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吴东阁

作品数:4 被引量:2H指数:1
供职机构:沈阳仪表科学研究院有限公司更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇低功耗
  • 2篇电阻
  • 2篇功耗
  • 2篇感器
  • 2篇传感
  • 2篇传感器
  • 2篇磁敏
  • 2篇磁敏电阻
  • 2篇磁体
  • 2篇强磁体
  • 1篇钝化
  • 1篇真空蒸镀
  • 1篇热处理温度
  • 1篇工艺技术
  • 1篇SIO
  • 1篇磁传感器
  • 1篇磁阻传感器

机构

  • 2篇沈阳仪器仪表...
  • 2篇沈阳仪表科学...

作者

  • 4篇吴东阁
  • 4篇李绍恒
  • 2篇孔海霞
  • 2篇王晓雯
  • 2篇孙仁涛
  • 2篇李鸿儒
  • 2篇王晓雯
  • 1篇刘佩瑶
  • 1篇杨正川

传媒

  • 3篇仪表技术与传...

年份

  • 1篇2004
  • 1篇2003
  • 2篇2001
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
SiO钝化膜制备工艺技术被引量:1
2004年
介绍了利用真空蒸镀的方法制作SiO钝化膜的工艺技术,并对工艺中的关键工艺、出现的问题进行了分析,给出了解决方案。最后介绍了SiO作为钝化膜在低功耗磁阻传感器中的成功应用,包括SiO的蒸发工艺参数、光刻腐蚀工艺。低功耗磁阻传感器的敏感膜由Co、Ni薄膜组成,由于Co、Ni材料的特殊性(容易氧化),以致常用的高温钝化膜不能应用在这一领域。SiO钝化膜的成功研制使得低功耗磁阻传感器的灵敏度和可靠性有较大程度的提高,生产成本也进一步降低。
李绍恒王晓雯杨正川吴东阁
关键词:SIO钝化
强磁体磁阻薄膜的研制
2003年
强磁体薄膜是制造强磁体磁阻器件的基础,也是制造强磁体磁阻器件的最关键的一道工艺,对于制备低功耗的强磁体磁阻器件,要求薄膜厚度很薄,约40nm,这对薄膜的制备工艺提出了更高的要求。本文主要论述了用真空蒸镀的方法制取低功耗强磁体磁阻器件用的强磁体薄膜的理论基础,并在所用材料、蒸镀方法、材料的配比、蒸发基底温度、热处理温度、膜层厚度等对薄膜的磁各向异性(△ρ/ρ_0)的影响进行了详细阐述。
吴东阁王晓雯李绍恒
关键词:真空蒸镀热处理温度
低功耗磁敏电阻的研制及其应用
低功耗强磁体磁阻器件研制的主要技术难点:铁磁性薄膜的蒸镀工艺技术、结晶化处理技术、薄膜刻蚀技术、元件表面钝化技术、批量生产工艺技术。低功耗强磁体磁阻器件的主要特点:适用于测量磁场方向的变化;具有倍频输出特性,对在速度控制...
孙仁涛吴东阁孔海霞王晓雯李绍恒刘佩瑶李鸿儒
文献传递
低功耗磁敏电阻的研制及其应用被引量:1
2001年
介绍了用铁磁性薄膜制作的低功耗强磁体磁敏电阻的工作原理、制作方法及其典型应用。该元件具有输出灵敏度高、功耗低的特点 ,对弱磁场检测和在用电池供电的场合下应用 ,具有特殊的优势。
孙仁涛王晓雯吴东阁孔海霞李绍恒李鸿儒
关键词:强磁体磁敏电阻磁传感器
共1页<1>
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