王婷
- 作品数：12 被引量：16H指数：3
- 供职机构：北京理工大学机电学院机电工程与控制国家级重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划北京市教委资助项目北京市科委重大项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 新型大功率双波长半导体激光器的研制
- 2005年
- 提出了一种新结构半导体双波长激光器 ,即用隧道结把两个发射不同波长的激光器结构通过外延生长的方法连接起来。通过计算和设计 ,制备了性能良好的大功率激射的双波长半导体激光器。双波长器件的实际激射波长分别为 95 1 nm和 987nm,为基模激射。器件在 5 3 0 m A直流工作时输出功率达到 5 0 0 m W,斜率效率为1 .3 3 W/A。在 2 A电流时功率达 2 .4W,斜率效率为 1 .3 8W/A;3 A电流时功率达 3 .1 W,斜率效率为 1 .2 1 W/A。
- 郭伟玲田咏桃李建军马丽娜鲁鹏程王婷邹德恕沈光地
- 关键词：大功率半导体激光器双波长隧道结
- 激光剥离Al_2O_3/GaN中GaN材料温度场的模拟被引量：2
- 2006年
- 对激光剥离Al2O3/GaN技术,建立了紫外脉冲激光辐照过程中GaN外延层内热传导理论模型。计算分析了不同能量密度脉冲激光辐照时,GaN外延层内的温度场分布,由此得到激光剥离的阈值条件。采用紫外KrF准分子激光器对Al2O3/GaN样品进行激光剥离实验,样品表面显微镜和端面扫描电镜(SEM)测试照片说明,计算结果与实验现象相符。进一步分析表明,脉冲激光的能量密度和频率是实现激光剥离的关键参数,适当选取这些参数能将GaN材料内的高温区控制在100nm以内,实现高效低损伤激光剥离。
- 王婷郭霞刘斌沈光地
- 关键词：温度场激光剥离脉冲激光GAN
- 激光剥离技术中GaN材料温度场的研究
- 2005年
- 对使用脉冲激光实现GaN/Sapphire剥离技术,建立了激光剥离过程中GaN外延层一维热传导理论模型。计算分析了单脉冲辐照时,激光剥离过程中GaN外延层内的温度场分布。得到实现激光剥离阈值能量密度为400mJ/cm2,脉冲频率上限约为1400Hz,阈值条件下剥离过程中高温区分布限制在100nm以内。从而证明GaN基发光二极管(LED)外延结构无损伤激光剥离的可行性,并且为激光剥离技术参数的选取提供了理论依据。
- 王婷郭霞郭伟玲牛南辉沈光地
- 关键词：温度场脉冲激光GAN
- 激光剥离技术实现GaN薄膜从蓝宝石衬底移至Cu衬底被引量：4
- 2007年
- 在GaN薄膜表面电镀厚100μm的、均匀的金属铜作为转移衬底。采用激光剥离技术,在400mJ/cm2脉冲激光能量密度条件下,成功地将GaN薄膜从蓝宝石衬底转移至Cu衬底。激光剥离后Cu衬底上GaN薄膜的扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明,电镀Cu衬底与GaN之间形成致密的结合,对GaN薄膜起到了很好的支撑作用。同时铜的延展性好,使得GaN薄膜内产生的应力得到有效释放,保持了剥离后GaN薄膜的完整性。激光剥离后GaN表面残留物的X射线光电子能谱(XPS)分析显示,激光辐照产生的金属Ga部分与空气中的氧结合形成Ga2O3,这是剥离后GaN表面后处理困难的原因,并给出了相应的解决方法。
- 方圆郭霞王婷刘斌沈光地井亮陈涛
- 关键词：GAN激光剥离SEM分析XPS分析
- 激光剥离技术实现垂直结构GaN基LED被引量：3
- 2009年
- 为改善GaN基发光二极管(Light-emitting diode,LED)的电学特性和提高其输出光功率,采用激光剥离技术,在KrF准分子激光器脉冲激光能量密度为400mJ/cm2的条件下,将GaN基LED从蓝宝石衬底剥离,结合金属熔融键合技术,在300℃中将GaN基LED转移至高电导率和高热导率的硅衬底,制备出了具有垂直结构的GaN基LED,并对其电学和光学特性进行了测试。结果表明:在110mA注入电流下,垂直结构器件的开启电压由普通结构的3.68V降低到了3.27V;在560mA注入电流下,器件输出光功率没有出现饱和现象;采用高电导率和高热导率的硅衬底能有效地改善GaN基LED的电学和光学特性。
- 王婷崔占忠徐立新
- 关键词：光电子学LEDGAN激光剥离键合
- 宽带高增益双层硅基MEMS微带天线阵列(英文)被引量：3
- 2015年
- 针对传统微带天线带宽窄和增益低等问题,设计了一种易与射频(RF)前端集成的硅基微带天线。该天线设计结合MEMS工艺,将高阻硅和低阻硅通过键合工艺形成双层硅基底,来改善微带天线介质基板的等效介电常数,有效增大了天线的带宽。同时通过在地面引入缺陷地结构(DGS),有效的抑制谐波的产生。在此基础上设计了中心频率为10 Hz,2×2天线辐射阵列。仿真结果表明,天线相对阻抗带宽达到15.9%,增益超过10.9dB,比传统微带天线有明显提升,同时满足引信中天线抗干扰的要求。
- 杨柳风王婷
- 关键词：微带天线MEMS硅抗干扰
- 一种CMOS集成MEMS片上螺旋电感设计与仿真被引量：1
- 2012年
- 设计了一种与CMOS工艺兼容的MEMS片上螺旋电感。电感为矩形平面螺旋线圈结构,并采用电导率较高的铜代替铝制作线圈。利用MEMS技术设计了厚金属线圈,同时在CMOS级低阻硅衬底中刻蚀空腔,减小了线圈的串联电阻和衬底损耗,提高了电感的Q值。设计了与CMOS工艺相兼容的低温MEMS工艺和基于该工艺的1nH电感模型。使用HFSS软件对该电感模型进行仿真,结果表明,该电感在仿真频率为6.6GHz和10GHz时Q值分别达到了22.37和20.74,且自谐振频率大于20GHz,较传统的CMOS片上集成电感有明显改善;同时随着电感线圈厚度的增加,电感的Q值增加,而电感值(L值)则减小,且在仿真频段内电感值的变化小于5.5%。
- 卢冲赢徐立新王婷
- 关键词：MEMS片上螺旋电感Q值
- 激光剥离Sapphire/GaN中GaN材料温度场的研究
- 对激光剥离Sapphire/GaN技术，建立了紫外脉冲激光辐照过程中GaN外延层内热传导理论模型。计算分析了不同能量密度脉冲激光辐照时，GaN外延层内的温度场分布，由此得到激光剥离的阈值条件。同时采用紫外KrF准分子激光...
- 王婷郭霞刘斌沈光地
- 关键词：氮化镓材料温度场
- 隧道级联半导体激光器的光束质量因子被引量：2
- 2004年
- 运用波导模式理论和光束传输的非傍轴矢量矩理论 ,对隧道级联 In Ga As/ Ga As/ Al Ga As半导体激光器的光束质量进行了理论研究 .分析了隧道级联半导体激光器内限制层厚度和垂直方向光束质量因子的关系 .结果表明 ,在隧道结耦合距离内 ,隧道结不仅起到了再生载流子的作用 ,也作为无源波导拓展了光场 ,减小了垂直发散角 ,降低了光束质量因子 .根据模拟结果设计并制备了高光束质量 ,小垂直发散角的隧道级联耦合大光腔半导体激光器 ,其阈值电流密度为 2 71A/ cm2 ,斜率效率为 1.4 9W/ A,垂直发散角为 17.4°,光束质量因子为 1.
- 崔碧峰邹德恕李建军郭伟玲鲁鹏程刘莹王婷沈光地
- 关键词：隧道级联光束质量因子大光腔半导体激光器
- 激光剥离技术制备GaN/metal/Si的结构和光学特性研究被引量：1
- 2007年
- 采用激光剥离技术结合金属熔融键合技术将生长在蓝宝石衬底上的GaN外延层转移到Si衬底上。GaN和Si表面分别用电子束蒸发Al/Ti/Au和Ti/Au/In后,在氮气环境下200℃加压实现GaN和Si的键合。采用脉冲宽度30ns、波长248nm的准分子脉冲激光透过蓝宝石衬底辐照GaN薄膜,在脉冲激光能量密度为380mJ/cm2的条件下将蓝宝石衬底剥离下来,实现GaN薄膜向Si衬底的转移。样品截面显微镜和扫描电镜(SEM)照片说明经过键合工艺形成了致密的GaN/Al/Ti/Au/In/Au/Ti/Si结构。对转移衬底后的GaN薄膜进行原子力显微镜(AFM)和光致发光谱(PL)测试,结果表明金属熔融键合和激光剥离工艺没有对GaN薄膜的结构和光学特性带来明显的不利影响。
- 王婷郭霞方圆刘斌沈光地
- 关键词：激光剥离GAN原子力显微镜光致发光谱
