张露
- 作品数：6 被引量：5H指数：1
- 供职机构：南京邮电大学电子科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 三材料线性掺杂石墨烯纳米条带场效应管性能(英文)被引量：3
- 2015年
- 采用量子动力学模型研究单材料和三材料的石墨烯纳米条带场效应管(GNRFETs)在不同掺杂情况下的弹道输运特性,模型基于非平衡格林函数方程(NEGF)以及自洽的泊松方程的量子数值解.结果证明:三材料线性掺杂的石墨烯纳米条带场效应管(TL-GNRFET)不仅能够有效地抑制短沟道效应(SCE)和漏极势垒降低效应(DIBL),而且相对于其它几种结构而言,它有更好的亚阈值斜率以及更高的开关电流比.另外,还研究了非对称栅结构对石墨烯场效应管的影响,结果表明,当上栅和下栅同时向源端移动的时候,可以改善器件的电流开关比.
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- 关键词：非平衡格林函数
- 采用有限元方法研究轻掺杂源漏结构对异质栅MOSFET的性能影响(英文)被引量：1
- 2014年
- 提出了一种轻掺杂源漏结构结合异质材料双栅结构的MOSFET(简称LDDS-HMG-MOSFET)。使用二维非平衡格林函数(NEGF)对该结构进行仿真,其中非平衡格林函数的计算使用有限元法(FEM)。仿真结果表明,在该新型结构中,异质栅结构能够降低漏电流从而能够有效抑制漏极感应势垒较低效应(DIBL),LDDS结构能够增加有效栅长,有效抑制带带隧穿效应(BTBT)和热电子效应。因此,与传统单材料栅结构的MOSFET(简称C-MOSFET)相比,LDDS-HMG-MOSFET具有更加优越的性能、更低的漏电流和更大的开关电流比(Ion/Ioff)。
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- 关键词：非平衡格林函数有限元方法
- 半导体纳米电子学的设计与太赫兹探测性质研究
- 半导体晶体管尺寸缩小让新型材料和新型结构得到了飞速的发展，为进一步改善场效应晶体管器件性能，论文将异质栅（HMG）、轻源漏掺杂（LDDS）和线性掺杂等技术应用到到纳米场效应管中。通过构建场纳米效应管的量子输运模型，研究异...
- 张露
- 关键词：石墨烯碳纳米管格林函数有限元方法
- 文献传递
- 双线性掺杂漏异质材料栅氧化层石墨烯隧穿场效应管
- 本发明公开了一种双线性掺杂漏异质材料栅氧化层石墨烯隧穿场效应管(DL-HTFETs)。该场效应管在源区/漏区进行P/N型重掺杂，源，漏两端靠近沟道区域进行线性掺杂，靠近源极的氧化层采用低K氧化物(SiO<Sub>2</S...
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- 文献传递
- 欠叠异质栅纳米碳管场效应管的量子输运特性(英文)被引量：1
- 2015年
- 采用量子力学模型,对欠叠栅对传统单质栅碳纳米管场效应管(简称C-CNTFET)和异质栅碳纳米管场效应管(简称HMG-CNTFET)电学特性的影响进行理论研究,该模型基于二维非平衡格林函数(NEGF)泊松方程自洽求解.仿真结果表明,C-CNTFET的截止频率可高达THz量级,另外,通过比较C-和HMG-CNTFET可以看出,CCNTFET增加欠叠栅后能够提高器件的开关速度,但不利于提高器件的开关电流比.在HMG-CNTFET中,欠叠栅的采用不仅能够同时改善亚阈值特性和开关电流比,还能降低输出电导.
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- 关键词：非平衡格林函数短沟道效应异质栅
- 一种峰值掺杂结合对称线性掺杂结构的碳纳米场效应管
- 本发明公开了一种峰值掺杂结合对称线性掺杂结构的碳纳米场效应管，构建了适用于峰值掺杂结合对称线性掺杂结构的碳纳米场效应管的输运模型，利用该模型分析计算了HALO-Linear掺杂策略对碳纳米场效应管电学特性的影响。通过与采...
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- 文献传递
