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齐丽云

作品数:12 被引量:38H指数:4
供职机构:吉林大学电子科学与工程学院更多>>
发文基金:吉林省科委资助项目国家重点实验室开放基金吉林省科委基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 2篇会议论文

领域

  • 12篇电子电信

主题

  • 11篇激光
  • 11篇激光器
  • 9篇半导体
  • 9篇半导体激光
  • 9篇半导体激光器
  • 8篇功率
  • 6篇高功率
  • 5篇远结激光器
  • 3篇单量子阱
  • 3篇功率半导体
  • 3篇GAAS/G...
  • 3篇大功率半导体
  • 3篇大功率半导体...
  • 2篇电噪声
  • 2篇噪声
  • 2篇可靠性
  • 2篇大功率
  • 1篇导数
  • 1篇导体
  • 1篇电导数

机构

  • 12篇吉林大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 12篇齐丽云
  • 10篇石家纬
  • 8篇李红岩
  • 7篇张素梅
  • 5篇胡贵军
  • 4篇高鼎三
  • 2篇刘建军
  • 2篇李正庭
  • 2篇金恩顺
  • 2篇李永军
  • 1篇肖建伟
  • 1篇赵磊
  • 1篇刘明大
  • 1篇刘宗顺
  • 1篇李献杰

传媒

  • 3篇半导体光电
  • 2篇功能材料与器...
  • 2篇全国化合物半...
  • 1篇吉林大学自然...
  • 1篇中国激光
  • 1篇飞通光电子技...

年份

  • 1篇2001
  • 8篇2000
  • 2篇1999
  • 1篇1997
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
电导数测试用于大功率半导体激光器的快速筛选被引量:15
1999年
对氧化物条型GaAs/GaAlAs大功率量子阱激光器的电导数曲线及其参数与器件可靠性之间的相关性进行了讨论,指出m,h,b参数可以评价器件质量和可靠性。实验结果表明电导数测试是大功率半导体激光器快速筛选的新方法。
李红岩石家纬金恩顺齐丽云李正庭高鼎三肖建伟刘宗顺
关键词:半导体激光器可靠性
大功率量子阱远结半导体激光器被引量:1
2000年
通过将下波导层掺杂为p型 ,使半导体激光器的有源区与pn结分离 ,制作了大功率远结半导体激光器。该器件在老化期间表现出输出功率变大的趋势。理论分析表明 ,远结半导体激光器特殊的外延结构 ,决定了器件的阈值比正常器件的高 ,但是阈值受温度的影响较小 ,并且器件的退化机制转变为pn结的退化 ,这对于制作高可靠性、长寿命、低温度敏感性的半导体激光器具有重要意义。
齐丽云石家纬李献杰李红岩刘雨微张素梅刘明大高鼎三
关键词:半导体激光器阈值电流
高功率GaAs/GaAlAs单量子阱远结激光器及退化
2001年
通过对研制的50余只808nm的GaAs/GaAlAs大功率单量子阱远结半导体激光器的老化实验观测,在老化初期(前520h),阈值电流随老化时间的延长而下降,下降幅度高达57mA,通过大于1000h的恒流电老化,器件的输出光功率在老化初期有所上升,随后表现出按指数规律缓慢下降的行为。实验结果表明器件具有长寿命的潜力。
张素梅石家纬齐丽云胡贵军李红岩李永军刘建军张锋刚
关键词:单量子阱砷化镓
高功率量子阱远结半导体激光器研究
首次设计并研制了一种发射0.8μm的AlGaAs/GaAs高功率分别限制异质结单量子阱远结半导体激光器.通过将下波导层掺杂为p型实现p-n结与有源区的分离,设计了p型下波导层厚度分别为0.3μm和0.1μm的两种远结器件...
齐丽云
关键词:高功率直流特性
文献传递
高功率GaAs/GaAlAs单量子阱远结激光器
2000年
通过对50余只808nm的GaAs/GaAlAs高功率单量子阱远结半导体激光器的老化实验观测,在老化初期(前520h),阈值电流随老化时间的延长而下降,下降幅度高达57mA,从1000h多的恒流电老化结果可以看出,器件的输出光功率在老化初期有所上升,随后,表现出按指数规律缓慢下降的行为。初步实验结果表明器件具有长寿命的潜力。
石家纬张素梅齐丽云胡贵军李红岩李永军刘建军张锋刚
关键词:高功率单量子阱GAAS/GAALAS
用电导数技术筛选可见光半导体激光器被引量:6
2000年
对 6 0只 6 70nm可见光量子阱激光器进行电导数测试 ,讨论了电导数曲线及其参数与器件可靠性之间的关系 ,指出用m、h、b参数可以评价器件质量和可靠性。实验结果表明电导数测试是可见光半导体激光器快速筛选的好方法。
李红岩石家纬金恩顺齐丽云李正庭高鼎三
关键词:半导体激光器电导数可见光
808nm高功率量子阱远结激光器及其电噪声特性被引量:2
2000年
介绍了808nm高功率量子阱远结半导体激光器的结构和器件特性,测试了器件的低频电噪声,讨论了噪声与频率、注入电流及器件质量的关系。结果表明,808nm高功率量子阱远结半导体激光器的阈值电流在老化初期随时间的延续而降低,其噪声在低频段主要为1/f噪声,且在阈值附近有最大值,器件噪声与器件质量有一定的相关性。
胡贵军石家纬张素梅齐丽云李红岩张锋刚
关键词:半导体激光器高功率电噪声
大功率半导体激光器可靠性检测系统及可靠性分析
文中详细论述了作者研制的大功率半导体激光器可靠性检测分析仪的仪器结构和操作软件,讨论了GaAs/GaAlAs大功率量子阱激光器的电导数曲线及参数与器件可靠性之间的相关性.另外,还分析了光导数和电导数曲线上同相峰和反相峰产...
齐丽云
关键词:大功率半导体激光器可靠性
808nm大功率半导体激光器的低频电噪声被引量:7
2000年
对 8 0 8 nm大功率半导体激光器的低频电噪声进行测试 ,给出器件电噪声与频率、注入电流之间关系 ,讨论噪声与电、光导数之间的关系 .结果表明 ,80 8nm大功率半导体激光器的电噪声在低频段主要为 1 /f噪声 。
胡贵军石家纬李红岩齐丽云赵磊张锋刚张素梅
关键词:半导体激光器大功率
高功率GaAs/GaAlAs单量子阱远结激光器
通过对50余只808nm的GaAs/GaAlAs高功率单量子阱远结半导体激光器的老化实验观测,在老化初期(前520h),阈值电流随老化时间的延长而下降,下降幅度高达57mA,从1000h多的恒流电老化结果可以看出,器件的...
石家纬张素梅齐丽云
关键词:高功率单量子阱
文献传递
共2页<12>
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