主驱动电路和驱动保护电路；主驱动电路连接SiC MOSFET；驱动保护电路连接主驱动电...
张艺蒙徐帅吕红亮宋庆文汤晓燕
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一种高温碳化硅功率器件封装结构及其制备方法
本发明实施例提供了一种高温碳化硅功率器件封装结构及制备方法，涉及半导体器件封装领域，可以有效地增强器件寿命，提高器件稳定性，同时降低成本，简化工艺。所述封装结构包括：金属正电极(1)、金属负电极(3)以及所述金属正电极(...
张艺蒙李家昌宋庆文王悦湖张玉明汤晓燕贾仁需
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碳化硅功率器件研究现状被引量：8
2015年
随着我国科技事业的大力发展，尤其是航空航天、高铁和高压输电等尖端领域，非常需要性能更好的功率器件作为研究和发展的支撑。而硅（si）器件由于材料本身的限制导致其不适合在某些严酷条件下工作，
张玉明汤晓燕宋庆文
关键词：硅功率器件碳化航空航天高压输电
一种集成SBD的碳化硅UMOSFET器件
本发明涉及一种集成SBD的碳化硅UMOSFET器件，包括：N+衬底区、N‑外延区、P‑阱区、N+注入区、栅极、第一P+注入区、第二P+注入区、源极和漏极，其中，第一P+注入区和第二P+注入区的深度大于栅极的深度，源极与N...
袁昊何艳静韩超汤晓燕宋庆文张玉明
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n+多晶硅/n+ SiC异质结欧姆接触被引量：1
2006年
采用器件仿真软件ISE TCAD模拟了n+多晶硅/n+ SiC异质结形成欧姆接触的新的SiC欧姆接触制造技术.模拟结果表明n+多晶硅/n+ SiC异质结接触可以形成良好的欧姆接触,具有工艺简单、性能优良的优点.
张林张义门张玉明汤晓燕
关键词：SIC欧姆接触多晶硅异质结
一种新型浮结碳化硅功率器件的SIMS-JTE终端结构及其制备方法
本发明公开了一种新型浮结碳化硅功率器件的SIMS‑JTE终端结构及其制备方法，该方法包括：提供一N+衬底；在N+衬底的一侧表面制作至少一层外延结构；外延结构包括：第一N‑外延层、浮结p区和JTE；在至少一层外延结构远离N...
汤晓燕刘延聪袁昊王溶周瑜宋庆文陈泽宇陈利利
一种基于双MOS栅控的N型碳化硅晶闸管及其制备方法
本发明公开了一种基于双MOS栅控的N型碳化硅晶闸管，包括：钝化层(1)、阳极接触金属(2)、关断栅极接触金属(3)、开启栅极接触金属(4)、栅氧化层(5)、P+短路区(6)、N+阳极区(7)、P‑漂移区(8)、N‑漂移区...
元磊杨柳汤晓燕宋庆文张艺蒙张玉明张义门
文献传递
一种双沟道半包结构UMOSFET器件
本发明涉及一种双沟道半包结构UMOSFET器件，包括：N+衬底、n‑漂移区、电流传输层、沟道区、n+源区、栅氧化层、栅电极、夹层氧化层、半包结构、源电极和漏电极，其中，N+衬底、n‑漂移区、电流传输层、沟道区、n+源区依...
张玉明王晨谕杜丰羽袁昊汤晓燕宋庆文
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