张小英
- 作品数：12 被引量：11H指数：1
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- 相关领域：电子电信理学文化科学机械工程更多>>
- MOCVD GaN/InN/GaN量子阱的应变表征
- 2011年
- 采用MOCVD外延生长11周期InN/GaN量子阱结构样品,原子力显微镜表面形貌结果显示实现了台阶流动生长模式.通过高分辨率X射线衍射与掠入射X射线反射谱技术获得了阱层与垒层的实际厚度.从(102)非对称衍射面与(002)对称衍射面的倒异空间图,确认了InN阱层处于与GaN共格生长的完全应变状态,获得了GaN缓冲层的晶体质量信息及其c轴与a轴晶格常数,确认外延层因受衬底热失配的影响处于压应变状态.
- 王元樟林伟李书平陈航洋康俊勇张小英
- 关键词：GAN基半导体原子力显微镜
- HgCdTe/CdTe/Si(211)异质结构的应变和应力分布计算被引量：1
- 2012年
- 计算了HgCdTe/CdTe/Si(211)异质结构的应变和应力分布,发现对于生长方向为不具有对称特性的[211]晶向,由于弹性模量的各向异性,平行表面的两个晶向方向[1-1-1]和[01-1]的应变和应力分布存在差异,并且二者的曲率半径也具有相应特性。对于Si衬底厚度为500μm,CdTe缓冲层厚度为10μm,HgCdTe层厚度为10μm的异质结构,液氮温度77 K时衬底与外延层的应变均为负值,外延层和衬底的最大应力值均在界面处,外延层中均为张应力,Si衬底在靠近界面处为压应力,远离界面逐渐过渡为张应力,存在一个应力为零的中性轴位置。
- 王元樟朱文章张小英许英朝
- 关键词：HGCDTESI应力分布
- 利用金属过渡层键合Si/Si、Si/GaN的研究
- 硅和氮化镓是第一代和第三代半导体材料的典型代表。GaN具有优良的光电性质和优异的机械性能，被认为是制备短波长光电子器件的最佳材料之一。因为GaN缺少合适的衬底，所以硅基上的GaN是光电器件的一个重要研究方向。在Si基上外...
- 张小英
- 关键词：氮化镓键合技术光电集成
- 文献传递
- 利用金属过渡层低温键合硅晶片被引量：6
- 2007年
- 在Si/Si之间采用Ti/Au金属过渡层,实现了Si/Si低温键合,键合温度可低至414℃.采用拉伸强度测试对Si/Si键合结构的界面特性进行测试,结果表明,键合强度高于1.27MPa;I-V测试表明,Si/Ti/Au/Ti/Si键合界面基本为欧姆接触;X射线光电子能谱(XPS)测试结果进一步表明,界面主要为Si-Au共晶合金.不同温度的变温退火实验表明,键合温度越高,键合强度越大,且渐变退火有利于提高键合强度.
- 张小英陈松岩赖虹凯李成余金中
- 关键词：硅片键合
- 利用金属过渡层转移GaN衬底的激光剥离方法
- 利用金属过渡层转移GaN衬底的激光剥离方法，涉及一种利用金属过渡层键合硅和氮化镓，结合激光剥离技术将蓝宝石衬底上的GaN转移到Si衬底上的方法。提供一种利用金属过渡层转移GaN衬底的激光剥离方法。在硅衬底上依次溅射Ti和...
- 陈松岩张小英汪建元赖虹凯
- 文献传递
- 一种UVC-LED器件
- 本发明涉及一种UVC‑LED器件，所述UVC‑LED器件包括由上至下依次叠层连接的：衬底层、n型半导体层、量子阱、P型半导体层、覆盖层、氧化镓反射层、p电极和散热基板。所述UVC‑LED器件还包括n电极，所述n电极的两端...
- 连水养许嘉巡张小英
- 文献传递
- 在发光二极管表面制备单层聚苯乙烯球的方法被引量：1
- 2016年
- 基于水面乳胶颗粒的自组装特性,通过将稀释的聚苯乙烯球铺展在去离子水中,用表面活性剂加固后将其转移到氮化钾基发光二极管(简称GaN基LED)表面的方法制备较大面积的单层聚苯乙烯球颗粒.场发射扫描电子显微镜测试表明:该方法能在较短时间内在GaN基LED表面形成六角紧凑的聚苯乙烯微球的二维阵列,微球平均直径约为350 nm.加入75μL表面活性剂,利于形成二维结晶.这为聚苯乙烯球做掩模版粗化GaN表面,提高大功率GaN基LED的光提取率提供了一种有效的途径.
- 张小英王元樟庄芹芹
- 关键词：氮化镓基发光二极管
- 现金流视角下的政治关联与企业成长性——基于民营上市公司的研究
- 企业与政府之间建立政治联系是政企关系的主要表现形式。有研究认为政治联系能够帮助企业获取经营过程中所需的政治支持和商业资源;也有研究认为政治关联是企业的一种寻租手段,企业通过政治关联向具有稀缺资源配置权的政府部门进行寻租,...
- 张小英
- 关键词：政治关联财政补贴银行贷款
- 文献传递
- Al和N极性AlN生长特性的第一性原理被引量：1
- 2013年
- 使用第一性原理计算方法对Al和N极性AlN表面和生长特性的差异开展了研究.构建未吸附和吸附一个原子或原子层的Al和N极性AlN表面结构进行模拟和理论计算.结果表明:Al极性AlN比N极性AlN更稳定,并且在生长时将具有更高的生长速率;在富N的生长环境下,N极性AlN的生长容易在表面形成双N原子层而出现反型畴;Al和N原子在Al极性表面上更容易扩散,所以外延生长的Al极性面AlN将会具有更加平整的表面形貌.
- 庄芹芹林伟王元樟张小英
- 关键词：ALN第一性原理计算
- 分光计实验教学的改进被引量：1
- 2022年
- “分光计的调整与使用”是大学物理中重要的实验,也是难度比较大的实验。结合教学实践经验,从教学措施和实验技巧两方面,针对分光计实验存在的问题和难点进行了教学改进。教学措施包括:加强预习、摄像头辅助教学、分阶段教学、课后重视实验补做。实验技巧有:采用水准仪辅助调光和避免两个游标读数混淆的方法。这些改进措施简单、实用、有效,提高了学生学习的效率,改进了实验教学的效果。
- 黄剑平张小英
- 关键词：分光计三棱镜
