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何艳静

作品数：87 被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 86篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 49篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程

主题

  • 15篇电极
  • 15篇碳化硅
  • 14篇肖特基
  • 13篇电阻
  • 12篇FET器件
  • 11篇欧姆接触
  • 11篇肖特基接触
  • 9篇源区
  • 9篇势垒
  • 9篇槽栅
  • 8篇导通
  • 8篇栅氧化
  • 8篇漏极
  • 8篇半导体
  • 7篇导通电阻
  • 7篇电子迁移率
  • 7篇淀积
  • 7篇迁移率
  • 7篇功率器件
  • 7篇半导体器件

机构

  • 87篇西安电子科技...

作者

  • 87篇何艳静
  • 50篇弓小武
  • 40篇袁昊
  • 39篇袁嵩
  • 35篇汤晓燕
  • 35篇宋庆文
  • 35篇张玉明
  • 16篇胡彦飞
  • 12篇姜涛
  • 10篇郭辉
  • 4篇王颖
  • 3篇张艺蒙
  • 2篇吕红亮
  • 2篇王猛
  • 2篇韩超
  • 2篇贾仁需
  • 1篇李彦良

年份

  • 8篇2024
  • 9篇2023
  • 30篇2022
  • 21篇2021
  • 15篇2020
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2014
共 87 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种集成SBD的碳化硅UMOSFET器件
本发明涉及一种集成SBD的碳化硅UMOSFET器件，包括：N+衬底区、N‑外延区、P‑阱区、N+注入区、栅极、第一P+注入区、第二P+注入区、源极和漏极，其中，第一P+注入区和第二P+注入区的深度大于栅极的深度，源极与N...
袁昊何艳静韩超汤晓燕宋庆文张玉明
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具有动态载流子通道的低损耗超结IGBT器件及其制造方法
本发明公开了一种具有动态载流子通道的低损耗超结IGBT器件及其制造方法，器件结构包括：N‑漂移区、P‑掺杂区、空穴阻挡层、P基区、N+源区、P+接触区、P‑沟槽区、第一栅极、源极以及欧姆接触区，P‑掺杂区位于N‑漂移区中...
何艳静张飞翔袁嵩弓小武
文献传递
一种槽栅结构与双异质结结构的氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明公开了一种槽栅结构与双异质结结构的氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法，对绝缘介质层和各个层形成的界面在超临界流体下进行退火处理，同时，采用低温退火工艺，避免了高温的再氧化和材料分解，利用SCF态高渗透、高溶解以及...
袁嵩张世杰江希姜涛严兆恒何艳静弓小武
实现沟槽栅MOSFET的P型屏蔽层接地的方法及器件
本发明提供实现沟槽栅MOSFET的P型屏蔽层接地的方法及器件，涉及微电子技术领域。其中，该方法包括：在SiC衬底表面外延生长第一N型漂移区，对在源区的第一N型漂移区进行离子注入形成P+屏蔽层，并使P+屏蔽层延伸至在预设终...
周瑜陶静雯宋庆文袁昊汤晓燕张玉明何艳静王晨谕
一种垂直导电型功率半导体器件双面压接封装结构
本发明涉及一种垂直导电型功率半导体器件双面压接封装结构，包括：第一功率电极端盖、第一驱动电极弹簧针PCB组件、若干第一功率电极钼片、若干第一功率电极柔性导电金属片、若干定位框、若干功率芯片、若干第二功率电极柔性导电金属片...
江希徐志佳尹溶璐袁嵩何艳静弓小武
一种SiC JBS二极管器件及其制备方法
本发明公开了一种SiC JBS二极管器件及其制备方法，属于微电子技术领域，包括自下而上依次设置的阴极、N+衬底、N‑外延层、P+注入区和阳极，两个所述P+注入区之间设置有沟槽结构；本发明在两个P+注入区之间的肖特基接触面...
袁昊刘延聪胡彦飞何艳静汤晓燕宋庆文张玉明
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基于动态阈值电压的功率器件结温在线监测系统
本发明公开了一种基于动态阈值电压的功率器件结温在线监测系统，包括：待测功率器件、温控单元、栅极驱动电路、工况采样单元、结温监测单元、结温评估单元和控制单元。本发明通过建立功率器件结温在线监测系统，在不同直流母线电压和工作...
王颖江希袁嵩何艳静弓小武
一种集成JBS的碳化硅UMOSFET器件
本发明涉及一种集成JBS的碳化硅UMOSFET器件，包括N+衬底区、N‑外延区、P‑阱区、N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、栅极、源极以及漏极，其中，栅极的深度小于第一P+注入区的深度，第二P+注入区与第一P+...
汤晓燕余意袁昊何艳静宋庆文张玉明
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三端电压控制器件及其制作方法
本发明公开了一种三端电压控制器件及其制作方法，涉及功率电子器件技术领域，包括：衬底；缓冲层，位于衬底的一侧；钝化层，位于缓冲层背离衬底的一侧，钝化层包括开口，开口内包括沟道层和势垒层，沟道层位于缓冲层背离衬底的一侧，势垒...
江希姜涛袁嵩张世杰严兆恒何艳静弓小武
一种新的超级结器件及其制备方法
本发明公开了一种新的超级结器件及其制备方法，该器件包括：N+衬底；N‑漂移区，设置于N+衬底上表面；至少两个P型柱区，间隔设置于N‑漂移区内；若干P+体区，分别设置于P型柱区中最顶端的P型柱子区；若干N+源区，分别设置于...
何艳静赖建锟江希袁嵩弓小武
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