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徐蓓蕾

作品数：6 被引量：11H指数：2
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金上海市教育发展基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 4篇固相外延
  • 3篇固相
  • 3篇固相反应
  • 2篇势垒
  • 2篇阻挡层
  • 2篇肖特基
  • 2篇肖特基势垒
  • 2篇接触特性
  • 2篇金属硅化物
  • 2篇扩散阻挡层
  • 2篇固相外延生长
  • 2篇硅化物
  • 2篇SI
  • 2篇CO
  • 1篇退火
  • 1篇晶格
  • 1篇晶格失配
  • 1篇NI
  • 1篇SI(100...
  • 1篇SIO

机构

  • 6篇复旦大学
  • 3篇香港城市大学
  • 3篇香港中文大学
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 6篇徐蓓蕾
  • 4篇茹国平
  • 4篇李炳宗
  • 4篇屈新萍
  • 2篇韩永召
  • 1篇俞宏坤
  • 1篇任云珠
  • 1篇郑国祥
  • 1篇蒋聚小
  • 1篇朱剑豪
  • 1篇王连卫

传媒

  • 3篇Journa...
  • 2篇固体电子学研...

年份

  • 2篇2003
  • 3篇2001
  • 1篇2000
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
Co/a-GeSi/Ti/Si多层薄膜固相反应外延生长CoSi_2薄膜
2003年
研究了在 Co/Ti/Si结构中加入非晶 Ge Si层对 Co Si2 /Si异质固相外延的影响 ,用离子束溅射方法在Si衬底上制备 Co/Ge Si/Ti/Si结构多层薄膜 ,通过快速热退火使多层薄膜发生固相反应。采用四探针电阻仪、AES、XRD、RBS等方法进行测试。实验表明 ,利用 Co/Ge Si/Ti/Si固相反应形成的 Co Si2 薄膜具有良好的外延特性和电学特性 ,Ti中间层和非晶 Ge Si中间层具有促进和改善 Co Si2 外延质量 ,减少衬底耗硅量的作用。Ge原子的存在能够改善外延 Co Si2
徐蓓蕾屈新萍韩永召茹国平李炳宗W.Y.CheungS.P.WongPaul K.Chu
关键词：金属硅化物固相外延扩散阻挡层晶格失配
超薄外延CoSi_2/n-Si的肖特基势垒接触特性被引量：7
2000年
研究了超薄 (～ 1 0 nm) Co Si2 /Si的肖特基势垒接触特性 .Co( 3— 4nm) /Ti( 1 nm)双层金属通过快速热退火在 Si( 1 0 0 )衬底上形成超薄 Co Si2 薄膜 .X射线衍射测试表明该薄膜具有较好的外延特性 .用 I- V、C- V方法在 82— 332 K温度范围内测试了 Co Si2 /Si的肖特基势垒特性 .用弹道电子发射显微术直接测量了微区肖特基势垒高度 .测试表明 ,用 Co/Ti/Si方法形成的超薄Co Si2 /Si接触在室温时具有优良的肖特基势垒特性 ,I- V方法测得的势垒高度为 0 .59e V,其理想因子为 1 .0 1 ;在低温时 ,I- V方法测得的势垒高度随温度降低而降低 ,理想因子则升高 .采用肖特基势垒不均匀性理论 ,并假设势垒高度呈高斯分布 。
屈新萍茹国平徐蓓蕾李炳宗
关键词：肖特基势垒固相外延超薄
VLSI中钛硅化物肖特基接触特性与退火条件被引量：3
2001年
基于 Ti Si2 低电阻率的优点 ,采用 Ti制作肖特基二极管。在 VL SI工艺中实现同时完成钛硅化物欧姆接触和肖特基势垒二极管 (SBD)的制作。文中用 AES等技术研究不同退火工艺形成的 Ti/ Si界面形态和结构 ,寻找完善的工艺设计和退火条件。此外还测量 Al/ Ti N/ Ti/ Si结构的金属硅化物 SBD的有关特性。通过工艺实验确定 VL
黄榕旭蒋聚小郑国祥俞宏坤任云珠徐蓓蕾
关键词：退火肖特基势垒VLSI接触特性
SiO_x调制的三元硅化物(Co_(1-x)Ni_x)Si_2外延
2001年
报道了通过 Co/ Ni/ Si Ox/ Si(10 0 )体系固相反应 ,实现三元硅化物 (Co1 - x Nix) Si2 薄膜外延生长及薄膜特性的表征 .测试结果表明 ,中间氧化硅层对原子扩散起到阻挡作用 .XRD和 RBS图谱显示 ,有中间层的样品所形成的硅化物膜和硅衬底有良好的外延关系 .而 Co/ Ni/ Si(10 0 )体系 ,则形成多晶硅化物膜 ,和硅衬底没有外延关系 .外延三元硅化物 (Co1 - x Nix) Si2 膜的晶格常数介于 Co Si2 和 Ni Si2 之间 ,从而可以降低生成膜的应力 .薄膜的厚度约为110 nm;最小沟道产额 (χmin)为 2 2 % .外延三元硅化物膜的电阻率约为 17μΩ· cm ;高温稳定性达 10 0 0℃ ,与 Co
韩永召李炳宗茹国平屈新萍曹永峰徐蓓蕾蒋玉龙王连卫张荣耀朱剑豪
关键词：固相反应
Co/C/Si(100)结构固相外延生长CoSi_2被引量：1
2003年
采用 Co/C/Si多层薄膜结构的中间层诱导固相外延方法在 Si(10 0 )上制备外延 Co Si2 薄膜 .用四探针电阻仪、XRD、AES、RBS等分析手段对该结构固相反应形成的薄膜的电学特性、组分、晶体结构等进行了表征 .结果表明 ,Co/C/Si多层结构经快速热退火 ,可以在 Si(10 0 )衬底上得到导电性能和高温稳定性良好的 Co Si2 薄膜 .C层的加入阻碍了 Co和 Si的互扩散和互反应 ,从而促进了 Co Si2 在硅衬底上的外延 .
屈新萍徐蓓蕾茹国平李炳宗W.Y.CheungS.P.WongPaul K.Chu
关键词：固相反应固相外延金属硅化物
GeSi/Ti、C中间层诱导固相外延生长CoSi<,2>及其特性研究
该论文研究Co/a-GeSi/Ti/Si(100)和Co/a-C/Si(100)两种新结构外延生长CoSi<,2>薄膜的中间层诱导固相外延(IMSPE)新技术.研究了多层薄膜的固相外延过程及机制,所形成CoSi<,2>薄...
徐蓓蕾
关键词：固相外延扩散阻挡层
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