路万兵
- 作品数：58 被引量：75H指数：5
- 供职机构：河北大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>
- 纳米晶硅的液相脉冲激光烧蚀法制备及其发光增强研究
- 路万兵于威武利平王新占李兴阔徐焕钦
- 由于纳米结构的量子限制效应，纳米晶硅呈现出了宽范围的能级可调和室温发光特性，在光通讯、全色显示、太阳能电池、生物荧光标签和硅基光集成等领域具有巨大应用潜力。该项目根据纳米晶硅自组织生长特点及其在光电领域的应用需求，主要采...
- 关键词：
- 关键词：光电子器件
- 反应气压对氢化非晶氮化硅薄膜的发光特性影响
- 2004年
- 采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP-CVD)技术制备了氢化非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜,利用光致发光谱(PL)和傅里叶红外吸收谱(FTIR)研究了不同气压条件下所形成薄膜的发光特性.结果表明,在较高气压条件下,所沉积薄膜的发光峰位在2.5eV附近;减小气压使薄膜的沉积速率下降,其内部原子微观结构发生变化,薄膜的发光峰位在3.05eV处,其半高宽为1.48eV.
- 朱海丰杨彦斌路万兵于威
- 关键词：光致发光
- 衬底偏压对纳米碳化硅薄膜的微观结构和能带结构的影响
- 采用螺旋波等离子体化学气相沉积技术(HWP-CVD)以SiH4、CH4和H2为反应气体在Si(100)和康宁玻璃衬底进行了纳米SiC薄膜沉积.傅立叶红外光谱显示,吸收谱中800cm-1附近Si-C吸收峰谱线线型中洛伦兹成...
- 于威崔双魁路万兵张立傅广生
- 关键词：化学气相沉积
- 文献传递
- 一种蓝色发光钙钛矿材料及其制备方法
- 本发明提供了一种蓝色发光钙钛矿材料及其制备方法。该蓝色发光钙钛矿材料的化学通式为Cs<Sub>3</Sub>Cu<Sub>2</Sub>I<Sub>5‑x</Sub>Cl<Sub>x</Sub>；其中，x的取值范围为1....
- 于威刘哲王新占路万兵傅广生
- ZnO纳米网状结构的制备被引量：1
- 2006年
- 采用热蒸发技术在镀金Si衬底上实现了ZnO纳米网状结构制备.利用扫描电子显微镜、X射线衍射及光致发光技术对ZnO纳米结构的形貌、晶态结构及发光特性进行了分析.结果表明,源材料ZnO和C的质量比为6∶1时有利于ZnO纳米网状结构的形成,该结构由一维纳米线和二维纳米片状结构组成.纳米网状结构主要由晶态ZnO组成.室温的光致发光谱分析结果显示,所制备的纳米ZnO网状结构呈现出了较强的紫外光发射的特征.
- 孙伟于威路万兵蔡淑珍张立吕雪芹许贺菊
- 一种超薄银基薄膜、多层复合透明导电薄膜及其制备方法与应用
- 本发明提供了一种超薄银基薄膜、多层复合透明导电薄膜及其制备方法与应用，所述超薄银基薄膜具有双层结构，包括Ag(O)层和位于Ag(O)层上且与其接触、连续的超薄Ag层；所述Ag(O)层的厚度为0.5 nm~5 nm，所述A...
- 路万兵于威蒋树刚王佩武利平刘海旭刘啸宇傅广生
- 文献传递
- 纳米β-SiC薄膜过剩载流子衰减特性分析
- 2006年
- 利用微波吸收技术对Si衬底上微晶及纳米β-SiC薄膜的过剩载流子瞬态行为进行了分析.所用样品采用PECVD技术制备,微波吸收测量采用脉宽35 ps,波长355 nm脉冲激光.所测得的载流子浓度衰减分为快、慢2个过程,微波吸收瞬态特性满足双指数衰减规律.该结果表明,样品光生载流子衰减过程主要决定于2种陷阱作用,其中快过程与SiC薄膜中浅能级陷阱的载流子弛豫效应相关,而慢过程则是深能级陷阱的载流子弛豫行为占优势的结果.纳米碳化硅晶粒界面较高的缺陷态密度导致载流子俘获几率增加,非辐射复合几率减小,纳米β-SiC薄膜表现较长的载流子衰减时间.
- 韩晓霞于威张立崔双魁路万兵
- 关键词：微波吸收
- 螺旋波等离子体化学气相沉积纳米硅薄膜的光学发射谱研究被引量：13
- 2005年
- 利用光学发射谱技术对螺旋波等离子体化学气相沉积纳米硅薄膜的等离子体内活性粒子的光发射特征进行了原位测量 .研究了薄膜沉积过程中各实验参量对活性基团SiH ,Hβ 以及Hα 的发射谱强度的影响 .实验结果表明 ,静态磁场的加入可显著提高反应气体的解离效率 ;适当的氢稀释可以提高氢活性粒子的浓度 ,而过高的氢稀释比将使含硅活性基团浓度显著减小 ;提高射频馈入功率整体上可以使各活性粒子的浓度增加 ,并有利于提高到达衬底表面氢活性粒子的相对比例 .结合螺旋波等离子体色散关系和等离子体特点对以上结果进行了分析 .该结果为螺旋波等离子体沉积纳米硅薄膜过程的理解及制备工艺参数的调整提供了基础数据 .
- 于威王保柱杨彦斌路万兵傅广生
- 关键词：光学发射谱纳米硅薄膜
- 一种纳米多层透明导电薄膜
- 本发明提供了一种纳米多层透明导电薄膜。该纳米多层透明导电薄膜是在基底上沉积有至少一个双层，该双层包括一弱氧化铜（CuO<Sub>x</Sub>）层和在CuO<Sub>x</Sub>层上的与其接触的、连续的超薄银层。CuO...
- 路万兵于威蒋树刚杨彦斌王春生刘海旭傅广生
- 文献传递
- 衬底偏压对纳米碳化硅薄膜的微观结构和能带结构的影响
- 采用螺旋波等离子体化学气相沉积技术（HWP-CVD）以SiH4、CH4和 H2为反应气体在Si（100）和康宁玻璃衬底进行了纳米SiC薄膜沉积。傅立叶红外光谱显示,吸收谱中800cm-1附近Si-C吸收峰谱线线型中洛伦兹...
- 于威崔双魁路万兵张立傅广生
- 关键词：碳化硅化学气相沉积
- 文献传递
