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易正亮

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：武汉大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇中子嬗变
  • 3篇中子嬗变掺杂
  • 2篇退火
  • 1篇正电子
  • 1篇正电子湮没
  • 1篇散放
  • 1篇砷化镓
  • 1篇磷化铟
  • 1篇磷化铟材料
  • 1篇喇曼
  • 1篇掺杂
  • 1篇GAAS

机构

  • 3篇武汉大学

作者

  • 3篇易正亮
  • 2篇李世清
  • 2篇鄢和平

传媒

  • 2篇半导体光电

年份

  • 2篇1998
  • 1篇1997
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的中子嬗变掺杂
易正亮
关键词：中子嬗变掺杂
磷化铟材料的中子嬗变掺杂
1998年
文章介绍了磷化铟中子嬗变掺杂（ＮＴＤ）的优点、原理和退火过程，并简要介绍了国外的研究情况和取得的研究结果。
易正亮鄢和平李世清
关键词：磷化铟中子嬗变掺杂退火掺杂
GaAs的中子嬗变掺杂
1997年
文章介绍了ＧａＡｓ的中子嬗变掺杂（ＮＴＤ）的优点，砷化镓的ＮＴＤ原理，以及ＮＴＤ－ＧａＡｓ的退火过程。
易正亮鄢和平李世清
关键词：砷化镓中子嬗变掺杂退火
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