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袁昊
作品数:
115
被引量:2
H指数:1
供职机构:
西安电子科技大学
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相关领域:
电子电信
文化科学
电气工程
自动化与计算机技术
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合作作者
张玉明
西安电子科技大学
宋庆文
西安电子科技大学
汤晓燕
西安电子科技大学
何艳静
西安电子科技大学
张艺蒙
西安电子科技大学
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2013
共
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一种以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法
本发明公开了一种以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法,包括:选取SiC衬底;对SiC衬底的背面进行预设深度的N离子注入;在SiC衬底的正面形成石墨烯/SiC结构;在石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积Au膜;在Si...
胡彦飞
纪宇婷
郭辉
梁佳博
何艳静
袁昊
王雨田
文献传递
一种抗单粒子的SiC UMOSFET器件
本发明涉及一种抗单粒子的SiC UMOSFET器件,包括:衬底;漏极设置在衬底下方;N‑漂移区位于衬底上方;第一P+区位于N‑漂移区的内部;第二P+区位于N‑漂移区的内部;P型基区设置在N‑漂移区的内部,位于第一P+区与...
汤晓燕
张男
宋庆文
袁昊
陶静雯
张玉明
一种结型势垒肖特基二极管
本发明涉及一种结型势垒肖特基二极管,包括从下至上依次设置的底层金属层、N+衬底层和N‑外延层,其中,N‑外延层上设置有隔离介质层和顶层金属层,隔离介质层环绕在N‑外延层上表面的四周,顶层金属层设置在N‑外延层和隔离介质层...
张玉明
宋庆文
汤晓燕
袁昊
张艺蒙
范鑫
文献传递
一种新型异质结光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种新型异质结光电探测器及其制备方法,由碳化硅、单层石墨烯、氧化镓和电极组成,所述单层石墨烯设置于所述碳化硅与所述氧化镓之间,所述电极为两个,两个所述电极均与所述单层石墨烯接触连接。与现有技术相比,本发明采用...
胡彦飞
兰志超
郭辉
王雨田
袁昊
何艳静
一种集成JBS二极管的SiC MOSFET元胞结构及器件版图
本发明公开了一种集成JBS二极管的SiC MOSFET元胞结构及器件版图,其中,每个元胞结构均包括一个半包围式VDMOS元胞和一个条形JBS二极管;JBS二极管位于VDMOS元胞的下方,且JBS二极管的长度等同于VDMO...
何艳静
夏童童
詹欣斌
袁昊
宋庆文
汤晓燕
弓小武
张玉明
一种集成TJBS的碳化硅UMOSFET器件
本发明涉及一种集成TJBS的碳化硅UMOSFET器件,包括:N+衬底区、N‑外延区、P‑阱区、N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、栅极,源极和漏极,其中,第二P+注入区与第一P+注入区间隔设置且深度一致,第一P+...
何艳静
袁昊
胡彦飞
汤晓燕
宋庆文
张玉明
文献传递
一种L型垂直源极的碳化硅MOSFET器件及其制作方法
本发明公开了一种L型垂直源极的碳化硅MOSFET器件及其制作方法,包括:依次设置的N型衬底、N型外延层、P型阱区以及N型源极区;P型离子注入区,位于N型外延层以及P型阱区中;N型外延层、P型阱区、N型源极区以及P型离子注...
何艳静
周圣钧
汤晓燕
袁昊
宋庆文
弓小武
张玉明
提高SiC MOSFET抗浪涌能力的半导体器件
本发明公开了一种提高SiC MOSFET抗浪涌能力的半导体器件,涉及碳化硅功率半导体领域,包括:第一元胞区,第一元胞区包括多个阵列排布的晶体管,晶体管包括体二极管;第一二极管区,至少部分围绕第一元胞区,第一二极管区包括多...
何艳静
裴冰洁
赖建锟
袁昊
宋庆文
汤晓燕
弓小武
张玉明
一种集成新型刻蚀工艺JBS的SiC浮结UMOSFET器件及其制备方法
本发明涉及一种集成新型刻蚀工艺JBS的SiC浮结UMOSFET器件及其制备方法,该MOSFET器件包括:N+衬底层、第一N‑外延层、P+离子注入区、第二N‑外延层、第一P+注入区、第二P+注入区、栅电极、第一P‑阱区、第...
汤晓燕
白志强
何艳静
袁昊
宋庆文
张玉明
文献传递
一种具有栅电极表面场的平面PiN型β辐照电池及制备方法
本发明涉及一种具有栅电极表面场的平面PiN型β辐照电池及制备方法,辐照电池包括PiN单元和位于PiN单元上的放射性同位素单元,PiN单元包括N型掺杂4H‑SiC衬底、N型掺杂4H‑SiC外延层、P型离子注入区、N型欧姆接...
韩超
钱驰文
袁飞霞
郭辉
张玉明
袁昊
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