齐德格
- 作品数：11 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 发文基金：“九五”国家科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- ＬＥＣ工艺中超轻掺Ｓｉ－ＧａＡｓ单晶生长技术
- 苑进良齐德格
- 关键词：砷化镓晶体生长单晶制备半绝缘体
- SI-GaAs材料的电学补偿被引量：4
- 1999年
- 研究了ＨＰＬＥＣ工艺生长半绝缘砷化镓单晶过程中，熔体的化学剂量比对晶体深施主缺陷能级、浅受主碳的浓度以及晶体电学性能的影响．由Ｎ 型半绝缘晶体的补偿机理对实验现象进行了解释，给出了既能保证晶体电学性能又可以使缺陷浓度较低的最佳熔体剂量比．并将近本征半导体的物理模型推广至半绝缘砷化镓单晶，得到了较理想的电阻率范围．
- 赖占平齐德格高瑞良杜庚娜刘晏凤刘建宁
- 关键词：SI-GAAS材料电学补偿砷化镓半导体材料
- 6英寸LEC半绝缘砷化镓单晶材料研制
- 本文对6英寸砷化镓单晶材料研制项目的进展情况及研制过程中解决的关键技术做了比较全面的说明，文中还提出了实现6英寸砷化镓材料的产业化的主攻方向和目前存在的一些技术问题。
- 高瑞良赖占平齐德格周春锋刘晏凤杨连生
- 关键词：半绝缘砷化镓单晶材料
- 文献传递
- SI-GaAs材料的电学补偿
- 了HPLEC工艺生长半绝缘砷化镓单晶过程中，熔体的化学剂量比对晶体深施主缺陷能级、浅受主碳的浓度以及晶体电学性能的影响。由n型半绝缘晶体的补偿机理对实验现象进行了解释，给出了既能保证晶体电学性能又可以使缺陷浓度较低的最佳...
- 赖占平齐德格
- 关键词：SI-GAAS材料电学补偿
- 新的GaAs多晶料合成工艺
- 在本篇文章中报导了一种新的GaAs合成技术.该技术是在惰性气体压力下,在准密封条件下,不使用B<,2>O<,3>,用高压合成法简便快捷地制备GaAs多晶.本篇文章还对高压原位合成LEC工艺和先合成GaAs多晶粒,再用低压...
- 高瑞良齐德格周春锋
- 关键词：半导体材料砷化镓单晶生长合成工艺
- 文献传递
- LEC技术生长3inch掺Si GaAs单晶的研究被引量：2
- 2000年
- 采用高压LEC工艺生长 3inch掺SiGaAs单晶 ,掺杂浓度大于 1× 1 0 18 cm3,晶体位错密度小于 1× 1 0 4 cm2 。实验发现 ,采用PBN坩埚和使用水含量较高的氧化硼做覆盖剂 ,固液交界面处均会产生浮渣 ,造成无法引晶。而实际掺杂量应为理论计算值的 4倍以上。
- 赖占平齐德格高瑞良杜庚娜刘晏凤周春锋高峰
- 关键词：掺杂晶体生长砷化镓单晶
- 生长低位错非掺杂半绝缘砷化镓单晶的装置
- 一种生长低位错非掺杂半绝缘砷化镓单晶的装置，由高压容器、坩埚和坩埚托、拉晶杆、主加热器及与主加热器相连的主电极，主加热器的外周有保温结构，在保温结构顶部有辅助加热器，辅助加热器通过一对过渡电极与主电极并联，在辅助加热器的...
- 赖占平高瑞良齐德格周春锋
- 文献传递
- LEC技术生长3inch掺Si GaAs单晶的研究
- 采用高压LEC工艺生长3inch掺Si GaAs单晶，掺杂浓度大于1×10<'18>/cm<'3>，晶体位错密度小于1×10<'4>/cm<'2>。实验发现，采用PBN坩埚和使用水含量较高的氧化硼做覆 盖剂，固液交界面处...
- 赖占平齐德格高瑞良杜庚娜
- 关键词：单晶掺杂
- 文献传递
- 非掺半绝缘LEC-GaAs晶片热处理工艺研究被引量：3
- 2004年
- 为了获得高质量半绝缘砷化镓单晶片 ,有必要降低微缺陷密度。开展了晶片热处理工艺的研究 ,确定了晶片热处理的温度、时间、降温速率等一系列工艺参数 ,证实了采用此项工艺能降低LEC GaAs晶片的砷沉淀密度 ,即AB EPD ,同时也保证了晶片的电学参数不受影响。通过对晶片热处理工艺过程和结果进行分析 ,给出了晶片热处理工艺理论模型的解释。
- 周春锋高瑞良齐德格赖占平
- 关键词：半导体物理学
- ＩＣ用高迁移率大直径ＧａＡｓ单晶的研制
- 牛沈军齐德格
- 关键词：砷化镓晶体生长单晶迁移率
