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崔双魁

作品数:11 被引量:11H指数:2
供职机构:国家知识产权局更多>>
发文基金:河北省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术理学轻工技术与工程更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 4篇电子电信
  • 4篇一般工业技术
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇理学

主题

  • 6篇碳化硅
  • 5篇纳米
  • 3篇碳化硅薄膜
  • 3篇气相沉积
  • 3篇微观结构
  • 3篇化学气相
  • 3篇化学气相沉积
  • 3篇硅薄膜
  • 2篇射频
  • 2篇氢化
  • 2篇温下
  • 2篇纳米SIC
  • 2篇纳米碳
  • 2篇纳米碳化硅
  • 2篇发光
  • 2篇发光特性
  • 2篇反应气体
  • 2篇抽真空
  • 1篇导电
  • 1篇导电薄膜

机构

  • 9篇河北大学
  • 2篇国家知识产权...

作者

  • 11篇崔双魁
  • 8篇路万兵
  • 8篇于威
  • 6篇傅广生
  • 4篇王春生
  • 3篇张立
  • 2篇朱艳艳
  • 2篇马美娟
  • 1篇韩晓霞
  • 1篇张立
  • 1篇吕雪芹
  • 1篇杜洁
  • 1篇张丽

传媒

  • 2篇中国发明与专...
  • 1篇河北大学学报...
  • 1篇Journa...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇2006北京...

年份

  • 2篇2015
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 3篇2007
  • 3篇2006
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
纳米β-SiC薄膜过剩载流子衰减特性分析
2006年
利用微波吸收技术对Si衬底上微晶及纳米β-SiC薄膜的过剩载流子瞬态行为进行了分析.所用样品采用PECVD技术制备,微波吸收测量采用脉宽35 ps,波长355 nm脉冲激光.所测得的载流子浓度衰减分为快、慢2个过程,微波吸收瞬态特性满足双指数衰减规律.该结果表明,样品光生载流子衰减过程主要决定于2种陷阱作用,其中快过程与SiC薄膜中浅能级陷阱的载流子弛豫效应相关,而慢过程则是深能级陷阱的载流子弛豫行为占优势的结果.纳米碳化硅晶粒界面较高的缺陷态密度导致载流子俘获几率增加,非辐射复合几率减小,纳米β-SiC薄膜表现较长的载流子衰减时间.
韩晓霞于威张立崔双魁路万兵
关键词:微波吸收
纳米SiC薄膜制备及发光特性研究
于威路万兵王春生崔双魁张立吕雪芹
该项目对纳米SiC薄膜的制备和发光特性进行了较深入的研究,目的在于为新型SiC基光电子器件的制备探索提供了实验技术和理论基础。选择合适的制备技术,探索控制纳米SiC薄膜微结构的工艺条件,分析材料结构和物性的关系,探索纳米...
关键词:
关键词:碳化硅薄膜发光特性光电子器件
衬底偏压对纳米碳化硅薄膜的微观结构和能带结构的影响
采用螺旋波等离子体化学气相沉积技术(HWP-CVD)以SiH4、CH4和H2为反应气体在Si(100)和康宁玻璃衬底进行了纳米SiC薄膜沉积.傅立叶红外光谱显示,吸收谱中800cm-1附近Si-C吸收峰谱线线型中洛伦兹成...
于威崔双魁路万兵张立傅广生
关键词:化学气相沉积
文献传递
纳米SiC薄膜的发光特性及结构设计
本工作利用螺旋波等离子体增强化学气相沉积技术在单晶Si和康宁玻璃衬底上进行了纳米SiC薄膜的制备。通过傅立叶变换红外吸收光谱、紫外-可见透射光谱、X射线衍射谱、原子力显微镜、扫描电子显微镜、透射电镜以及光致发光谱等多种技...
崔双魁
关键词:纳米SIC发光特性多层膜
文献传递
氢流量对纳米SiC薄膜微结构和光学特性的影响被引量:2
2008年
采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积技术进行了氢化纳米晶态SiC薄膜的沉积,研究了氢流量对其微结构和光学特性的影响.结果显示:随着氢气流量的增大,薄膜的沉积速率先增大后减小,所生长薄膜晶化度显著提高.在较低氢流量条件下,薄膜光学带隙的大小由氢的刻蚀与悬键终止作用共同控制,并呈先减小后增大的趋势.在高氢流量条件下,强的氢刻蚀使薄膜具有较高的晶化度,虽然薄膜中整体氢含量有所下降,但存在于纳米碳化硅晶粒表面键合氢的相对密度持续增大,纳米碳化硅晶粒数量的增加和晶粒尺寸的减小所导致的量子限制效应使薄膜的光学带隙继续展宽.
于威杜洁张丽崔双魁路万兵傅广生
关键词:纳米碳化硅微观结构光学特性
衬底偏压对纳米碳化硅薄膜的微观结构和能带结构的影响
采用螺旋波等离子体化学气相沉积技术(HWP-CVD)以SiH4、CH4和 H2为反应气体在Si(100)和康宁玻璃衬底进行了纳米SiC薄膜沉积。傅立叶红外光谱显示,吸收谱中800cm-1附近Si-C吸收峰谱线线型中洛伦兹...
于威崔双魁路万兵张立傅广生
关键词:碳化硅化学气相沉积
文献传递
纳米6H-SiC薄膜的等离子体化学气相沉积及其紫外发光被引量:6
2006年
采用螺旋波等离子体化学气相沉积技术在Si(100)衬底上制备了具有纳米结构的碳化硅(SiC)薄膜.通过X射线衍射、傅里叶红外吸收和扫描电子显微镜等技术对所制备薄膜的结构、形貌以及键合特性进行了分析,利用光致发光技术研究了样品的发光特性.分析表明,在500℃的衬底温度和高氢气稀释条件下,所制备的纳米SiC薄膜红外吸收谱主要表现为SiCTO声子吸收,X射线衍射显示所制备的纳米SiC薄膜为6H结构.采用氙灯作为激发光源,不同氢气流量下所制备的样品在室温下呈现出峰值波长可变的紫外发光.
于威崔双魁路万兵王春生傅广生
关键词:纳米碳化硅化学气相沉积
一种低温下制备氢化纳米晶态碳化硅薄膜的方法
本发明公开了一种低温下制备氢化纳米晶态碳化硅薄膜的方法,首先将清洗好的衬底放置到螺旋波等离子体增强化学气相沉积装置的基片台上,然后对螺旋波等离子体增强化学气相沉积装置的反应室抽真空,并用氢等离子体清洗螺旋波等离子体增强化...
于威路万兵傅广生王春生崔双魁
文献传递
一种低温下制备氢化纳米晶态碳化硅薄膜的方法
本发明公开了一种低温下制备氢化纳米晶态碳化硅薄膜的方法,首先将清洗好的衬底放置到螺旋波等离子体增强化学气相沉积装置的基片台上,然后对螺旋波等离子体增强化学气相沉积装置的反应室抽真空,并用氢等离子体清洗螺旋波等离子体增强化...
于威路万兵傅广生王春生崔双魁
石墨烯透明导电薄膜全球专利发展态势研究被引量:3
2015年
石墨烯透明导电薄膜具有优异的电学性能和光学性能,在显示领域具有很好的应用前景。本文对石墨烯透明导电薄膜的全球专利申请状况进行了分析,从全球申请数量、生命周期、区域分布、主要申请人、技术构成分布情况等方面入手,分析了石墨烯透明导电薄膜的发展态势,以期望对企业的发展战略和政府政策决议的制定提供参考。
朱艳艳崔双魁马美娟钟焱鑫
关键词:石墨烯导电
共2页<12>
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