韩弼
- 作品数：7 被引量：14H指数：2
- 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
- 发文基金：湖北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术化学工程更多>>
- 金属－绝缘层－碳化硅MISiC高温气体传感器
- 金属－绝缘层－碳化硅MISiC高温气体传感器，属电子器件领域，涉及一种高温气体传感器，旨在解决绝缘层及其界面质量问题，从而提高MISiC气体传感器的高温可靠性，使其符合高温下长期稳定工作之要求。本发明在碳化硅(SiC)基...
- 徐静平钟德刚韩弼
- 文献传递
- 高性能MISiC高温气体传感器及其应用研究
- 本文分析了MISiC SBD气体传感器的响应机理，将SBD热电子发射理论和氢吸附-解吸理论相结合，通过考虑势垒高度调制效应以及理想因子随外界条件的变化，建立了MISiC SBD气体传感器物理模型，通过建立的物理模型，对器...
- 韩弼
- 关键词：气体传感器肖特基势垒二极管碳化硅一氧化二氮泄漏检测
- 新颖的氧化生长绝缘层的MISiC传感器特性研究被引量：2
- 2006年
- 采用新颖的NO和O2+CHCCl3(TCE)氧化技术制备金属-绝缘-体SiC(MISiC)肖特基势垒二极管(SBD)气体传感器的栅绝缘层,研究了传感器的响应特性。结果表明,传感器可快速的检测低浓度的氢气,NO氮化氧化改善了绝缘层的界面,TCE工艺降低了界面态密度和氧化层的有效电荷密度,并同时提取重金属以提高传感器的性能,使其可在高温(如300℃)等恶劣环境下长期可靠的工作,研究还发现:适当增加绝缘层厚度有助于传感器灵敏度和可靠性的改进。
- 韩弼徐静平李艳萍陈卫兵邹晓李春霞
- 关键词：肖特基势垒二极管气体传感器
- 金属－绝缘层－碳化硅MISiC高温气体传感器
- 金属-绝缘层-碳化硅MISiC高温气体传感器，属电子器件领域，涉及一种高温气体传感器，旨在解决绝缘层及其界面质量问题，从而提高MISiC气体传感器的高温可靠性，使其符合高温下长期稳定工作之要求。本发明在碳化硅(SiC)基...
- 徐静平钟德刚韩弼
- 文献传递
- N_2O氧化制备MISiC氢传感器的响应特性分析被引量：2
- 2004年
- 采用N2 O氮化氧化技术制备氮化氧化物作为绝缘层制备金属 -绝缘体 -SiC(MISiC)肖特基势垒二极管(SBD)气体传感器的技术 ,对传感器的响应特性进行了研究。实验结果表明 ,N2 O工艺能明显改善栅绝缘层和衬底之间的界面特性从而提高传感器的性能 ,可在高温 (如 30 0℃ )等恶劣环境下长期可靠的工作 ,且适当增加绝缘层厚度有助于传感器灵敏度和可靠性的改进。
- 韩弼徐静平黎沛涛李艳萍
- 关键词：肖特基势垒二极管气体传感器
- MISiC氢敏传感器物理模型及特性模拟被引量：4
- 2004年
- 分析了金属 绝缘体 SiC(MISiC)肖特基势垒二极管 (SBD)气体传感器的响应机理 ,将SBD热电子发射理论和氢吸附 解吸理论相结合 ,通过考虑势垒高度调制效应以及理想因子随外界条件的变化 ,建立了MISiCSBD气体传感器物理模型 ,模拟结果与实验十分吻合。采用此模型 ,分析了器件特性与绝缘层厚度的关系 ,并在灵敏度、可靠性和工作电流 /电流分辨率诸因素之间其进行了优化设计 ,对于 30 0℃左右的高温应用 ,确定出最佳绝缘层厚度为2～ 2 .3nm。
- 徐静平韩弼黎沛涛钟德刚吴海平
- 关键词：肖特基势垒二极管气体传感器SBD
- SiO_2/SiC界面对4H-SiC n-MOSFET反型沟道电子迁移率的影响被引量：6
- 2004年
- 提出了一种基于器件物理的 4 H- Si C n- MOSFET反型沟道电子迁移率模型 .该模型包括了界面态、晶格、杂质以及表面粗糙等散射机制的影响 ,其中界面态散射机制考虑了载流子的屏蔽效应 .利用此模型 ,研究了界面态、表面粗糙度等因素对迁移率的影响 ,模拟结果表明界面态和表面粗糙度是影响沟道电子迁移率的主要因素 .其中 ,界面态密度决定了沟道电子迁移率的最大值 ,而表面粗糙散射则制约着高场下的电子迁移率 .该模型能较好地应用于器件模拟 .
- 徐静平吴海平黎沛涛韩弼
- 关键词：SIC迁移率
