周春锋
- 作品数：14 被引量：27H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学更多>>
- LEC-GaAs晶体中残留杂质碳和硼的控制被引量：8
- 2007年
- 在非掺杂LEC(liquid encapsulated Czochralski)半绝缘GaAs晶体中碳和硼是主要的残留杂质,这两种杂质影响衬底的半绝缘性能和制造的器件性能。在分析GaAs中碳、硼杂质结合和分离机理基础上,采取真空烘烧、降低氧化硼温度、控制氧化硼水含量和在富砷熔体中生长晶体等措施,达到了对GaAs晶体中残留杂质硼和碳的控制。
- 周春锋林健郭鑫吴元庆张亮赖占平
- 关键词：砷化镓碳硼
- 6英寸半绝缘GaAs单晶VGF和VB联合生长技术
- 2020年
- 为了生长6英寸(1英寸=2.54 cm)半绝缘GaAs单晶,采用水平梯度凝固(HGF)法合成GaAs多晶。将装有籽晶、GaAs多晶、氧化硼和碳粉的热解氮化硼(PBN)坩埚装入石英管内并抽真空后密封。然后将石英管装入单晶炉内,升温熔化多晶并熔接籽晶后,采用垂直梯度凝固(VGF)法生长晶体肩部,采用垂直布里奇曼(VB)法生长晶体等径部分。在对VGF和VB晶体生长法进行理论分析的基础上,采取优化支撑结构、增加VGF晶体生长降温速率、优化VB晶体生长速度等措施提高6英寸GaAs晶体生长的成晶率至48%以上。基于半绝缘GaAs补偿理论,采取过量碳粉掺杂和El2的控制等措施,提高晶体电阻率至大于4×10^7Ω·cm,降低电阻率不均匀性至小于25%。通过优化生长界面,使GaAs单晶的位错密度降低至小于104 cm^-2。
- 周春锋兰天平边义午曹志颖罗惠英
- 关键词：GAAS单晶生长
- 高电阻率均匀性4英寸半绝缘GaAs单晶生长技术被引量：1
- 2020年
- 4英寸(1英寸=2.54 cm)半绝缘GaAs单晶材料是目前制备微波毫米波单片集成电路等的主流材料,随着5G技术应用的普及,该材料的应用前景将更加广阔。但是由于采用常规垂直梯度凝固(VGF)法晶体生长工艺所得的单晶尾部径向电阻率均匀性较差,严重影响了相关器件性能的一致性。对采用VGF和(VGF+垂直布里奇曼(VB))两种晶体生长工艺所得的半绝缘GaAs单晶头尾径向电阻率不均匀性测试进行分析,优化了(VGF+VB)晶体生长相关工艺条件,并确定了VB晶体生长部分比较合理的起始位置及生长速度。在保证晶锭头尾电阻率均达到10~8Ω·cm以上的情况下,有效地降低了晶体尾部径向电阻率不均匀性,使其由原来的大于20%降低到小于10%,提高了晶体质量。通过该工艺还可有效排杂到晶体尾部,增加高电阻率单晶有效长度。
- 兰天平周春锋边义午宋禹马麟丰
- 关键词：GAAS均匀性
- 无液封GaAs多晶合成技术被引量：2
- 2009年
- 利用As、Ga、GaAs的性质,开发出一种新的GaAs多晶合成方法。开展了Φ130 mm合成系统的温度、压力优化实验。采用石墨盖代替BN坩埚盖,开发了100 mm新合成石墨系统,通过工艺实验确定加热电流、温度、压力随时间的变化,稳定了Φ100 mm无液封GaAs多晶合成工艺。通过大量的实验,逐渐确定了两套无液封GaAs多晶合成的温度压力曲线,固化了坩埚密封结构,掌握了调节GaAs多晶料中化学计量比的方法。
- 周春锋杨连生刘晏凤
- 镓硼共掺对6英寸VGF法锗单晶电阻率均匀性的影响
- 2024年
- 由于杂质分凝效应,镓掺杂垂直梯度凝固(VGF)法锗单晶的电阻率分布不均匀,理论上利用镓和硼分凝系数的差异,镓硼共掺工艺可以提升锗单晶电阻率均匀性。采用镓硼共掺工艺制备了6英寸(1英寸≈2.54 cm)VGF法锗单晶,对比分析了掺杂工艺对锗单晶电阻率均匀性的影响。当镓和硼杂质浓度分别为5.13×10^(18)cm^(-3)和0.67×10^(18)cm^(-3)时,在等径0~40 mm范围内轴向电阻率不均匀性为4.92%,等径0 mm和40 mm处径向电阻率不均匀性分别为1.63%和0.45%,与镓杂质浓度为5.13×10^(18)cm^(-3)的镓掺杂工艺相比,锗单晶头部的电阻率均匀性明显提升。当硼杂质浓度提高到1.89×10^(18)cm^(-3)时,镓硼共掺锗单晶头部电阻率均匀性变差。结果表明,适量硼掺杂的镓硼共掺工艺可以提升锗单晶头部电阻率均匀性。
- 张颖武边义午陈晨周春锋王云彪兰天平
- 关键词：锗单晶
- 6英寸LEC半绝缘砷化镓单晶材料研制
- 本文对6英寸砷化镓单晶材料研制项目的进展情况及研制过程中解决的关键技术做了比较全面的说明，文中还提出了实现6英寸砷化镓材料的产业化的主攻方向和目前存在的一些技术问题。
- 高瑞良赖占平齐德格周春锋刘晏凤杨连生
- 关键词：半绝缘砷化镓单晶材料
- 文献传递
- 新的GaAs多晶料合成工艺
- 在本篇文章中报导了一种新的GaAs合成技术.该技术是在惰性气体压力下,在准密封条件下,不使用B<,2>O<,3>,用高压合成法简便快捷地制备GaAs多晶.本篇文章还对高压原位合成LEC工艺和先合成GaAs多晶粒,再用低压...
- 高瑞良齐德格周春锋
- 关键词：半导体材料砷化镓单晶生长合成工艺
- 文献传递
- 降低半绝缘GaAs单晶片亮点缺陷的热处理工艺研究
- 2016年
- GaAs单晶材料已成为一种重要的微电子和光电子基础材料,应用广泛。为了降低半绝缘砷化镓单晶片表面的亮点缺陷,对砷化镓晶片在不同温度和不同砷蒸汽压条件下进行了热处理,研究了热处理对砷化镓中砷的存在形式转换的影响及其机理。
- 杨艺周春锋兰天平
- 砷化镓材料技术发展及需求被引量：11
- 2015年
- 介绍了HB、LEC、FEC、VCZ、VB、VGF砷化镓单晶炉及生长技术,分析了各种生长技术的优缺点及发展趋势。HB砷化镓多晶合成和单晶生长可以同时完成,生长温度梯度小、位错小、应力小;其缺点为不易生长半绝缘砷化镓单晶材料。LEC法生长过程可见,成晶情况可控,可生长大尺寸、长单晶;其缺点是晶体温度梯度大、位错密度高、应力高、晶体等径控制差。VB/VGF法生长出的单晶位错密度和残留应力比LEC法低,晶体等径好,适合规模生产;其缺点在于容易产生双晶、线性缺陷和花晶,过于依赖生长系统重复性和稳定性。
- 周春锋兰天平孙强
- 关键词：砷化镓单晶生长HBLECVGF
- VCSEL阵列用半绝缘砷化镓单晶生长工艺研究
- 2015年
- VCSEL(垂直腔面发射激光器)阵列是一种面发射的化合物半导体有源器件,已广泛应用于激光制导、激光测距等军事电子领域。为了减少发射单元之间的高频串扰,VCSEL阵列必须生长在高电阻率和低位错密度的砷化镓衬底上。通过采用VGF(垂直梯度冷凝法)生长7.62 cm砷化镓单晶,并选取合适的温度梯度(4℃/cm左右)和低位错籽晶,同时掺入一定剂量的高纯碳粉并选用适量的无水氧化硼作为液封剂,成功地研制出低位错密度的7.62 cm半绝缘砷化镓单晶材料。
- 孙强兰天平周春锋
- 关键词：单晶生长半绝缘
