方圆
- 作品数：3 被引量：5H指数：1
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划北京市教委资助项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 激光剥离技术实现GaN薄膜从蓝宝石衬底移至Cu衬底被引量：4
- 2007年
- 在GaN薄膜表面电镀厚100μm的、均匀的金属铜作为转移衬底。采用激光剥离技术,在400mJ/cm2脉冲激光能量密度条件下,成功地将GaN薄膜从蓝宝石衬底转移至Cu衬底。激光剥离后Cu衬底上GaN薄膜的扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明,电镀Cu衬底与GaN之间形成致密的结合,对GaN薄膜起到了很好的支撑作用。同时铜的延展性好,使得GaN薄膜内产生的应力得到有效释放,保持了剥离后GaN薄膜的完整性。激光剥离后GaN表面残留物的X射线光电子能谱(XPS)分析显示,激光辐照产生的金属Ga部分与空气中的氧结合形成Ga2O3,这是剥离后GaN表面后处理困难的原因,并给出了相应的解决方法。
- 方圆郭霞王婷刘斌沈光地井亮陈涛
- 关键词：GAN激光剥离SEM分析XPS分析
- 提高GaN基LED的光提取效率之激光剥离技术的研究
- 半导体发光二极管LED是一种可将电能转变为光能的有源器件，属于固态光源。在半导体LED的大家族中，尤以GaN基LED的发展和研究引人注目。GaN材料由于其直接带隙、优良的光电特性，以及近些年GaN基半导体材料在薄膜制备，...
- 方圆
- 关键词：发光二极管激光剥离准分子激光电镀
- 文献传递
- 激光剥离技术制备GaN/metal/Si的结构和光学特性研究被引量：1
- 2007年
- 采用激光剥离技术结合金属熔融键合技术将生长在蓝宝石衬底上的GaN外延层转移到Si衬底上。GaN和Si表面分别用电子束蒸发Al/Ti/Au和Ti/Au/In后,在氮气环境下200℃加压实现GaN和Si的键合。采用脉冲宽度30ns、波长248nm的准分子脉冲激光透过蓝宝石衬底辐照GaN薄膜,在脉冲激光能量密度为380mJ/cm2的条件下将蓝宝石衬底剥离下来,实现GaN薄膜向Si衬底的转移。样品截面显微镜和扫描电镜(SEM)照片说明经过键合工艺形成了致密的GaN/Al/Ti/Au/In/Au/Ti/Si结构。对转移衬底后的GaN薄膜进行原子力显微镜(AFM)和光致发光谱(PL)测试,结果表明金属熔融键合和激光剥离工艺没有对GaN薄膜的结构和光学特性带来明显的不利影响。
- 王婷郭霞方圆刘斌沈光地
- 关键词：激光剥离GAN原子力显微镜光致发光谱
