刘海旭
- 作品数：27 被引量：4H指数：1
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- 相关领域：电气工程理学一般工业技术电子电信更多>>
- 一种晶硅异质结太阳电池及其制备方法
- 本发明提供了一种晶硅异质结太阳电池及其制备方法。所述晶硅异质结太阳电池的结构为：金属栅线/透明导电电极/含钼氧硫的空穴引出层/第一隧穿层/硅片/第二隧穿层/电子引出层/金属背电极。所述含钼氧硫的空穴引出层可以为MoO<S...
- 于威刘海旭路万兵焦玉骁辛利桃许贺菊傅广生
- 文献传递
- 一种复合层电极及其制备方法以及使用该复合层电极的透光太阳能电池
- 本发明涉及一种复合层电极及其制备方法以及使用该复合层电极的透光太阳能电池。本发明复合层电极包括前电极和背电极，所述前电极和背电极均是由上下两层透明导电薄膜和位于其间的金属膜层复合，构成复合层结构，用于制作透光太阳能电池的...
- 于威黄艳红傅广生刘海旭郭强丛日东刘啸宇
- 一种气体阻隔薄膜的制备方法
- 本发明提供了一种气体阻隔薄膜的制备方法，其采用真空镀膜技术，在基材上制备气体阻隔薄膜，选择至少一个能够影响薄膜生长特性的工艺参数作为调控参数，在制备时，使调控参数连续变化，从而制得在膜厚方向上具有渐变结构且不存在尖锐界面...
- 路万兵王佩于威武利平丁文革刘海旭滕晓云傅广生
- 一种纳米多层透明导电薄膜
- 本发明提供了一种纳米多层透明导电薄膜。该纳米多层透明导电薄膜是在基底上沉积有至少一个双层，该双层包括一弱氧化铜（CuO<Sub>x</Sub>）层和在CuO<Sub>x</Sub>层上的与其接触的、连续的超薄银层。CuO...
- 路万兵于威蒋树刚杨彦斌王春生刘海旭傅广生
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- 一种透明导电阻隔薄膜、其制备方法及应用
- 本发明提供了一种透明导电阻隔薄膜、其制备方法及应用。所述透明导电阻隔薄膜的结构具体是：在基底上依次设置有第一介质层、金属层和第二介质层；第一介质层和第二介质层中的至少一个是通过两种或两种以上不同结构透明导电氧化物薄膜的交...
- 路万兵蒋树刚于威武利平刘红燕刘海旭刘啸宇王新占
- 一种晶硅异质结太阳电池及其制备方法
- 本发明提供了一种晶硅异质结太阳电池及其制备方法。所述晶硅异质结太阳电池的结构为：金属栅线/透明导电电极/含钼氧硫的空穴引出层/第一隧穿层/硅片/第二隧穿层/电子引出层/金属背电极。所述含钼氧硫的空穴引出层可以为MoO<S...
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- 适于批处理的卷对卷真空镀膜反应装置
- 本发明涉及一种适于批处理的卷对卷真空镀膜反应装置，其结构是在真空反应室中设置有等离子体反应气盒和收/放卷装置，所述收/放卷装置设置在平置的滑动导轨上，所述等离子体反应气盒位于所述收/放卷装置的上方，并通过提升架与真空反应...
- 于威刘海旭傅广生杨彦斌张子才赵蔚王春生
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- 基于无铟AZO/Ag/AZO多层透明电极的柔性钙钛矿太阳电池被引量：1
- 2020年
- 基于透明聚合物基材的钙钛矿太阳电池(perovskite solar cell,PSC)具有高效、柔性、轻质、易集成于弯曲表面及可通过卷对卷技术来实现批量生产等优势,已成为太阳电池行业最具颠覆性的竞争者之一.然而,常用透明聚合物基材的玻璃转变温度较低,使得在刚性玻璃基材PSC开发中常用的、需要较高工艺温度的铟锡氧化物和掺氟氧化锡等透明电极及电子传输层材料,在透明聚合物基材上的高质量制备遇到了困难,这已成为限制基于聚合物基材的柔性PSC性能提升的主要瓶颈之一.本文采用射频磁控溅射技术在聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate,PET)衬底上室温沉积了(aluminum-doped ZnO,AZO)/Ag/AZO多层结构无铟透明导电薄膜(transparent conductive film,TCF),研究了中间Ag层厚度对所沉积多层TCF光电特性的影响,并利用其作为透明电极,以低温溶液法制备的SnO2层作为电子传输层,进行了正置结构柔性PSC制备.研究发现,随着中间Ag层厚度的增加,样品的平均光透过率先增加后降低,而表面电阻则呈现单调减小的趋势.当Ag层厚度为11 nm时,多层TCF的品质因子最高,其值可达2.3×10–2Ω–1,此样品在400~800 nm波长范围内平均光透过率为83.3%,表面电阻为7.0Ω/sq.在PET衬底上制备的AZO/Ag/AZO/SnO2/Cs0.1(MA0.17FA0.83)0.9Pb(I0.83Br0.17)3/spiro-OMeTAD/MoO3/Ag柔性PSC的功率转换效率(power conversion efficiency,PCE)可达11.9%,并且在10 mm弯曲半径下弯折100次后,仍可保持其初始PCE的95%.
- 蒋树刚路万兵路万兵刘红燕张文修刘海旭刘海旭
- 关键词：氧化锡
- 掺铒富硅氧化硅发光器件电致发光衰减机制被引量：1
- 2017年
- 首先采用多靶射频磁控共溅射结合后退火工艺制备了掺Er富硅氧化硅MIS(金属-绝缘体-半导体结构)电致发光器件,然后通过电致发光(EL)以及电流-电压(I-U)特性测量对发光器件的光电性能进行表征.最后,通过对比不同富硅含量的发光器件的载流子输运机制,并通过分析器件中的电荷俘获过程,对富硅氧化硅器件中铒离子电致发光的激发和猝灭机制进行了解释.结果表明:富硅的存在改变了MIS发光器件中的载流子输运过程,造成外加电场下注入的电子能量降低,进而降低Er离子发光中心的激发效率;而富硅引入的缺陷态会引起电荷俘获及俄歇效应,也会使得发光中心发生非辐射复合过程.
- 张慧玉赵静郭强刘海旭丁文革
- 关键词：电致发光载流子输运
- 适于批处理的卷对卷真空镀膜反应装置
- 本发明涉及一种适于批处理的卷对卷真空镀膜反应装置，其结构是在真空反应室中设置有等离子体反应气盒和收/放卷装置，所述收/放卷装置设置在平置的滑动导轨上，所述等离子体反应气盒位于所述收/放卷装置的上方，并通过提升架与真空反应...
- 于威刘海旭傅广生杨彦斌张子才赵蔚王春生
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