张素梅
- 作品数：23 被引量：48H指数：5
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- 半导体高功率量子阱激光器退火后的电噪声被引量：2
- 2004年
- 在环境温度和工作电流下,对808nm高功率量子阱激光器进行老化实验,发现在老化过程中一些劣质器件电噪声谱密度呈下降趋势,产生退火效应.本文应用初始性缺陷(高温高能条件下所形成的缺陷)和非初始性缺陷理论,探讨了器件发生退火及早期失效的原因.
- 石英学李靖郭树旭张素梅王雪丹石家纬
- 关键词：电噪声量子阱激光器高功率退火效应半导体体高
- 有机薄膜FET的研究进展被引量：3
- 2003年
- 介绍了有机薄膜FET的结构、工作原理,综述了目前的研究进展,分析了存在的问题,并对有机薄膜FET的应用前景进行了展望。
- 张素梅石家纬郭树旭刘明大王伟
- 关键词：有机半导体FET
- 高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远结激光器及其老化特性被引量：1
- 2004年
- 为了提高器件的可靠性和使用寿命 ,设计并研制了一种将p n结和有源层分开的高功率AlGaAs GaAs单量子阱远异质结 (SQW RJH)激光器 ,发射波长为 80 8nm ,腔长 90 0 μm ,条宽 1 0 0 μm ,其外延结构与通常的 80 8nmAlGaAs GaAs单量子阱半导体激光器的结构不同 ,在p n结和有源区间多了一层p型AlGaAs层 ,其厚度约为 0 1 μm。为减小衬底表面位错对外延层质量的影响 ,在n+ GaAs衬底和n Al0 5Ga0 5As下包层间加一层n+ GaAs缓冲层。对器件进行了电导数测试及恒流电老化实验。与常规AlGaAs GaAs大功率半导体激光器相比 ,远结大功率半导体激光器具有阈值电流Ith偏大、导通电压Vth偏高的直流特性。 30 0 0h的恒流电老化结果表明 ,器件在老化初期表现出阈值电流随老化时间缓慢下降 。
- 张素梅石家纬赵世舜胡贵军
- 关键词：高功率半导体激光器单量子阱ALGAAS/GAAS
- 高功率GaAs/GaAlAs单量子阱远结激光器
- 2000年
- 通过对50余只808nm的GaAs/GaAlAs高功率单量子阱远结半导体激光器的老化实验观测，在老化初期（前520h），阈值电流随老化时间的延长而下降，下降幅度高达57mA,从1000h多的恒流电老化结果可以看出，器件的输出光功率在老化初期有所上升，随后，表现出按指数规律缓慢下降的行为。初步实验结果表明器件具有长寿命的潜力。
- 石家纬张素梅齐丽云胡贵军李红岩李永军刘建军张锋刚
- 关键词：高功率单量子阱GAAS/GAALAS
- 808nm高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远结激光器
- 2004年
- 设计并研制了一种将p n结和有源层分开的高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远异质结(SQW RJH)激光器,其发射波长为808nm,腔长为900μm,条宽为100μm。其外延结构与通常的808nmAlGaAs/GaAs单量子阱半导体激光器的结构不同,在p n结和有源区间多了一层0.3μm厚的p型Al0.3Ga0.7As下波导层。对研制的器件进行了电导数测试,结果显示,与常规AlGaAs/GaAs大功率半导体激光器相比,远结半导体激光器具有阈值电流偏大、导通电压偏高的直流特性。经4200h的恒流电老化结果表明,器件在老化初期表现出阈值电流随老化时间缓慢下降,输出功率随老化时间缓慢上升的远结特性。
- 张素梅赵世舜石英学石家纬
- 关键词：高功率单量子阱ALGAAS/GAAS
- 小波变换用于半导体激光器可靠性分析被引量：13
- 2004年
- 应用小波变换奇异性检测原理 ,对近百只半导体激光器 (L D)输出 I- V特性进行小波变换 ,通过不同尺度下的变换系数 ,能够真实、准确地测量和计算半导体激光器的阈值电流以及与可靠性相关的一些参数 ,模极大值 WM2 j,结特征参量 m等。利用这些计算和测量参数 ,可以直观地比较和判别出半导体激光器的性能优劣及可靠性 ,与电导数法相结合 ,可方便、准确、快捷地对器件性能和可靠性进行评估筛选。理论与实验表明 ,利用小波变换进行半导体激光器的可靠性分析与传统方法相比具有独到之处。
- 林虎郭树旭赵蔚张素梅石家纬
- 关键词：激光技术可靠性半导体激光器小波变换奇异性检测
- 808nm高功率量子阱远结激光器及其电噪声特性
- 介绍了808nm高功率量子阱远结半导体激光器的结构和器件特性，测试了器件的低频电噪声，讨论了噪声与频率、注入电流及器件质量的关系。结果表明，808nm高功率量子阱远结半导体激光器的阈值电流在老化初期随时间的延续而降低，其...
- 胡贵军石家纬张素梅齐丽云李红岩
- 关键词：半导体激光器高功率噪声
- 文献传递
- 高功率GaAs/GaAlAs单量子阱远结激光器及退化
- 2001年
- 通过对研制的50余只808nm的GaAs/GaAlAs大功率单量子阱远结半导体激光器的老化实验观测,在老化初期(前520h),阈值电流随老化时间的延长而下降,下降幅度高达57mA,通过大于1000h的恒流电老化,器件的输出光功率在老化初期有所上升,随后表现出按指数规律缓慢下降的行为。实验结果表明器件具有长寿命的潜力。
- 张素梅石家纬齐丽云胡贵军李红岩李永军刘建军张锋刚
- 关键词：单量子阱砷化镓
- 半导体激光器电噪声与非辐射复合电流的相关性被引量：8
- 2001年
- 测量了 50余只 980nmInGaAsP/InGaAs/AlGaAs双量子阱高功率半导体激光器的低频电噪声及其V -I特性。结果表明 ,小注入情况下 ,980nm半导体激光器的低频电噪声主要表现为 1/f特性 ,并与器件的表面非辐射复合电流有着良好的对应关系。
- 胡贵军石家纬张素梅张锋刚李红岩
- 关键词：电噪声双量子阱
- 并五苯场效应发光管机理分析与场效应管制作被引量：3
- 2003年
- 采用并五苯材料,通过物理气相沉积,生长出无依托的晶体薄膜,厚度在微米量级,长度是毫米量级,长度和厚度的比大约为1000。为了使晶片有个依托,以聚酰亚胺作为粘合剂,把并五苯晶体薄膜平铺粘在玻璃衬底上。在显微镜下观测,有机薄膜平整、无裂痕,符合制备器件的要求。然后,制备出有机场效应管。并对有机场效应管I V特性和发光机理进行了分析探讨。
- 郭树旭刘建军王伟张素梅石家纬刘明大
- 关键词：发光机理
