吴海平
- 作品数：8 被引量：25H指数：3
- 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
- GaN n-MOSFET反型沟道电子迁移率模型
- 2005年
- 在器件物理的基础上,提出了一种半经验的GaN n-MOSFET反型沟道电子迁移率模型。该模型考虑了位错、界面态、光学声子、离化杂质、表面粗糙、声学声子,以及高场对迁移率的影响。模拟结果表明,界面态和位错是影响沟道迁移率的主要因素,尤其是界面态,它决定了迁移率的最大值,而位错密度的增加使迁移率减小。此外,表面粗糙散射和高场散射主要影响高场下载流子迁移率。由此可见,GaN n-MOSFET沟道迁移率的提高依赖于晶体质量和界面质量的提高。
- 邹晓徐静平陈卫兵吴海平
- 关键词：GANMOSFET电子迁移率散射机制
- 杂质非完全离化对SiC n-MOSFET电特性的影响
- 2005年
- 文章研究了SiC中杂质非完全离化对器件性能的影响。通过考虑场致离化效应,分析了空间电荷区电荷密度与表面势的关系,得出在SiC MOSFET反型条件下,可近似认为杂质完全离化。在此基础上,模拟了4H-SiC MOSFET的漏电流-栅压曲线和迁移率-栅压曲线。模拟结果与实验数据非常吻合。
- 李春霞徐静平吴海平黎沛涛
- 关键词：MOS场效应晶体管迁移率
- 4H-SiC n-MOSFET的高温特性分析被引量：10
- 2005年
- 通过考虑迁移率和阈值电压随温度的变化关系,模拟分析了4H-SiCn-MOSFET高温下的电学特性,模拟结果与实验有较好的符合.并进一步讨论了主要结构参数和工艺参数对高温电特性的影响及其最佳取值.
- 徐静平李春霞吴海平
- 关键词：4H-SIC迁移率阈值电压
- 一种新型的6H-SiC MOS器件栅介质制备工艺被引量：2
- 2005年
- 采用干 O2 +CHCCl3(TCE)氧化并进干 /湿 NO退火工艺生长 6H-Si C MOS器件栅介质 ,研究了 Si O2 /Si C界面特性。结果表明 ,NO退火进一步降低了 Si O2 /Si C的界面态密度和边界陷阱密度 ,减小了高场应力下平带电压漂移 ,增强了器件可靠性 ,尤其是湿 NO退火的效果更为明显。
- 吴海平徐静平李春霞
- 关键词：碳化硅界面态密度可靠性
- SiO2/SiC界面特性研究
- 本文对SiC MOS 器件SiO2/SiC的界面特性进行了系统、详细的研究。
针对SiC材料宽带隙的特点，从SiC衬底杂质的不完全离化出发，建立起包括杂质不完全离化，Pool-Frenkel效应，少子产生率等因素的Si...
- 吴海平
- 关键词：碳化硅界面态MOS器件二氧化硅电子迁移率
- O_2+CHCCl_3氧化对6H-SiC MOS电容界面特性的改善被引量：2
- 2004年
- 采用新颖的干O2+CHCCl3(TCE)氧化工艺,制备了P型和N型6H-SiCMOS电容器,并与常规热氧化工艺以及氧化加NO退火工艺进行了对比实验。结果表明,O2+TCE氧化不仅提高了氧化速率,而且降低了界面态密度和氧化层有效电荷密度,提高了器件可靠性。可以预测,O2+TCE氧化与湿NO退火相结合的工艺是一种有前途的制备高沟道迁移率、高可靠性SiCMOS-FET的栅介质工艺。
- 吴海平徐静平李春霞梅慧兰
- 关键词：SICMOS电容界面态密度可靠性三氯乙烯
- MISiC氢敏传感器物理模型及特性模拟被引量：4
- 2004年
- 分析了金属 绝缘体 SiC(MISiC)肖特基势垒二极管 (SBD)气体传感器的响应机理 ,将SBD热电子发射理论和氢吸附 解吸理论相结合 ,通过考虑势垒高度调制效应以及理想因子随外界条件的变化 ,建立了MISiCSBD气体传感器物理模型 ,模拟结果与实验十分吻合。采用此模型 ,分析了器件特性与绝缘层厚度的关系 ,并在灵敏度、可靠性和工作电流 /电流分辨率诸因素之间其进行了优化设计 ,对于 30 0℃左右的高温应用 ,确定出最佳绝缘层厚度为2～ 2 .3nm。
- 徐静平韩弼黎沛涛钟德刚吴海平
- 关键词：肖特基势垒二极管气体传感器SBD
- SiO_2/SiC界面对4H-SiC n-MOSFET反型沟道电子迁移率的影响被引量：6
- 2004年
- 提出了一种基于器件物理的 4 H- Si C n- MOSFET反型沟道电子迁移率模型 .该模型包括了界面态、晶格、杂质以及表面粗糙等散射机制的影响 ,其中界面态散射机制考虑了载流子的屏蔽效应 .利用此模型 ,研究了界面态、表面粗糙度等因素对迁移率的影响 ,模拟结果表明界面态和表面粗糙度是影响沟道电子迁移率的主要因素 .其中 ,界面态密度决定了沟道电子迁移率的最大值 ,而表面粗糙散射则制约着高场下的电子迁移率 .该模型能较好地应用于器件模拟 .
- 徐静平吴海平黎沛涛韩弼
- 关键词：SIC迁移率
